改进的蚀刻方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1977376A

    公开(公告)日:2007-06-06

    申请号:CN200580018116.7

    申请日:2005-05-27

    Abstract: 公开一种蚀刻结构的改进方法以及由该方法蚀刻的结构。结构的实例为IC封装的引线框的底侧,有利地可以通过所公开的方法对其进行蚀刻。该方法包括给要被蚀刻的衬底设置蚀刻掩模的步骤。该蚀刻掩模包括至少两个子掩模:覆盖在蚀刻工艺之后基本上保留下来的区域的第一子掩模,以及覆盖在蚀刻工艺中要被除去的区域的第二子掩模。第二子掩模为格栅形式的牺牲掩模。第二子掩模的存在增大了其所覆盖的区域的蚀刻速度。

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