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公开(公告)号：CN1969403B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200580020070.2
申请日：2005-06-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： S·塞塔耶什 , J·W·霍夫斯特拉特
CPC classification number: H01L51/0047 , B82Y10/00 , H01L51/0026 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 一种包括异质结的电子器件，其中该异质结包括共混物，该共混物包括电子施主和电子受主；且其中该共混物经过处理，从而在经处理的共混物中，在电子施主和/或电子受主之间形成一个或更多链接。示出了黑暗中(实心圆)和光照下(空心圆)，具有Ca/Al阴极的MDMO-PPV/四官能亚甲基-富勒烯光伏器件的电流-电压(I-V)特性。
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公开(公告)号：CN101223439B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200680026116.6
申请日：2006-07-06
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01N27/414 , G01N33/497 , G01N33/00
CPC classification number: G01N27/4143 , G01N33/497
Abstract: 一种气体分析仪(12)包括晶体管(1)，所述晶体管在其栅极(2)和其基于有机半导体(6)的导电沟道之间具有腔(7)。在工作时，来自被引入所述腔(7)的气体样本的成分可以被吸收到所述有机半导体(6)的暴露的吸收敏感的表面部分上。检测器(13)检测由吸收在所述暴露表面部分上的成分导致的晶体管阈值电压的变化。响应于对该变化检测，检测器生成表示所述样本中的所述成分的浓度的测量信号。
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公开(公告)号：CN1777940A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010710.7
申请日：2004-04-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G11B20/00086 , G11B19/122 , G11B20/0021 , G11B20/00282 , G11B23/281 , G11B2020/1288 , G11B2220/2541 , G11B2220/2591
Abstract: 本发明涉及数据载体，其包含信息层(1)，所述信息层自身包含在光源照射时能发出第一光信号和第二光信号的特殊区域(4)。所述数据载体还包含附加层(2)，所述附加层在用第二光信号照射时会发出电信号，所述电信号和预定图案相对应。第一光信号和电信号的组合形成了对所述信息层中所含加密的数据进行解密所需的密钥。本发明尤其涉及读取在只读型光盘上存储的数据。
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公开(公告)号：CN101223439A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680026116.6
申请日：2006-07-06
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01N27/414 , G01N33/497 , G01N33/00
CPC classification number: G01N27/4143 , G01N33/497
Abstract: 一种流体分析仪(12)包括晶体管(1)，所述晶体管在其栅极(2)和其基于有机半导体(6)的导电沟道之间具有腔(7)。在工作时，来自被引入所述腔(7)的流体样本的成分可以被吸收到所述有机半导体(6)的暴露的吸收敏感的表面部分上。检测器(13)检测由吸收在所述暴露表面部分上的成分导致的晶体管阈值电压的变化。响应于对该变化检测，检测器生成表示所述样本中的所述成分的浓度的测量信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101120457A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680005156.2
申请日：2006-02-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/126 , H01L51/0076 , H01L51/0541
Abstract: 电子器件，其在衬底上包含单畴结构的有机半导体材料。所述半导体材料优选是晶体管的一部分，其中所述单畴在沟道上延伸，即从源极延伸到漏极。所述材料包含具有间隔基和端基的介晶单元。所述端基优选是反应性的，即二烯、丙烯酸酯、氧杂环丁烷等。介晶单元包含中央的寡聚噻吩基团、刚性间隔基，特别是乙炔基，以及附加基团，例如噻吩基或苯基。
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公开(公告)号：CN1969403A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580020070.2
申请日：2005-06-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： S·塞塔耶什 , J·W·霍夫斯特拉特
CPC classification number: H01L51/0047 , B82Y10/00 , H01L51/0026 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 一种包括异质结的电子器件，其中该异质结包括共混物，该共混物包括电子施主和电子受主；且其中该共混物经过处理，从而在经处理的共混物中，在电子施主和/或电子受主之间形成一个或更多链接。示出了黑暗中(实心圆)和光照下(空心圆)，具有Ca/Al阴极的MDMO－PPV/四官能亚甲基－富勒烯光伏器件的电流－电压(I－V)特性。
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公开(公告)号：CN101120457B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200680005156.2
申请日：2006-02-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/126 , H01L51/0076 , H01L51/0541
Abstract: 电子器件，其在衬底上包含单畴结构的有机半导体材料。所述半导体材料优选是晶体管的一部分，其中所述单畴在沟道上延伸，即从源极延伸到漏极。所述材料包含具有间隔基和端基的介晶单元。所述端基优选是反应性的，即二烯、丙烯酸酯、氧杂环丁烷等。介晶单元包含中央的寡聚噻吩基团、刚性间隔基，特别是乙炔基，以及附加基团，例如噻吩基或苯基。
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公开(公告)号：CN101454659A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019951.1
申请日：2007-05-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L51/05
CPC classification number: G01N27/414 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管，其包括：栅电极层，第一电介质层，源电极，漏电极，有机半导体和第二电介质层，其中第一电介质层位于栅电极层上，源电极，漏电极和有机半导体位于第一电介质层上，源电极和漏电极与有机半导体接触，其中第二电介质层放置于源电极、漏电极和有机半导体的组件上，且其中，在场效应晶体管工作期间，包括栅电极层和第一电介质层的组件的电容低于第二电介质层的电容。本发明还涉及一种包括这种场效应晶体管的传感器系统以及将根据本发明的传感器系统用于检测分子。
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公开(公告)号：CN1890822A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036821.5
申请日：2004-12-06
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L51/44 , G03F7/027 , G03F7/36 , H01L51/0002 , H01L51/0012 , H01L51/0026 , H01L51/42 , H01L51/5262 , H01L51/56 , H01L2251/105 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及用于光压花含单体层以通过如下步骤获得光电池、发光二极管(LED)或发光电化学电池(LEC)的方法：(a)任选地在含单体层的表面上提供一层或多层；(b)经掩模辐照由至少两种不同化合物的均匀掺合物构成的层，所述至少两种不同化合物的至少一种是可聚合的单体，从而获得具有经曝光和未经曝光区域的含单体层；(c)任选地在该含单体层表面上提供其他层；(d)通过使至少一种单体扩散到经曝光的区域扩大经曝光的或未经曝光的区域，以获得该层的起皱表面；或者交换步骤c)和d)。
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