CuGaSe2基太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN115084292A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210855553.X

    申请日:2022-07-20

    申请人: 盐城工学院

    摘要: 本发明公开了一种CuGaSe2基太阳电池,包括:衬底;Mo背电极,形成在衬底上;CuGaSe2吸收层,形成在Mo背电极上,配置为响应于太阳光而产生光生载流子;Ga2Se3缓冲层,形成在CuGaSe2吸收层上;其中,Ga2Se3缓冲层的导带底的位置高于CuGaSe2吸收层的导带底的位置,以使Ga2Se3缓冲层与CuGaSe2吸收层异质结界面处形成spike结构;透明导电层,形成在Ga2Se3缓冲层上,配置为传导由CuGaSe2吸收层产生的光生载流子;前电极,形成在透明导电层上,配置为接收光生载流子;其中,Ga2Se3缓冲层配置为减小CuGaSe2吸收层和透明导电层之间的能带失调值和晶格失配度。本发明还公开了一种上述的CuGaSe2基太阳电池的制备方法。

    CuGaSe2基太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN115084292B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202210855553.X

    申请日:2022-07-20

    申请人: 盐城工学院

    摘要: 本发明公开了一种CuGaSe2基太阳电池,包括:衬底;Mo背电极,形成在衬底上;CuGaSe2吸收层,形成在Mo背电极上,配置为响应于太阳光而产生光生载流子;Ga2Se3缓冲层,形成在CuGaSe2吸收层上;其中,Ga2Se3缓冲层的导带底的位置高于CuGaSe2吸收层的导带底的位置,以使Ga2Se3缓冲层与CuGaSe2吸收层异质结界面处形成spike结构;透明导电层,形成在Ga2Se3缓冲层上,配置为传导由CuGaSe2吸收层产生的光生载流子;前电极,形成在透明导电层上,配置为接收光生载流子;其中,Ga2Se3缓冲层配置为减小CuGaSe2吸收层和透明导电层之间的能带失调值和晶格失配度。本发明还公开了一种上述的CuGaSe2基太阳电池的制备方法。

    铋基氧卤化物光催化材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115672360B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202211154604.2

    申请日:2022-09-21

    申请人: 盐城工学院

    摘要: 一种铋基氧卤化物光催化材料及其制备方法与应用,属于光催化材料制备工艺技术领域。通过熔盐法成功地制备了分子式为BaBi4TiNbO11X(X=Cl、Br、I)的光催化材料,并且在可见光下都对罗丹明B具有一定的降解效果。制备方法包括将BaBiO2X和Bi3TiNbO9按标准化学计量比混合,加入熔盐研磨,以600‑750℃煅烧,反复清洗及烘干,得到BaBi4TiNbO11X。该制备方法工艺简单、易操作、无二次污染。该材料在可见光下有一定的降解污染物的能力,在污染物治理、光催化还原二氧化碳、光催化产氧等领域具有广阔的应用前景。

    铋基氧卤化物光催化材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115672360A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211154604.2

    申请日:2022-09-21

    申请人: 盐城工学院

    摘要: 一种铋基氧卤化物光催化材料及其制备方法与应用,属于光催化材料制备工艺技术领域。通过熔盐法成功地制备了分子式为BaBi4TiNbO11X(X=Cl、Br、I)的光催化材料,并且在可见光下都对罗丹明B具有一定的降解效果。制备方法包括将BaBiO2X和Bi3TiNbO9按标准化学计量比混合,加入熔盐研磨,以600‑750℃煅烧,反复清洗及烘干,得到BaBi4TiNbO11X。该制备方法工艺简单、易操作、无二次污染。该材料在可见光下有一定的降解污染物的能力,在污染物治理、光催化还原二氧化碳、光催化产氧等领域具有广阔的应用前景。