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公开(公告)号：CN119889367A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510069191.5
申请日：2025-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于深度学习的睡眠呼吸障碍识别系统，包括依次连接的音频信号特征提取模块、特征处理模块、时间加权注意力机制模块、双向长短时记忆网络模块。音频信号特征提取模块提取多维度音频特征；特征处理模块通过卷积与全连接层处理特征；时间加权注意力机制模块突出关键时刻信息；Bi‑LSTM模块建模前后向时序依赖关系并经全连接层与Softmax层分类。设备包括鼾声输入模块、声音检测模块、嵌入式模块和数据显示模块，能实时监测鼾声信号，经处理后以图形化界面展示检测结果，实现多种睡眠呼吸障碍的高效、准确识别，克服现有技术特征提取不全面、建模效率低等问题，提升音频信号分类任务的准确性与鲁棒性。
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公开(公告)号：CN114002645B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202111270185.4
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种定位解近似奇异或定位误差轴相关性问题的变尺度空时自调节处理方法，包括以下步骤：1)空间压缩和时间压缩；2)在步骤1)的基础上基于最小二乘法估计定位解；3)空间反压缩；所述空间压缩是指对基站和用户所在的原坐标系下的坐标经变换函数f进行空间压缩变换，得到坐标轴的相对量级平缓的新坐标系下的新坐标；所述时间压缩是指将原坐标系下的时间通过压缩系数进行压缩得到新坐标系下的时间；所述空间反压缩是指将步骤2)中的定位解经变换函数f‑1反压缩回原坐标系进行定位解评估，变换函数f‑1是f的逆变换。本发明的方法可以实现在近似奇异解情况下给出可信定位解，在正常解情况下解决定位误差轴相关性问题。
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公开(公告)号：CN116341483A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310258319.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06N3/08 , G06N3/0464
Abstract: 本申请涉及三维集成电路领域，具体提供了一种TSV阵列的多场协同设计方法及系统。该方法包括如下步骤：S1，获取TSV阵列的参数；S2，构建神经网络模型，并对神经网络模型进行训练；S3，构建设计准则；S4，利用优化算法对设计参数进行优化。步骤S1包括如下步骤：S11，获取TSV阵列的设计参数，设计参数包括硅通孔半径、硅通孔间距、偏移角度、氧化层厚度；S12，获取TSV阵列的性能参数，性能参数包括电性能、温度、应力、面积。本申请还提供了一种TSV阵列的多场协同设计系统，该系统包括获取模块、第一计算模块、第二计算模块、第三计算模块。本申请设计方法及系统设计需要时间短、多场性能和区域间协同作用强，TSV阵列的综合性能较高。
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公开(公告)号：CN115050868A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210865324.6
申请日：2022-07-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基长波长LED的衬底结构及制备方法，主要解决现有InGaN基长波长LED器件中材料应力制约发光效率的技术问题。方案包括：在衬底上刻蚀穿透衬底的通孔，用于在外延材料上产生空位，通孔图案包括圆形、多边形，通孔间距与孔径大小均为nm‑mm级，且二者相匹配；制备方法包括在预处理后的衬底上旋涂光刻胶，首先按照预设图案对衬底进行光刻、显影和烘干操作，然后利用刻蚀技术在预设图案处向下刻蚀穿透衬底的孔，快速刻透衬底形成通孔，最后清洗去除衬底表面光刻胶，完成制备。本发明能够显著的改善高In组分的InGaN/GaN材料中的应力问题，提升外延晶体质量及发光二极管发光效率。
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公开(公告)号：CN114497293A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111643318.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L33/00 , H01L21/335 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法，其中的外延层的制备剥离方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；牺牲层包括第一生长工艺下生长的孔洞部和第二生长工艺下生长的平整部；在平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀牺牲层，将外延层从衬底上剥离；刻蚀液可进入孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。通过执行本发明中的方法，在采用刻蚀液(湿法刻蚀)进行外延层剥离解决激光剥离影响外延层和衬底质量的问题的同时，保证该方法中的外延层剥离效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115036362A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210610478.