公开(公告)号：CN1568548A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN02819994.4

申请日：2002-10-10

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·F·A·范德瓦尔勒 ,  A·H·蒙特里

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/18 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384

Abstract: 电子器件包括薄膜晶体管(10)并且可以由两个基板(1，11)得到。为了避免在金属图形(24，29)和有机层(4)之间的未粘接界面处分层，金属图形(24，29)包括开口(30)。通过这些开口(30)，可以实现有机层(4，5)和基板(11)之一的表面(111)处的有机材料之间的粘接。借助微接触印刷可以制造电子器件。

公开(公告)号：CN100367516C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN02819994.4

申请日：2002-10-10

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·F·A·范德瓦尔勒 ,  A·H·蒙特里

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/18 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384

Abstract: 电子器件包括薄膜晶体管(10)并且可以由两个基板(1，11)得到。为了避免在金属图形(24，29)和有机层(4)之间的未粘接界面处分层，金属图形(24，29)包括开口(30)。通过这些开口(30)，可以实现有机层(4，5)和基板(11)之一的表面(111)处的有机材料之间的粘接。借助微接触印刷可以制造电子器件。

公开(公告)号：CN1726597A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380106077.7

申请日：2003-12-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·施米茨 ,  R·J·E·休廷格 ,  E·A·希泽恩 ,  A·H·蒙特里 ,  M·A·A·恩特赞特 ,  G·E·J·库普斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 通过提供穿过源层(8)和沟道层(6)向漏层(2)延伸的沟槽(26)，制作了垂直绝缘栅晶体管。采用隔离刻蚀以形成沿沟槽侧壁的栅部分(20)，在侧壁栅部分(20)之间的沟槽内填充电介质材料(30)，并且在沟槽顶部形成栅电连接层(30)以横跨沟槽来电连接栅部分(20)。