有源矩阵电致发光显示装置及其制造

    公开(公告)号:CN1293631C

    公开(公告)日:2007-01-03

    申请号:CN03806344.1

    申请日:2003-03-19

    CPC classification number: H01L27/3276 H01L27/3246

    Abstract: 物理阻隔(210)存在于主动矩阵电致发光显示装置,特别是具有有机半导体材料LED(25)的主动矩阵电致发光显示装置的电路基板(100)上的相邻象素(200)之间。本发明形成这些具有金属或其它导电材料(240)的阻隔(210),其与LED绝缘但是与基板(100)内的电路连接。所述导电阻隔材料(240)备份或替换驱动电源线(140,240)的至少一部分,LED由驱动元件T1连接到该处。这将严重受到制约的来自电路基板(100)内的线电阻和相关电压降的问题,转移到对于基板(100)上的像素阻隔(210)的更自由的环境,其中导电阻隔材料(240)能够提供更低的电阻。非常大的显示器能够具有沿着这些组合的驱动电源线(140,240)的低电压降。而且,能够优化该结构,以便在具有其导电阻隔材料(240)的所述驱动电源线(140,240)和在导电阻隔材料(240)顶部上方绝缘涂层(40)上延伸的LED上部电极的另外电源线(230)之间形成平滑电容器(Cs)。

    包括薄膜电路元件的电子器件的制造

    公开(公告)号:CN1678952A

    公开(公告)日:2005-10-05

    申请号:CN03819988.2

    申请日:2003-08-06

    Inventor: N·D·杨

    CPC classification number: H01L27/1214 H01L27/3269 H01L2227/323

    Abstract: 在诸如有源矩阵显示器的电子器件的制造中,将垂直非晶PIN光电二极管或类似的薄膜二极管(D)有利地与多晶硅TFT(TFT1、TFT2)以如此方式集成,以便于允许各个TFT和二极管特性的最优化程度,同时与显示器的复杂像素环境相兼容。在沉积二极管的有源半导体膜(40)之前,执行使TFT的有源半导体膜(10)比二极管的有源半导体膜(40)更多结晶、且用于形成TFT的源极和漏极掺杂区(s1、s2、d1、d2)的高温工艺。其后,通过蚀刻来限定二极管的横向宽度,同时用蚀刻停止膜(30)保护互连膜(20),其可以提供二极管的掺杂底部电极区(41)以及TFT的其中一个掺杂区(s2、g1)。

    具有用于调节串扰的电极的电致变色显示板

    公开(公告)号:CN1662847A

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN03814676.2

    申请日:2003-06-12

    CPC classification number: G02F1/155 G02F1/1523

    Abstract: 显示板(1)具有多个图像元(2),每个图像元(2)具有各自的相邻图像元(2’)。图像元(2)具有第一电极(3)和第二电极(4),用于在该第一和第二电极(3,4)之间施加电势差,还具有电致变色材料(5),该材料设置在第一和第二电极(3,4)之间。由所述电势差感应的包含在电致变色材料(5)中的电荷决定了图像元(2)的颜色。通过改变电荷可以改变颜色。串扰,即寻址图像元(2)时相邻图像元(2’)的着色,可以通过第三电极(6)来调节,该第三电极(6)调节被寻址的图像元(2)与它们各自的相邻图像元(2’)之间的电流。

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