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公开(公告)号：CN112013866A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010893050.2
申请日：2020-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01C21/34
Abstract: 本发明提供了一种基于智能导览系统的路径规划方法，采用了基于A*算法和人工势场的混合增强方法。所示的方法包括以下步骤：开始，建立所述区域的二维坐标图，确定起始点A和终止点B，并划分两条路径分别为A到B和B到A；采用A*算法分别对两条路径开始搜索；当在搜索过程中达到距离障碍物最小距离时，另行确定起始点和终止点采用人工势场法进行搜索；远离障碍物时从新计算新的起始点An和终止点B采用A*算法进行搜索；当两端的A*算法达到一个临界值的时候，从新定义起始点An和终止点Bm进行A*算法搜索，得到最终路径。本发明通过变更起始点和终止点使得计算过程中起始点和终止点距离不断缩小，从而得到参数一直保持在一个最新的状态，达到灵活和准确的目的。
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公开(公告)号：CN111951908A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010893057.4
申请日：2020-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性材料在受外载荷作用时的应变-位移关系构建方法，用于运用柔性材料制造的产品在进行应变-位移测量时对系统误差进行修正。该方法基于基础的测量数据，选用一种神经网络拟合方法，对测量应变、测量位移进行单一拟合，进而再对拟合出来数据进行交叉拟合，最终得到修正应变-修正位移关系。本发明用于对不确定性的系统误差进行修正，解决了由于测量工具系统误差特性造成的测量误差对后续产品分析与优化产生影响的问题。
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公开(公告)号：CN115544825A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211069748.8
申请日：2022-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种机载阵列天线变形重构的方法及系统，该系统包括：应变‑图像数据集生成子系统，其功能在于生成载荷数据集，通过有限元算法，将载荷数据转化成应变‑位移数据和位移场云图数据集；图像数据编码子系统，其功能在于构建第一层神经网络，将输入变量降维处理，得到应变到中间变量的映射关系；数据集预测模型子系统，其功能在于预测第二级神经网络需要的数据集数量，并在此基础上构建第二层神经网络；变形重构精度验证子系统，其功能在于，基于精度需求通过近似贝叶斯算法验证精度的可接受性，并确定二层神经网络停止迭代训练的条件。
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公开(公告)号：CN106044702A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610278390.8
申请日：2016-04-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: B81C1/00373 , B81C1/00103 , H01Q1/38
Abstract: 本发明提供一种用于加工高阻硅基底贴片天线的刻蚀与表面增材复合加工装置。其结构关系是，光刻机与表面增材加工机构固定在工作平台上，两者定位中心均在硅片台中心位置；工作台上的硅片台及控制系统结构集成于一体；表面增材加工机构的支架固定在硅片台及主体机架上，支架杆上有导轨滑块机构；表面增材加工机构喷头连接杆处有球铰链，配合导轨滑块机构改变中心喷头的X、Y和Z位置进行加工，也可使中心喷头避开光束，不影响光刻机工作。本发明以高阻硅基底微带天线为应用对象，集光刻、刻蚀和表面增材工艺于一体，提高制造效率；刻蚀和表面增材过程定位中心均在硅片台中心位置，保证定位精度，对体微加工和表面增材料复合加工有特别效用。
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公开(公告)号：CN103698332A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310742295.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的阵列式文物保护裂纹监测系统。该系统主要由阵列式微位移监测设备、远程计算机、待保护文物调查数据库、计算机辅助文物图像对比和待保护文物健康评估系统组成。监测时，建立待保护文物调查数据库，获得高清晰数字化图像，标记文物裂纹区域；根据待保护文物的形状、大小和监测区域要求，配置阵列式微位移设备；检测到的待保护文物当前区域裂纹信息经无线方式传送到远程计算机中，和已建立的待保护文物的高清晰数字化图像信息比较，确定当前裂纹；进行裂纹时序对比，确定裂纹发展规律，评估待保护文物健康状况。本发明具有布置方便、非接触、无损、实时监测等特点，能够多区域实时监测待保护文物的微细裂纹状况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108133092A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711334197.2