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/205 , H01L23/373 , H01L21/02 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底处理的单晶金刚石上AlGaN/GaN异质结及制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上外延生长的异质结晶体质量差的问题。其实现方案是：采用单晶金刚石材料作为衬底，且对该衬底进行离子注入和等离子体轰击处理；再在其上磁控溅射AlN层；接着在AlN层上通过MOCVD工艺生长GaN层，并进一步在GaN层上生长AlGaN层，形成自下而上包括衬底、磁控溅射AlN层、GaN外延层和AlGaN外延层的异质结结构。本发明由于对单晶金刚石衬底进行离子注入和轰击处理，因而为在衬底上的后续外延生长提供了更多悬挂键，提高异质结的质量，改善器件的散热能力，可用于大功率GaN基微波功率器件的制备。
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公开(公告)号：CN115036361A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210609488.2
申请日：2022-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/205 , H01L23/373 , H01L21/02 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/04
Abstract: 本发明公开了一种在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上制作异质结的晶体质量低，影响器件散热能力和工作性能的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN外延层(4)和AlN外延层(5)。其中衬底采用经等离子体轰击处理后的单晶金刚石，以提升GaN外延层的成核能力。同时衬底与GaN外延层之间依次增设h‑BN层(2)、溅射BxAl1‑xN层(3)，该h‑BN层为GaN生长提供成核点，该溅射BxAl1‑xN层用于缓冲h‑BN层与GaN层的晶格差异。本发明提高了GaN外延层的晶体质量，可用于制作功率器件，提高器件散热能力和工作性能。
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公开(公告)号：CN114388080A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210040132.1
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法，包括下列步骤：步骤一、衬底模型构建，建立衬底材料的超胞模型并优化；步骤二、成膜材料的原子附着位点选择，选取单个成膜材料的原子放在衬底模型表面上，对此模型进行结构优化，得到初始吸附模型及第一次稳定吸附位点；再选择衬底上相邻的重复结构重复上述操作，得到最终吸附模型及第二次稳定吸附位点；步骤三、迁移势垒计算，建立NEB模型，计算这两组吸附模型中的稳定吸附位点间的迁移势垒；步骤四、应用分析，基于上一步得到的迁移势垒和分析得到的影响关系确定一个参数范围进行成膜工艺的调试。本方法以较快的速度确定各种材料成膜所需的温度等参数范围，提高调试和研发效率。
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公开(公告)号：CN114236340A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111563751.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于反向I‑V特性的二极管漏电分析方法，包括下列步骤：步骤一、制备二极管的样品用于测试分析；步骤二、对二极管的样品进行变温反向I‑V特性测试，测得的不同温度下的反向I‑V特性数据；步骤三、通过不同漏电流输运机制的漏电流计算公式对上一步所得的反向I‑V特性数据进行拟合，分析出对应的漏电流输运机制。本发明能依据计算公式对多组I‑V特性曲线进行分段拟合分析，最后准确得出该二极管样品的漏电流运输机制，有助于技术人员改善工艺、优化产品应用，对提升产品的质量和可靠性有着较大的意义。
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公开(公告)号：CN114217200A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111507585.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种N极性III族氮化物半导体器件的性能预测方法及装置，其中的方法包括如下步骤：获取待预测器件各层的厚度和各层的组分；根据各层的厚度和各层的组分确定待预测器件中的异质结界面极化电荷；基于待预测器件的界面和内部电场特性确定待预测器件的静态性能与异质界面极化电荷之间的协同对应关系；获取待预测器件中各沟道顶部界面的势垒高度；根据异质结界面极化电荷、各沟道顶部界面的势垒高度、各层的组分和厚度以及协同对应关系确定待预测器件的静态性能。本发明中的方法，能够实现对N极性(III族氮化物)HEMTs器件结构的2DEG浓度和势垒高度进行计算，并预测2DHG的产生，有助于理解N极性多沟道HEMTs器件原理并指导器件制作。
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