公开(公告)号：CN101681957A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880010085.4

申请日：2008-03-27

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 ,  飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

Inventor： J·埃普勒 ,  H·赵 ,  M·克拉梅斯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种用于通过提供实际上不增加正向电压降的光漫射层在不增大工作电压的情况下来提高LED的光提取效率的技术。在一个实施例中，AlInGaP LED包括底部n-型层(16)、活性层(18)、顶部p-型层(22)和位于顶部p-型层上的厚n-型GaP(24)层。然后，厚n-型GaP层经受电化学蚀刻处理，其使得n-型GaP层变成多孔的和光漫射的。通过提供穿过多孔层的由金属填充的小孔，形成到多孔n-GaP层下的p-GaP层的电接触，或者通过多孔区域之间的GaP层的非多孔区域形成电接触。LED芯片可以安装在基座上，其中多孔n-GaP层朝向基座表面。小孔和金属层反射并漫射光，其显著地增加了LED的光输出。还描述了LED结构的其它实施例。

公开(公告)号：CN101681957B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880010085.4

申请日：2008-03-27

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 ,  飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

Inventor： J·埃普勒 ,  H·赵 ,  M·克拉梅斯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种用于通过提供实际上不增加正向电压降的光漫射层在不增大工作电压的情况下来提高LED的光提取效率的技术。在一个实施例中，AlInGaP LED包括底部n-型层(16)、活性层(18)、顶部p-型层(22)和位于顶部p-型层上的厚n-型GaP(24)层。然后，厚n-型GaP层经受电化学蚀刻处理，其使得n-型GaP层变成多孔的和光漫射的。通过提供穿过多孔层的由金属填充的小孔，形成到多孔n-GaP层下的p-GaP层的电接触，或者通过多孔区域之间的GaP层的非多孔区域形成电接触。LED芯片可以安装在基座上，其中多孔n-GaP层朝向基座表面。小孔和金属层反射并漫射光，其显著地增加了LED的光输出。还描述了LED结构的其它实施例。

公开(公告)号：CN101569021A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047857.7

申请日：2007-12-18

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： R·米勒-马克 ,  G·O·米勒 ,  M·克拉梅斯 ,  P·J·施米特 ,  H·-H·贝克特尔

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/501 ,  C04B35/44 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/77 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  Y10S250/909 ,  H01L2924/00

Abstract: 陶瓷体设置在光源所发光的路径中。光源可以包括半导体结构，其包括设置在n型区和p型区之间的发光区。陶瓷体包括多个第一颗粒，其配置成吸收光源发射的光并发射不同波长的光，以及多个第二颗粒。例如，第一颗粒可以是发光材料的颗粒，以及第二颗粒可以是发光材料主基质的颗粒，而无激活掺杂物。