申请日：2017-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SysML驱动焊缝热影响区疲劳裂纹评估分析方法，用于焊接时焊缝热影响区疲劳裂纹集成建模和自动分析评估。该方法包括基于SysML的焊缝本体建模、基于SysMl的焊缝热影响区建模与分析、基于SysML的焊缝热影响区裂纹评估；焊缝使用本体论建模、焊缝本体参数以SysML参数图描述、以SysML状态机图和序列图描述焊接焊缝、焊缝热影响区、焊缝热影响区裂纹的焊接过程行为。该方法完整描述了焊接过程行为，实现了从系统的角度对焊缝热影响区疲劳裂纹评估，具有缩短评估时间、规范高效可重用的优点。
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公开(公告)号：CN108121860A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711315323.X
申请日：2017-12-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于多源信息融合的生物制曲过程CPS建模方法，包括多源信息融合下的关键制曲因子信息获取、基于深度学习的制曲过程CPS建模、输出优化的制曲决策结果。首先获取并融合多源生物制曲因子，构建制曲影响因子决策框架；因子缩减，获得关键制曲因子信息；其次记录制曲前资源数据；采集生物状态数据、制曲资源数据和制曲工作任务数据并建立这三者的映射关系，以该映射关系作为制曲过程的物理信息融合系统模型，实现对制曲过程的CPS建模。本发明的方法避免了从复杂传感信息和物理设备直接建模的难题，通过控制制曲资源数据、制定制曲工作任务数据，观察生物制曲过程中的生物状态数据，实现了多源信息融合的生物制曲工艺状态的建模。
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公开(公告)号：CN106777727A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611216059.X
申请日：2016-12-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种可穿戴电子设备系统多学科设计优化的方法，用于可穿戴电子设备的概念方案设计和技术设计阶段。该方法包括柔性电子材料试验获得材料力学本构和电性能关系，在此基础上完成可穿戴电子设备系统多学科建模和优化设计。基于系统分解和试验设计进行可穿戴电子设备的电磁兼容、能耗和耐久寿命等学科的仿真分析和优化，建立起可信的可穿戴设备响应面模型。基于多学科耦合协同优化思想，构建可穿戴电子设备系统多学科目标优化模型，进行模型特性分析，综合考虑分配权重影响和Pareto寻优的结果，获得综合满意解。本发明解决了可穿戴电子设备结构小型化、轻量化、能耗、舒适性、电磁兼容性和安全性等性能的多目标多学科设计优化问题，用于指导并有效实现可穿戴电子设备及产品的高效开发和改善设计。
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公开(公告)号：CN103730725B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310685012.8
申请日：2013-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于天线技术领域中采用高阻硅作基底的微带天线，包括高阻硅基底及设于其底部的正四棱锥台形凹槽，设于基底上表面的带简并单元的辐射贴片及其馈线，接地片。该发明由于将高阻硅基底背面的空气槽设计成正四棱锥台形凹槽，因而可采用MEMS湿法刻蚀，自动将四棱锥台形凹槽的锥面刻蚀成与该材料晶向界面角相同角度的锥形面，且不会产生废弃物掩蔽层，其刻蚀的速率及凹槽顶面的平整度分别较是背景技术提高20倍及10倍左右。因而具有器件结构设计先进、生产工艺简便，生产效率高、成品率高，微波损耗低、辐射效率高，器件性能优异，易于集成组成阵列式微带天线，而且生产成本低并可满足规模化生产的要求等特点。
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公开(公告)号：CN103730725A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310685012.8
申请日：2013-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于天线技术领域中采用高阻硅作基底的微带天线，包括高阻硅基底及设于其底部的正四棱锥台形凹槽，设于基底上表面的带简并单元的辐射贴片及其馈线，接地片。该发明由于将高阻硅基底背面的空气槽设计成正四棱锥台形凹槽，因而可采用MEMS湿法刻蚀，自动将四棱锥台形凹槽的锥面刻蚀成与该材料晶向界面角相同角度的锥形面，且不会产生废弃物掩蔽层，其刻蚀的速率及凹槽顶面的平整度分别较是背景技术提高20倍及10倍左右。因而具有器件结构设计先进、生产工艺简便，生产效率高、成品率高，微波损耗低、辐射效率高，器件性能优异，易于集成组成阵列式微带天线，而且生产成本低并可满足规模化生产的要求等特点。
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