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公开(公告)号：CN105722274B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610146219.1
申请日：2013-12-18
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Inventor： 徐孝如
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供了一种APFC控制电路，包括输出电流计算电路、误差计算电路、电感电流过零检测电路和占空比计算电路。上述电路采用直流供电电压为直流‑直流变换器功率开关管的栅极提供恒定的电压，仅通过调整功率开关管的源极电压来控制功率开关管周期性的导通和截止，从而驱动直流‑直流变换器工作，使应用该APFC控制电路时的调试更加简单。另外，上述APFC控制电路可直接集成在同一芯片上，芯片的引脚数目仅为4个，从而降低了外围电路的数目和复杂程度，进一步的解决了当采用APFC控制电路提高LED驱动电路的PF值时，LED驱动电路调试繁琐的问题。
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公开(公告)号：CN105099203B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510443564.7
申请日：2015-07-24
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M2001/0009
Abstract: 本发明公开了一种电压采样控制电路、电压采样控制方法及隔离式变换器，通过采样原边的功率开关管的开关电流信息，以获得表征副边整流管压降信息的第一电压信号，然后根据所述第一电压信号获得补偿信号，所述补偿信号对输出电压反馈信号进行补偿，以抵消在输出电压采样时整流管自身的压降对输出电压反馈信号的影响，从而获得准确的输出电压反馈信号，实现无论在哪种工作模式下都能准确对输出电压的控制，提高了输出电压调整率。
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公开(公告)号：CN105119505B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510579776.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H02M7/217
Abstract: 本发明公开了一种同步整流控制方法及同步整流电路，包括多个工作阶段，在同步整流的后期工作阶段中，随着电流的减小，漏源电压升高到闭环阈值电压，栅源电压开始减小，使导通电阻增大，通过使同步整流管的漏极电压趋近于参考电压，以保持漏源电压等于闭环阈值电压；因而可以使同步整流导通后期保持漏源电压不变，使原边检测更加准确；同时本发明以栅源关断阈值电压来判断关断的时刻，确保同步整流管精确在电流过零时关断。
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公开(公告)号：CN105916232A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610228537.2
申请日：2016-04-13
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/0848
Abstract: 本发明公开了一种同步控制电路、控制方法和可控硅LED调光电路，通过在可控硅导通时刻检测电感电流的大小，当电感电流达到参考电压大小时，则控制功率开关管导通，这样可实现芯片开通和可控硅导通同步，可实现在可控硅导通后输入电流的大小满足可控硅的维持工作电流要求。同时，本申请根据第一控制信号对调光状态持续监控，当不调光时，则控制芯片进入睡眠工作状态。本发明的技术无需维持电阻，可减小系统功耗。
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公开(公告)号：CN103795259B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410021050.8
申请日：2014-01-17
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M3/33523 , H03K17/04213
Abstract: 本发明涉及电子领域，公开了一种开关控制方法及控制电路以及带该控制电路的开关电源。方法包括：根据采样电压信号生成驱动电流信号，使驱动电流信号的波形跟随所述采样电压信号的波形，采样电压信号包含作为开关电源功率开关的三极管的集电极电流信息，当脉冲宽度调制信号为第一电平时，向所述三极管的基极输入所述驱动电流信号，所述三极管处于饱和导通状态；在所述脉冲宽度调制信号为所述第二电平时的任一预设时段，释放所述三极管的基极的电荷，所述三极管处于截止状态。应用该技术方案有利于提高三极管的开关速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104503526B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410662701.1
申请日：2014-11-19
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种基于混合信号的反馈补偿电路及方法，将误差电流信号整流后形成第一电流信号，并对补偿电容充电，在所补偿电容上形成补偿电压信号；当补偿电压信号达到阈值电压时，进行计数并得到计数信号，同时对补偿电容放电；通过数模转换器接收所述的计数信号，通过计数方向信号决定所述计数的方向，将计数信号转换为模拟补偿信号。本发明通过对较小的补偿电容多次充放电，充放电的次数通过计数信号来表征，再根据阈值电压及补偿电容的容值可知计数信号所表征的补偿电压，并转化为模拟补偿信号，从而使得小电容能够等效于大电容，可将其集成于片内，集成化程度高。
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公开(公告)号：CN103066872B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310017681.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Inventor： 徐孝如
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0054 , Y02B70/1491
Abstract: 本发明提供一种集成开关电源控制器以及应用其的开关电源，其包括一复用管脚；所述复用管脚接收一检测电压信号；在每一开关周期内，在第一时间区间内，所述检测电压信号与所述开关电源的直流输入电压成比例关系，根据所述检测电压信号产生一电流补偿信号，来获得流过所述开关电源中的电感的峰值电流；在第二时间区间内，所述检测电压信号与所述开关电源的输出电压成比例关系；在第二时间区间内，根据所述检测电压信号采集所述电感电流的放电时间长度；在第三时间区间内，所述检测电压信号与所述开关电源的功率开关器件的两个功率端之间的电压成比例关系，根据所述检测电压信号，所述集成开关电源控制器控制所述功率开关器件在一谷底时刻导通。
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公开(公告)号：CN104682704A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510042160.7
申请日：2015-01-28
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H02M3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于可变零点的反馈补偿电路及应用其的开关电源，包括第一误差放大器、第二误差放大器、补偿电容和补偿电阻，所述第一误差放大器的第一极性端和所述第二误差放大器的第一极性端均接收第一信号，所述第一误差放大器的第二极性端和所述第二误差放大器的第二极性端均接收第二信号，所述补偿电容串联在第一误差放大器的输出端和第二误差放大器的输出端之间，在所述的第一误差放大器的输出端形成补偿电压；所述的补偿电阻一端与第二误差放大器的输出端连接，另一端接地；所述第一误差放大器设置有可变偏置电流源，第一误差放大器的跨导与可变偏置电流源的大小成正比例关系。本发明能够自适应调整零点，从而提高了相位裕度，保障了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN103200744B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310130073.8
申请日：2011-04-08
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了一种可控硅调光电路、调光方法以及应用其的LED驱动电路。依据本发明的可控硅调光电路用以接收一缺相的直流电压信号，以产生一调光信号以调节后续LED灯负载的亮度，包括：一导通相角信号发生电路，与所述整流桥连接，用以接收所述缺相的直流电压信号，并产生一表征所述可控硅整流元件导通相角范围的控制信号；一调光信号发生电路，其与所述导通相角信号发生电路连接，用以接收所述控制信号、一可调节信号和一箝位电压信号以产生一调光信号，通过设置由所述箝位电压信号确定的一定值信号选择调光相角范围幅度；并通过调节所述可调节信号，调整所述调光信号的幅值，以将所述可控硅调光电路的调光相角范围进行相应的平移。
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公开(公告)号：CN104167401A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410313523.1
申请日：2014-07-02
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/18 , H01L25/00
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种可应用于功率变换器的多芯片封装结构，包括由第一类型引脚和第二类型引脚组成的引线框架，功率器件晶片和功率二极管晶片。该多芯片封装结构中，通过将功率器件晶片和功率二极管晶片直接放置于大面积的第一类型引脚的中间焊盘之上，并与之形成直接的电性连接关系，获得良好的散热性能；并且，各晶片之间可以在封装结构内部完成特定的电性连接，而不是在封装结构外部，因此抗干扰性能增强，从而也提高了系统的可靠性和稳定性。
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