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公开(公告)号:CN1659697A
公开(公告)日:2005-08-24
申请号:CN03812915.9
申请日:2003-06-02
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , H01L21/762 , H01L29/735
CPC classification number: H01L29/66265 , H01L21/76264 , H01L29/7317
Abstract: 为改进半导体器件(100),特别是SOI器件,应包括:至少一个由电介质材料做的绝缘层(10);至少一个安置在该绝缘层(10)上的硅衬底(20);至少一个集成在该硅衬底(20)内的元件(30),此元件至少有一个轻微掺杂区(34);以及至少一个第一、特别是平面的金属化区(40),它安置在绝缘层(10)和元件(30)之间,特别是在绝缘层(10)和元件(30)的轻微掺杂区(34)之间;本发明提供制造至少一个半导体器件(100)的方法,它能保证轻微掺杂元件(30),如pnp晶体管,在SOI工艺转移到绝缘体后无故障地运行;建议在元件(30)的区域、特别是元件轻微掺杂区(34),背离绝缘层(10)的硅衬底(20)那面安排至少一个第二、特别是平面的金属化区(42)。
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公开(公告)号:CN101309854A
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200680042954.2
申请日:2006-11-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00293 , B81C2203/0145 , H01L2224/13
Abstract: 器件(100)包括在腔体(30)中的MEMS元件(60),该腔体(30)由基板(10)的第二侧面(2)上的包装部分(17)闭合。接触衬垫(25)限定在柔性树脂层(13)上,柔性树脂层(13)在基板的相对的第一侧面(1)上。电气连接(32)通过树脂层(13)延伸到器件(100)的至少一个元件。通过临时载体(42)的使用和蚀刻孔(18)从基板(10)的第二侧面(2)的适当地制成打开器件(100)。
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