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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116791193A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310685827.X
申请日：2023-06-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C30B23/02 , C30B29/48 , G01N21/21 , G01B11/06 , G01B11/30 , G01N21/3563 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种用于MBE的智能生长系统及其使用方法，用于实时检测外延材料的生长情况并进行分析，同时自动调整外延材料的生长参数，进而提高外延材料的生长质量及可重复性。该系统由原位检测系统、数据分析系统、自动控制系统及其他组件构成。原位检测系统通过椭偏仪、RHEED、红外测温仪等仪器对外延材料生长情况的进行实时检测，同时对数据进行采集并传输到数据分析系统中对数据进行人工智能处理分析，并将分析结果反馈至自动控制系统对生长参数进行实时调整。本系统实现了实时监测和自动控制MBE外延生长，解决了人工监测和控制的主观性问题，优化了MBE外延生长的流程。
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公开(公告)号：CN116482049A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310459512.3
申请日：2023-04-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01N21/3563 , G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种原位监测MBE生长碲镉汞材料组分和厚度的装置及方法。该装置由原位傅里叶红外光谱检测系统、样品托、衬底加热器及其他装置构成，其中样品托从中心到边缘由疏到密分布有一列光路通孔，且具有相应的补偿部件以消除通孔对导热系数的影响。该装置通过将傅里叶红外光谱检测系统原位地集成于MBE生长设备，以及样品托独特的结构设计，实现了MBE生长碲镉汞材料组分和厚度实时、原位、多点位的检测，最终提高了碲镉汞材料的质量。
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公开(公告)号：CN115832077A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211251675.4
申请日：2022-10-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高Hg沉积效率的衬底表面微结构及其制备方法，用于解决MBE生长碲镉汞成核阶段Hg粘附系数低及束流强度不均匀的问题，进而提高外延生长碲镉汞材料的质量。该结构为一种特定分布的同心纳米圆环槽结构，各同心圆环槽之间的间距不同，主要是根据衬底表面的束流强度分布决定。该衬底表面微结构制备主要步骤包括衬底表面处理、光刻、干法刻蚀，最终得到一种同心纳米圆环槽式的衬底表面微结构。
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公开(公告)号：CN116660156A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310574161.0
申请日：2023-05-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供一种光电测量p型GaN宽温谱电子扩散长度的方法及装置，方法如下：将p型GaN材料进行表面处理，在某一温度T0下利用光电法测量其量子效率，并拟合得到该温度下的L0，逐一测试不同温度下的量子效率，最终实现宽温谱电子扩散长度的测量。所述装置由表面处理系统、表面测试系统、拟合计算系统组成，与现有的方法相比，该方法测量电子扩散长度响应迅速，装置简单，稳定性好，可以根据实际需求，达到应用所需的精确度，且可以测量不同温度下的电子扩散长度。
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公开(公告)号：CN115652415A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211238549.5
申请日：2022-10-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 在分子束外延技术的薄膜生长过程中，分子到达率是影响生长速率和质量的重要因素之一。同样条件下，分子到达率越高，薄膜生长率越高。本发明公开了一种提高分子束外延系统薄膜生长率的方法及装置，其特征在于，通过实时准确地增大束流流速和减小束流分散角，来调节分子到达率，从而实现薄膜生长率的提高；同时可以精确调控多元素薄膜不同元素的束流来达到理想的化学计量比。本方法及装置具有操作简单、普适性强、高效可控等优点。
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