公开(公告)号：CN1659615A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813709.7

申请日：2003-06-04

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·J·范德扎亚格 ,  M·J·埃德瓦德斯 ,  K·-M·H·伦斯森

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G11C11/02

CPC classification number: G11C11/15 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0857 ,  G09G2310/0262 ,  G11C14/0081

Abstract: 磁阻随机存取存储器(MRAM)用来为显示设备提供像素内存储电路。存储电路(25)包括存储元件和读出电路，该存储元件用于存储驱动设置，该读出电路例如触发电路(64)，用于读出存储的驱动设置。存储元件包括两个MRAM(60，62)，每个都连接到触发电路(64)的各自输入。驱动电路(26)连接到读出电路和像素显示电极(27)，用于根据读出驱动设置，用不经过MRAM(60，62)的驱动电流来驱动像素显示电极(27)。提供显示设备(1)，包括多个像素(20)，每个像素都与一个这样的存储电路(25)和驱动电路(26)相关。

公开(公告)号：CN1656602A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03811497.6

申请日：2003-05-15

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P·J·范德扎亚格 ,  S·Y·勇 ,  N·D·杨

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6675 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/78672

Abstract: 一种用于有源矩阵显示器件(16)的有源板(2)，该有源板(2)包括衬底(4)，像素区域(6)和相邻的驱动电路区域(8)。两个区域都包括使用金属来增强结晶过程(MIC多晶硅)的方法制作的多晶硅材料，但是只有驱动电路区域(8)中的MIC多晶硅经历使用能量束(10)的照射过程。TFT使用MIC多晶硅来制作，其在截止状态下的漏电流足够低，可满足在矩阵显示器件的像素区域中作为开关元件。由于只有驱动电路区域(8)需要被照射，以提供具有所需要迁移率的多晶硅，所以可以显著降低照射所需要的时间。