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公开(公告)号：CN118539919A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410441628.9
申请日：2024-04-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数模混合电路领域，具体提供一种应用于锁相环的数字时间转换器非线性校准电路，用以提高锁相环的非线性校准精度和速度。本发明包括：Bang‑Bang鉴相器(BBPD)、第一主数字时间转换器(MDTC1)、第二主数字时间转换器(MDTC2)、辅助数字时间转换器(Aux.DTC)以及滑动抖动控制电路、校准控制电路；其中，MDTC的非线性特征以及延时估计的静态误差的信息能够变频到锁相环的带外，从而可以准确的被误差提取电路提取用于非线性校准，最终达到提高非线性校准精度和速度的效果；同时，在校准完成后，被变频到锁相环的带外的MDTC非线性特征以及延时估计的静态误差会被Aux.DTC补偿。综上，本发明提高非线性校准能力的同时不会导致锁相环相位噪声恶化。
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公开(公告)号：CN116526986A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310449998.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
Abstract: 本发明提供的一种自适应电容的抗辐照射频SOI功放电路结构，属于射频集成电路领域，包括四堆叠功放、辐照检测控制电路以及开关电容阵列。四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、偏置电阻以及射频扼流电感；辐照检测控制电路包括辐照检测电路和门限检测器；开关电容阵列由开关晶体管和电容组成。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加自适应的开关电容阵列，在辐照情况下自适应地调整电容大小，能够明显改善辐照导致的功放性能退化。在10 GHz的工作频率处，本发明相比于传统的四堆叠功放，其增益、功率附加效率和饱和输出功率在300 krad的辐照环境下均有明显的改善。
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公开(公告)号：CN114844473B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210375284.7
申请日：2022-04-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用补偿电容技术的双控制位型可变增益放大器，用以解决如何在宽频带范围内实现低相位误差的增益调节这一大难题。本发明基于差分cascode型的电路结构实现，包括：差分cascode结构放大器与匹配网络；通过在单级电路的共栅管(M2、M4)的源极与漏极之间引入补偿电容C_comp、使得补偿后共栅管的源漏电容Cds2(Cds2+C_comp)与共源管栅漏电容(Cgd1)相同，再通过在单级电路的共源共栅管(M1/M2、M3/M4)的中间结点引入了到地的补偿电感L_comp、抵消了该结点的总电容，最终达到增益可调、相位不变的效果，即实现在宽频带范围内实现低相位误差的增益调节。
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公开(公告)号：CN115498971A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211259702.2
申请日：2022-10-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，涉及无线通讯系统中的放大器，具体提供一种带交叉电导与去敏电感的增益提升放大器，用以解决现有Y/Z‑LLREN结构与Y/PreZ‑LLREN结构增益提升放大器的最大可用增益Gma仍然较低的问题。本发明在传统差分共源放大器的基础上，通过引入去敏电感(LD1、LD2)与交叉电导(GCC)构成U提升网络，有效提升放大器的Mason’sU，即提升最大可用增益Gma的上限值Gma_upper_limit，进而匹配LLREN使得放大器的最大可用增益Gma显著提高；并且，在高频下，带去敏电感的U提升结构能够有效降低增益提升对交叉电导实现的工艺偏差及模型不确定性的敏感性；最后使得放大器的功率增益显著提高。
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公开(公告)号：CN110473960B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910789686.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压电材料、压电材料制备方法及应用，所述制备方法包括根据稀土元素掺杂的铌镁酸铅‑钛酸铅的化学式中的摩尔计量比称取各组分的原料；在干燥的惰性气氛下，向2‑甲氧基乙醇中加入称取的所述各组分的原料，进行蒸馏和回流，以形成络合物前体；将聚乙烯吡咯烷酮的2‑甲氧基乙醇溶液加入到所述络合物前体中，以形成均匀的前驱体溶液；将所述前驱体溶液加入静电纺丝设备的储液器中，进行纺丝；将收集到的纺丝进行退火处理，以形成稀土元素掺杂的铌镁酸铅‑钛酸铅微纳米纤维。