公开(公告)号：CN1823422A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020074.6

申请日：2004-07-07

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： R·J·E·休廷 ,  E·A·希泽恩 ,  M·A·A·恩特赞特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238

Abstract: 沟槽栅半导体器件(100)具有包围多个闭合晶体管单元(TCS)的沟槽网络(STR1、ITR1)。该沟槽网络包括邻近于晶体管单元(TCS)的各侧的分段沟槽区(STR1)和邻近于晶体管单元的角的交叉沟槽区(ITR1)。如图16所示，其是沿图11的线II－II的截面图，交叉沟槽区(ITR1)每一个包括绝缘材料(21D)，其从具有比分段沟槽区(STR1)的底部处的绝缘材料(21B1)的厚度大的厚度的交叉沟槽区的底部延伸。从交叉沟槽区(ITR1)的底部延伸的较大厚度的绝缘材料(21D)对于增加器件(100)的漏源反向击穿电压是有效的。从每一个交叉沟槽区(ITR1)的底部延伸的绝缘材料(21D)可以向上延伸，以加厚在沟道调节本体区(23)的垂直范围的至少一部分上方的单元(TCS)的这些角处的绝缘材料，以便增加器件的阈值电压。

公开(公告)号：CN1726585A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380105867.3

申请日：2003-12-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： E·A·希泽恩 ,  R·J·E·休廷格 ,  M·A·A·恩特赞特

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518

Abstract: 一种沟槽MOSFET的制造方法，包括：在沟槽的侧壁28上形成氮化物衬里50，和在沟槽底部形成掺杂的多晶硅插塞26。然后将多晶硅插塞26氧化，以在沟槽的底部形成厚的氧化物插塞30，同时氮化物衬里50保护侧壁不被氧化。这在沟槽的底部形成厚的氧化物插塞，由此减小了栅极和漏极之间的电容。

公开(公告)号：CN1726597A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380106077.7

申请日：2003-12-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·施米茨 ,  R·J·E·休廷格 ,  E·A·希泽恩 ,  A·H·蒙特里 ,  M·A·A·恩特赞特 ,  G·E·J·库普斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 通过提供穿过源层(8)和沟道层(6)向漏层(2)延伸的沟槽(26)，制作了垂直绝缘栅晶体管。采用隔离刻蚀以形成沿沟槽侧壁的栅部分(20)，在侧壁栅部分(20)之间的沟槽内填充电介质材料(30)，并且在沟槽顶部形成栅电连接层(30)以横跨沟槽来电连接栅部分(20)。