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公开(公告)号：CN101681957B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880010085.4
申请日：2008-03-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种用于通过提供实际上不增加正向电压降的光漫射层在不增大工作电压的情况下来提高LED的光提取效率的技术。在一个实施例中，AlInGaP LED包括底部n-型层(16)、活性层(18)、顶部p-型层(22)和位于顶部p-型层上的厚n-型GaP(24)层。然后，厚n-型GaP层经受电化学蚀刻处理，其使得n-型GaP层变成多孔的和光漫射的。通过提供穿过多孔层的由金属填充的小孔，形成到多孔n-GaP层下的p-GaP层的电接触，或者通过多孔区域之间的GaP层的非多孔区域形成电接触。LED芯片可以安装在基座上，其中多孔n-GaP层朝向基座表面。小孔和金属层反射并漫射光，其显著地增加了LED的光输出。还描述了LED结构的其它实施例。
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公开(公告)号：CN101681957A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880010085.4
申请日：2008-03-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种用于通过提供实际上不增加正向电压降的光漫射层在不增大工作电压的情况下来提高LED的光提取效率的技术。在一个实施例中，AlInGaP LED包括底部n-型层(16)、活性层(18)、顶部p-型层(22)和位于顶部p-型层上的厚n-型GaP(24)层。然后，厚n-型GaP层经受电化学蚀刻处理，其使得n-型GaP层变成多孔的和光漫射的。通过提供穿过多孔层的由金属填充的小孔，形成到多孔n-GaP层下的p-GaP层的电接触，或者通过多孔区域之间的GaP层的非多孔区域形成电接触。LED芯片可以安装在基座上，其中多孔n-GaP层朝向基座表面。小孔和金属层反射并漫射光，其显著地增加了LED的光输出。还描述了LED结构的其它实施例。
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公开(公告)号：CN101743646B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880020139.5
申请日：2008-06-13
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
Abstract: 描述了用于照相机的非常薄的闪光灯模块，其对于被照明对象不呈现为点光源。因此，闪光灯对于对象而言是适合的。在一个实施例中，发光表面区域约5mm×10mm。光学耦合到固体光导的薄外形侧面发射LED使得闪光灯模块能够比2mm薄。闪光灯模块也可以连续通电用于视频记录。模块对于移动电话照相机和其它薄的照相机是特别有用的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101743646A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880020139.5
申请日：2008-06-13
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
Abstract: 描述了用于照相机的非常薄的闪光灯模块，其对于被照明对象不呈现为点光源。因此，闪光灯对于对象而言是适合的。在一个实施例中，发光表面区域约5mm×10mm。光学耦合到固体光导的薄外形侧面发射LED使得闪光灯模块能够比2mm薄。闪光灯模块也可以连续通电用于视频记录。模块对于移动电话照相机和其它薄的照相机是特别有用的。
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公开(公告)号：CN101273472B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200680035850.9
申请日：2006-09-25
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
CPC classification number: H01L21/76256 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 提供了包含主体衬底和粘结在该主体衬底上的晶种层的衬底，然后在晶种层上生长包含布置在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构。在一些实施方案中，粘结层将主体衬底粘结到晶种层。该晶种层可以比半导体结构中发生松驰应变的临界厚度更薄，从而通过在晶种层中形成的位错或者通过在晶种层和粘结层之间的这两层之间界面处的滑移释放半导体结构中的应变。在一些实施方案中，通过蚀刻除去粘结层可以使主体衬底与半导体结构和晶种层分离。
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公开(公告)号：CN101164209A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680008336.6
申请日：2006-03-10
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/02208 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/00
Abstract: 一种器件结构，包括设置在p型区(54、58)和n型区(56)之间的III族氮化物纤锌矿半导体发光区(53)。键合的界面(50)设置在两个表面之间，其中的一个表面是所说器件结构的表面。键合的界面便于在发光区中纤锌矿c轴的取向，该取向限制发光区中的载流子，有可能增加在高电流密度情况下的效率。
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公开(公告)号：CN101164209B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200680008336.6
申请日：2006-03-10
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/02208 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/00
Abstract: 一种器件结构，包括设置在p型区(54、58)和n型区(56)之间的III族氮化物纤锌矿半导体发光区(53)。键合的界面(50)设置在两个表面之间，其中的一个表面是所说器件结构的表面。键合的界面便于在发光区中纤锌矿c轴的取向，该取向限制发光区中的载流子，有可能增加在高电流密度情况下的效率。
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公开(公告)号：CN101273472A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035850.9
申请日：2006-09-25
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
CPC classification number: H01L21/76256 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 提供了包含主体衬底和粘结在该主体衬底上的晶种层的衬底，然后在晶种层上生长包含布置在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构。在一些实施方案中，粘结层将主体衬底粘结到晶种层。该晶种层可以比半导体结构中发生松驰应变的临界厚度更薄，从而通过在晶种层中形成的位错或者通过在晶种层和粘结层之间的这两层之间界面处的滑移释放半导体结构中的应变。在一些实施方案中，通过蚀刻除去粘结层可以使主体衬底与半导体结构和晶种层分离。
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