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公开(公告)号：CN109884001B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910195613.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分拓扑绝缘体Sb2Te3的圆偏振光致电流和光子拽曳电流的方法。该方法的技术方案为，用1064nm的激光通过起偏器和四分之一波片后照射在样品上，通过转动四分之一波片产生周期变化的偏振光，产生的光电流通过拟合提取出圆偏振激光产生的光电流。测量不同正负入射角下的圆偏振激光产生的光电流，利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的偶函数分量具有不用的奇偶对称性，以及利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的奇函数分量对入射角的不同依赖关系，将圆偏振光致电流和光子拽曳电流进行区分。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164999B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910486444.3
申请日：2019-06-05
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种调控硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的方法，具体通过改变激发光的波长从近红外到远红外波段，实现对硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的调控。这是因为在硒化铋薄膜，同时存在表面态和二维电子气，它们产生的圆偏振光电流的方向是相反的。当激发光为近红外波段的光时，表面态和二维电子气都会对圆偏振光致电流产生贡献，而且它们的方向相反，会互相抵消。当激发光为远红外波段的光，且该激发光的能量小于薄膜中Rashba自旋分裂能时，这时的圆偏振光致电流主要来自表面态，二维电子气态的贡献很小。从而，相比于近红外光激发的情况，此时的圆偏振光致电流有显著提升。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN109884001A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910195613.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分拓扑绝缘体Sb2Te3的圆偏振光致电流和光子拽曳电流的方法。该方法的技术方案为，用1064nm的激光通过起偏器和四分之一波片后照射在样品上，通过转动四分之一波片产生周期变化的偏振光，产生的光电流通过拟合提取出圆偏振激光产生的光电流。测量不同正负入射角下的圆偏振激光产生的光电流，利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的偶函数分量具有不用的奇偶对称性，以及利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的奇函数分量对入射角的不同依赖关系，将圆偏振光致电流和光子拽曳电流进行区分。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN110208324B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910468994.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种分离三维拓扑绝缘体Bi2Se3的不同线偏振张量引起的线偏振光致电流的方法，首先测量Bi2Se3样品在不同入射角下的线偏振光致电流，接着根据三维拓扑绝缘体Bi2Se3线偏振张量引起的线偏振光致电流随入射角的不同变化关系，将（正入射角的线偏振光致电流‑负入射角的线偏振光致电流）/2得到一个线偏振张量引起的线偏振光致电流，将（正入射角的线偏振光致电流+负入射角的线偏振光致电流）/2得到另一个线偏振张量引起的线偏振光致电流。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN110164999A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910486444.3
申请日：2019-06-05
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种调控硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的方法，具体通过改变激发光的波长从近红外到远红外波段，实现对硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的调控。这是因为在硒化铋薄膜，同时存在表面态和二维电子气，它们产生的圆偏振光电流的方向是相反的。当激发光为近红外波段的光时，表面态和二维电子气都会对圆偏振光致电流产生贡献，而且它们的方向相反，会互相抵消。当激发光为远红外波段的光，且该激发光的能量小于薄膜中Rashba自旋分裂能时，这时的圆偏振光致电流主要来自表面态，二维电子气态的贡献很小。从而，相比于近红外光激发的情况，此时的圆偏振光致电流有显著提升。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN110208324A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910468994.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种分离三维拓扑绝缘体Bi2Se3的不同线偏振张量引起的线偏振光致电流的方法，首先测量Bi2Se3样品在不同入射角下的线偏振光致电流，接着根据三维拓扑绝缘体Bi2Se3线偏振张量引起的线偏振光致电流随入射角的不同变化关系，将（正入射角的线偏振光致电流-负入射角的线偏振光致电流）/2得到一个线偏振张量引起的线偏振光致电流，将（正入射角的线偏振光致电流+负入射角的线偏振光致电流）/2得到另一个线偏振张量引起的线偏振光致电流。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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