抛光组合物和抛光方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1626599B

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200410092531.4

    申请日:2004-11-04

    CPC classification number: G11B5/8404 C03C19/00

    Abstract: 本发明的抛光组合物含有二氧化硅、酸和水。二氧化硅是例如胶体二氧化硅、热解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。酸是例如盐酸,磷酸,硫酸,膦酸,硝酸,亚磷酸,硼酸,乙酸,衣康酸,丁二酸,酒石酸,柠檬酸,马来酸,乙醇酸,丙二酸,甲基磺酸,甲酸,苹果酸,葡萄糖酸,丙胺酸,甘氨酸,乳酸,羟基亚乙基二磷酸,氮基三(亚甲基磷酸),或磷酰基丁烷三羧酸。该抛光组合物的pH值优选在0.5~6范围内。该抛光组合物非常适用于抛光玻璃基片。

    抛光组合物和抛光方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1626599A

    公开(公告)日:2005-06-15

    申请号:CN200410092531.4

    申请日:2004-11-04

    CPC classification number: G11B5/8404 C03C19/00

    Abstract: 本发明的抛光组合物含有二氧化硅、酸和水。二氧化硅是例如胶体二氧化硅、热解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。酸是例如盐酸,磷酸,硫酸,膦酸,硝酸,亚磷酸,硼酸,乙酸,衣康酸,丁二酸,酒石酸,柠檬酸,马来酸,乙醇酸,丙二酸,甲基磺酸,甲酸,苹果酸,葡萄糖酸,丙胺酸,甘氨酸,乳酸,羟基亚乙基二磷酸,氮基三(亚甲基磷酸),或磷酰基丁烷三羧酸。该抛光组合物的pH值优选在0.5~6范围内。该抛光组合物非常适用于抛光玻璃基片。

    抛光组合物
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1576339B

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN200410062868.0

    申请日:2004-07-02

    CPC classification number: G11B5/8404 C09G1/02

    Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物,它更适合用于磁盘基片的抛光。抛光组合物含有:研磨剂、微纹消除剂、氧化剂、抛光促进剂、以及水。微纹消除剂是一种还原剂,它含以下组中选出的至少一种:膦酸、亚膦酸、连二磷酸铵、硫酸铵、硫酸钠、对苯二酚、焦酚、异抗坏血酸、异抗坏血酸钠、L-抗坏血酸、蚁酸、蚁酸钠、蚁酸铵、草酸、草酸铵、碘酸铵以及五倍子酸。

    抛光组合物和抛光方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100497509C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200410104484.0

    申请日:2004-12-24

    CPC classification number: C09K3/1463 C09G1/02

    Abstract: 一种抛光组合物,它包括热解法氧化铝、非热解法氧化铝、胶体二氧化硅、第一有机酸、第二有机酸、氧化剂和水。当第二有机酸是柠檬酸时,第一有机酸优选为苹果酸,而当第二有机酸是苹果酸时,第一有机酸优选为柠檬酸。当第二有机酸是琥珀酸、亚氨乙酰乙酸、衣康酸、马来酸、丙二酸、巴豆酸、葡糖酸、乙醇酸、乳酸或扁桃酸时,第一有机酸优选为柠檬酸或苹果酸。该抛光组合物适用于抛光磁盘基片的表面。

    抛光组合物和抛光方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1640974A

    公开(公告)日:2005-07-20

    申请号:CN200410104484.0

    申请日:2004-12-24

    CPC classification number: C09K3/1463 C09G1/02

    Abstract: 一种抛光组合物,它包括热解法氧化铝、非热解法氧化铝、胶体二氧化硅、第一有机酸、第二有机酸、氧化剂和水。当第二有机酸是柠檬酸时,第一有机酸优选为苹果酸,而当第二有机酸是苹果酸时,第一有机酸优选为柠檬酸。当第二有机酸是琥珀酸、亚氨乙酰乙酸、衣康酸、马来酸、丙二酸、巴豆酸、葡糖酸、乙醇酸、乳酸或扁桃酸时,第一有机酸优选为柠檬酸或苹果酸。该抛光组合物适用于抛光磁盘基片的表面。

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