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公开(公告)号：CN103730725B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310685012.8
申请日：2013-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于天线技术领域中采用高阻硅作基底的微带天线，包括高阻硅基底及设于其底部的正四棱锥台形凹槽，设于基底上表面的带简并单元的辐射贴片及其馈线，接地片。该发明由于将高阻硅基底背面的空气槽设计成正四棱锥台形凹槽，因而可采用MEMS湿法刻蚀，自动将四棱锥台形凹槽的锥面刻蚀成与该材料晶向界面角相同角度的锥形面，且不会产生废弃物掩蔽层，其刻蚀的速率及凹槽顶面的平整度分别较是背景技术提高20倍及10倍左右。因而具有器件结构设计先进、生产工艺简便，生产效率高、成品率高，微波损耗低、辐射效率高，器件性能优异，易于集成组成阵列式微带天线，而且生产成本低并可满足规模化生产的要求等特点。
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公开(公告)号：CN103730725A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310685012.8
申请日：2013-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于天线技术领域中采用高阻硅作基底的微带天线，包括高阻硅基底及设于其底部的正四棱锥台形凹槽，设于基底上表面的带简并单元的辐射贴片及其馈线，接地片。该发明由于将高阻硅基底背面的空气槽设计成正四棱锥台形凹槽，因而可采用MEMS湿法刻蚀，自动将四棱锥台形凹槽的锥面刻蚀成与该材料晶向界面角相同角度的锥形面，且不会产生废弃物掩蔽层，其刻蚀的速率及凹槽顶面的平整度分别较是背景技术提高20倍及10倍左右。因而具有器件结构设计先进、生产工艺简便，生产效率高、成品率高，微波损耗低、辐射效率高，器件性能优异，易于集成组成阵列式微带天线，而且生产成本低并可满足规模化生产的要求等特点。
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公开(公告)号：CN203660051U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320830533.3
申请日：2013-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该实用新型属于天线技术领域中采用高阻硅作基底的微带天线，该高阻硅基底高频微带天线包括高阻硅基底及设于其底部的正四棱锥台形凹槽，设于基底上表面的带简并单元的辐射贴片及其馈线，接地片。该实用新型由于将高阻硅基底背面的空气槽设计成正四棱锥台形凹槽，因而可采用MEMS湿法刻蚀，自动将四棱锥台形凹槽的锥面刻蚀成与该材料晶向界面角相同角度的锥形面，且不会产生废弃物掩蔽层，其刻蚀的速率及凹槽顶面的平整度分别较是背景技术提高20倍及10倍左右。因而具有器件结构设计先进、生产工艺简便，生产效率高、成品率高，微波损耗低、辐射效率高，器件性能优异，易于集成组成阵列式微带天线，而且生产成本低并可满足规模化生产的要求等特点。
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