本发明的RE‑PMN‑PT多晶微纳米纤维具有优良的压电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115001489A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210600105.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数模混合电路领域，具体提供一种低噪声毫米波小数分频综合器锁相环结构，用以克服在传统基于时间误差放大器(TA)的锁相环结构中因TA动态范围较小且具有较大的非线性而恶化锁相环带内的量化噪声并产生分数分频杂散的问题；本发明在传统结构的基础上还包括：粗数字时间转换器(CDTC)、细数字时间转换器(FDTC)与数字时间转换器预失真校准电路；通过在时间误差放大器前后分别插入粗数字时间转换器与细数字时间转换器缩小时间误差放大器输入相位差的方差，以提高时间误差放大器的线性度，同时抑制分数分频产生的量化噪声；通过采用阈值优值DTC自适应预失真，降低杂散同时保持DTC的量化噪声的二阶整形。
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公开(公告)号：CN114824720A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210385523.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种嵌入阻抗变换功能的紧凑型变压器威尔金森巴伦；本发明采用变压器结构，在两个并联变压器之间引入RLC网络，将阻抗匹配、差分转单端/单端转差分功能嵌入到威尔金森功率合成器中，使得威尔金森巴伦能够实现在完成功率合成或分配的同时，将两个差分复数阻抗与单端50Ω阻抗匹配在一起，并且两个差分端口之间具有电隔离。综上，本发明提供一种嵌入阻抗变换功能的紧凑型变压器威尔金森巴伦，在目标频段可以实现功率合成/分配、阻抗匹配、单转差分/差分转单、差分端口电隔离功能，在不影响隔离度与插入损耗的前提下显著减小了功率合成器的面积。
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公开(公告)号：CN113929313A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111207397.8
申请日：2021-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维导电纳米棒及其阵列电子传输层的制备方法，包括以下步骤：将基底依次置于不同溶剂中超声处理，得到洁净的基底；将二氯化锡与二氯化锌混合均匀后置于坩埚中；将此坩埚转移到加热装置中得到二氧化锡基底；将二氧化锡基底超声处理，之后经洗涤、干燥得到三维二氧化锡纳米棒阵列基底；将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；将得到的沉积有二氧化锡纳米棒阵列基底置于坩埚上，将此坩埚加热；将坩埚上的基底置于稀盐酸中加热超声处理得到三维导电纳米棒阵列。本发明提出采用两步化学气相沉积法，在氟掺杂二氧化锡导电玻璃上制备锑掺杂的二氧化锡三维纳米棒导电阵列，将其用作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层。
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公开(公告)号：CN113078431A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110324624.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/16
Abstract: 本发明属于太赫兹芯片领域，具体提供一种宽带高平坦度太赫兹片间互连结构，包括介质波导于关于介质波导呈轴对称设置的两个片上耦合结构，采用基于共面波导的片上耦合结构设计，将介质波导覆盖连接于基于共面波导的片上耦合结构上，使得芯片信号能够通过片上耦合结构由片上耦合到介质波导中，经过介质波导传输后再通过片上耦合结构传输到另一芯片，实现片间互连。基于共面波导的片上耦合结构基于传输线平缓过渡，且没有巴伦、模式转换器等额外结构的原理特点，使得本发明片间互连结构实现了宽带、高平坦度、低损耗的太赫兹信号传输，并且结构简洁、占用面积小，易于加工、成本低，有效解决了传统太赫兹互连损耗较高、带内波动大的问题。
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公开(公告)号：CN110473960A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910789686.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压电材料、压电材料制备方法及应用，所述制备方法包括根据稀土元素掺杂的铌镁酸铅-钛酸铅的化学式中的摩尔计量比称取各组分的原料；在干燥的惰性气氛下，向2-甲氧基乙醇中加入称取的所述各组分的原料，进行蒸馏和回流，以形成络合物前体；将聚乙烯吡咯烷酮的2-甲氧基乙醇溶液加入到所述络合物前体中，以形成均匀的前驱体溶液；将所述前驱体溶液加入静电纺丝设备的储液器中，进行纺丝；将收集到的纺丝进行退火处理，以形成稀土元素掺杂的铌镁酸铅-钛酸铅微纳米纤维。本发明的RE-PMN-PT多晶微纳米纤维具有优良的压电性能。
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