半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1659697A

    公开(公告)日:2005-08-24

    申请号:CN03812915.9

    申请日:2003-06-02

    CPC classification number: H01L29/66265 H01L21/76264 H01L29/7317

    Abstract: 为改进半导体器件(100),特别是SOI器件,应包括:至少一个由电介质材料做的绝缘层(10);至少一个安置在该绝缘层(10)上的硅衬底(20);至少一个集成在该硅衬底(20)内的元件(30),此元件至少有一个轻微掺杂区(34);以及至少一个第一、特别是平面的金属化区(40),它安置在绝缘层(10)和元件(30)之间,特别是在绝缘层(10)和元件(30)的轻微掺杂区(34)之间;本发明提供制造至少一个半导体器件(100)的方法,它能保证轻微掺杂元件(30),如pnp晶体管,在SOI工艺转移到绝缘体后无故障地运行;建议在元件(30)的区域、特别是元件轻微掺杂区(34),背离绝缘层(10)的硅衬底(20)那面安排至少一个第二、特别是平面的金属化区(42)。

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