公开(公告)号：CN101120457A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005156.2

申请日：2006-02-15

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·J·J·M·范布雷曼 ,  P·T·赫维希 ,  J·斯维森 ,  C·H·T·什洛 ,  H·F·M·斯霍 ,  D·德里兀 ,  S·塞塔耶什 ,  W·M·哈德曼

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0076 ,  H01L51/0541

Abstract: 电子器件，其在衬底上包含单畴结构的有机半导体材料。所述半导体材料优选是晶体管的一部分，其中所述单畴在沟道上延伸，即从源极延伸到漏极。所述材料包含具有间隔基和端基的介晶单元。所述端基优选是反应性的，即二烯、丙烯酸酯、氧杂环丁烷等。介晶单元包含中央的寡聚噻吩基团、刚性间隔基，特别是乙炔基，以及附加基团，例如噻吩基或苯基。

公开(公告)号：CN101120457B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200680005156.2

申请日：2006-02-15

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·J·J·M·范布雷曼 ,  P·T·赫维希 ,  J·斯维森 ,  C·H·T·什洛 ,  H·F·M·斯霍 ,  D·德里兀 ,  S·塞塔耶什 ,  W·M·哈德曼

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0076 ,  H01L51/0541

Abstract: 电子器件，其在衬底上包含单畴结构的有机半导体材料。所述半导体材料优选是晶体管的一部分，其中所述单畴在沟道上延伸，即从源极延伸到漏极。所述材料包含具有间隔基和端基的介晶单元。所述端基优选是反应性的，即二烯、丙烯酸酯、氧杂环丁烷等。介晶单元包含中央的寡聚噻吩基团、刚性间隔基，特别是乙炔基，以及附加基团，例如噻吩基或苯基。