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公开(公告)号：CN115631812A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211146696.X
申请日：2022-09-20
申请人： 盐城工学院 , 盐城青源林数字科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种核壳结构量子点的搭建方法，可以应用于纳米复合材料和计算材料技术领域。该方法包括：输入与目标核壳结构对应的目标分子的坐标文件；读取坐标文件中的目标分子的基矢和目标分子中每个原子的原子坐标；利用目标分子的基矢确定与目标核壳结构对应的中心坐标；针对目标分子中的每个原子的原子坐标，利用第一预设公式转换原子坐标，得到原子转换坐标；确定原子转换坐标与中心坐标之间的坐标距离，得到第一坐标距离；在确定第一坐标距离满足预设条件的情况下，确定原子转换坐标为目标原子坐标；按照预设存储格式将目标原子坐标写入预设文件中，得到目标原子坐标集合；以及根据目标原子坐标集合搭建目标核壳结构。
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公开(公告)号：CN115440309A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210977928.X
申请日：2022-08-15
申请人： 盐城工学院 , 盐城青源林数字科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种化学键应力可视化方法，可以应用于化学信息学领域技术领域。该化学键应力可视化方法包括：获取与目标分子对应的输入文件，其中，输入文件包含与目标分子对应的坐标文件标识信息；根据坐标文件标识信息，从目标文件夹中读取坐标文件，其中，坐标文件包括目标分子中每个原子的原子坐标；根据原子坐标，确定每两个原子之间的原子间距，得到原子间距表，其中，原子间距用于表征两个原子之间的化学键应力；以及根据原子坐标和原子间距表中的原子间距，绘制与目标分子对应的分子模型，其中，分子模型中不同的化学键应力采用不同的颜色表示。本公开还提供了一种化学键应力可视化装置。
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公开(公告)号：CN113774361A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110905745.2
申请日：2021-08-06
申请人： 盐城工学院
摘要： 本发明公开了一种蒸发式PECVD镀膜装置，其中蒸发式PECVD镀膜装置包括：衬底、衬底加热单元、蒸发源、加热保温单元、气体进口单元、等离子体辉光区，其中，衬底，用于沉积镀膜样品；衬底加热单元，设置于衬底的底部，用于对衬底进行加热；蒸发源，设置于衬底一侧，蒸发源内部放置有金属盐，对金属盐进行热蒸发，生成金属盐气体；加热保温单元，设置于衬底上方，用于对金属盐气体进行加热并保温；气体进口单元，与加热保温单元相连通，用于通入反应气体及惰性气体；等离子体辉光区，形成于衬底和加热保温单元之间，用于产生等离子态的自由基团和活性原子。
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公开(公告)号：CN115084292B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210855553.X
申请日：2022-07-20
申请人： 盐城工学院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种CuGaSe2基太阳电池，包括：衬底；Mo背电极，形成在衬底上；CuGaSe2吸收层，形成在Mo背电极上，配置为响应于太阳光而产生光生载流子；Ga2Se3缓冲层，形成在CuGaSe2吸收层上；其中，Ga2Se3缓冲层的导带底的位置高于CuGaSe2吸收层的导带底的位置，以使Ga2Se3缓冲层与CuGaSe2吸收层异质结界面处形成spike结构；透明导电层，形成在Ga2Se3缓冲层上，配置为传导由CuGaSe2吸收层产生的光生载流子；前电极，形成在透明导电层上，配置为接收光生载流子；其中，Ga2Se3缓冲层配置为减小CuGaSe2吸收层和透明导电层之间的能带失调值和晶格失配度。本发明还公开了一种上述的CuGaSe2基太阳电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN115672360B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211154604.2
申请日：2022-09-21
申请人： 盐城工学院
IPC分类号： B01J27/138 , C01G33/00 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/38
摘要： 一种铋基氧卤化物光催化材料及其制备方法与应用，属于光催化材料制备工艺技术领域。通过熔盐法成功地制备了分子式为BaBi4TiNbO11X(X＝Cl、Br、I)的光催化材料，并且在可见光下都对罗丹明B具有一定的降解效果。制备方法包括将BaBiO2X和Bi3TiNbO9按标准化学计量比混合，加入熔盐研磨，以600‑750℃煅烧，反复清洗及烘干，得到BaBi4TiNbO11X。该制备方法工艺简单、易操作、无二次污染。该材料在可见光下有一定的降解污染物的能力，在污染物治理、光催化还原二氧化碳、光催化产氧等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115672360A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211154604.2
申请日：2022-09-21
申请人： 盐城工学院
IPC分类号： B01J27/138 , C01G33/00 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/38
摘要： 一种铋基氧卤化物光催化材料及其制备方法与应用，属于光催化材料制备工艺技术领域。通过熔盐法成功地制备了分子式为BaBi4TiNbO11X(X＝Cl、Br、I)的光催化材料，并且在可见光下都对罗丹明B具有一定的降解效果。制备方法包括将BaBiO2X和Bi3TiNbO9按标准化学计量比混合，加入熔盐研磨，以600‑750℃煅烧，反复清洗及烘干，得到BaBi4TiNbO11X。该制备方法工艺简单、易操作、无二次污染。该材料在可见光下有一定的降解污染物的能力，在污染物治理、光催化还原二氧化碳、光催化产氧等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118125804A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410094952.8
申请日：2024-01-23
申请人： 盐城工学院
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/447 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明提供了一种单相生物陶瓷材料及其制备方法和应用，属于生物陶瓷材料制备技术领域，其中单相生物陶瓷材料的制备方法包括：将无机钙盐、无机磷酸盐或无机硼酸盐按比例混合，得到混合物粉末；向混合物粉末中加入碱金属熔盐和水搅拌均匀，经干燥处理得到浆料固体；将浆料固体置于反应器中进行第一煅烧，得到陶瓷前体；对陶瓷前体进行清洗，以去除陶瓷前体中含有的碱金属熔盐，经烘干得到陶瓷粉体；将陶瓷粉体与粘结剂混合，经研磨、干压成型后，得到陶瓷胚体；将陶瓷胚体置于反应器中进行第二煅烧，得到陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN115084292A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210855553.X
申请日：2022-07-20
申请人： 盐城工学院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种CuGaSe2基太阳电池，包括：衬底；Mo背电极，形成在衬底上；CuGaSe2吸收层，形成在Mo背电极上，配置为响应于太阳光而产生光生载流子；Ga2Se3缓冲层，形成在CuGaSe2吸收层上；其中，Ga2Se3缓冲层的导带底的位置高于CuGaSe2吸收层的导带底的位置，以使Ga2Se3缓冲层与CuGaSe2吸收层异质结界面处形成spike结构；透明导电层，形成在Ga2Se3缓冲层上，配置为传导由CuGaSe2吸收层产生的光生载流子；前电极，形成在透明导电层上，配置为接收光生载流子；其中，Ga2Se3缓冲层配置为减小CuGaSe2吸收层和透明导电层之间的能带失调值和晶格失配度。本发明还公开了一种上述的CuGaSe2基太阳电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN113828294A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111271742.4
申请日：2021-10-29
申请人： 盐城工学院
摘要： 本发明涉及一种纳米TiO2/g‑C3N4光催化材料的制备方法，首先将钛酸四丁酯和尿素分别用无水乙醇溶解，得到钛酸四丁酯溶液和尿素溶液，接着将尿素溶液滴加到钛酸四丁酯溶液，得到混合液，往混合液中滴加去离子水和乙酸的混合溶液，直至形成溶胶；然后将溶胶陈化后烘干，将得到的固体粉末放入马弗炉中，升温至500‑600℃，保温烧结，最后随炉冷却至室温，研磨后，即得。该方法操作简单，原料易得，成本低廉，制得的光催化材料中，TiO2与g‑C3N4混合均匀，具有优异的光催化性能。
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公开(公告)号：CN113755821A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110906533.6
申请日：2021-08-06
申请人： 盐城工学院
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/50
摘要： 本发明提供了一种蒸发源结构及蒸发式PECVD设备，其中，该蒸发源结构包括：蒸发源底托，用于支撑蒸发源结构；蒸发部分，设置于蒸发源底托上，用于将镀膜材料蒸发成气态；裂解部分，设置于蒸发部分上，与蒸发部分相连通，用于将蒸发部分中蒸发成气态的大分子形态镀膜材料裂解成小分子或原子形态镀膜材料；差分输运部分，设置于裂解部分的侧面，用于输运载气，并利用载气选择性输运气态的镀膜材料。
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