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公开(公告)号：CN111458328A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010337877.5
申请日：2020-04-26
Applicant: 电子科技大学 , 北京卫星制造厂有限公司 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
IPC: G01N21/77
Abstract: 本发明涉及一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，属于化工技术领域。本发明的一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，采用含有氯化亚锡的辅助液和含有氯化钯的检测液先后与蚀刻后的铜层、铜点或者铜种子起作用，从而形成可观察到的黑色产物，其中，辅助液的作用为二价锡离子渗透吸附于残留的铜层、铜点或者铜牙上面，检测液中的钯离子会被吸附在铜上的二价锡离子和铜还原为黑点钯金属，肉眼可明显观察，从而检测出残留铜的分布。本发明提供的检测方法简便、准确、安全，可满足印制电路板生产过程中的表面品质检测要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113579563B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110860085.0
申请日：2021-07-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米立方银焊膏、互连结构及其焊接方法，纳米立方银焊膏由尺寸均一的纳米立方银颗粒与有机溶剂混合而成，具有连接层孔隙率低、剪切强度高等优势。所述纳米立方银颗粒为立方体形状、粒径为20nm～200nm，纳米立方银焊膏可用于制备覆铜陶瓷基板和IGBT模块功率芯片的互连结构；本发明利用纳米立方银颗粒的自组装性能，形成超晶格结构，实现纳米立方银颗粒的紧密排列，经焊接后形成的连接层的连接接头界面层结合良好，连接层的孔隙率约为5％，剪切强度达到30Mpa以上，具有较高的剪切强度，能够很好地应用于电子器件的封装互连；其制备工艺简单，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113579563A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110860085.0
申请日：2021-07-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米立方银焊膏、互连结构及其焊接方法，纳米立方银焊膏由尺寸均一的纳米立方银颗粒与有机溶剂混合而成，具有连接层孔隙率低、剪切强度高等优势。所述纳米立方银颗粒为立方体形状、粒径为20nm～200nm，纳米立方银焊膏可用于制备覆铜陶瓷基板和IGBT模块功率芯片的互连结构；本发明利用纳米立方银颗粒的自组装性能，形成超晶格结构，实现纳米立方银颗粒的紧密排列，经焊接后形成的连接层的连接接头界面层结合良好，连接层的孔隙率约为5％，剪切强度达到30Mpa以上，具有较高的剪切强度，能够很好地应用于电子器件的封装互连；其制备工艺简单，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111844955B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010727521.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 电子科技大学 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高介电复合材料，属于功能材料技术领域。本发明提供的一种高介电复合材料，通过真空抽滤作用制备由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜，由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜内部先形成电容结构，然后浇筑聚苯醚树脂包裹住由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜，再在其上下面覆盖铜箔，经过热压和加热挥发溶剂得到聚苯醚基复合材料，从而实现由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜与聚苯醚的复合，得到高介电、低损耗的聚苯醚基复合材料。本发明公开的聚苯醚基复合材料可用于印制电路埋置电容器件，表现出高介电常数、低损耗的优点，制备方法简单高效。
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公开(公告)号：CN111458328B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010337877.5
申请日：2020-04-26
Applicant: 电子科技大学 , 北京卫星制造厂有限公司 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
IPC: G01N21/77
Abstract: 本发明涉及一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，属于化工技术领域。本发明的一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，采用含有氯化亚锡的辅助液和含有氯化钯的检测液先后与蚀刻后的铜层、铜点或者铜种子起作用，从而形成可观察到的黑色产物，其中，辅助液的作用为二价锡离子渗透吸附于残留的铜层、铜点或者铜牙上面，检测液中的钯离子会被吸附在铜上的二价锡离子和铜还原为黑点钯金属，肉眼可明显观察，从而检测出残留铜的分布。本发明提供的检测方法简便、准确、安全，可满足印制电路板生产过程中的表面品质检测要求。
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公开(公告)号：CN111844955A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010727521.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 电子科技大学 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高介电复合材料，属于功能材料技术领域。本发明提供的一种高介电复合材料，通过真空抽滤作用制备由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜，由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜内部先形成电容结构，然后浇筑聚苯醚树脂包裹住由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜，再在其上下面覆盖铜箔，经过热压和加热挥发溶剂得到聚苯醚基复合材料，从而实现由氧化石墨烯膜和钛酸钡膜组成的“三明治”结构薄膜与聚苯醚的复合，得到高介电、低损耗的聚苯醚基复合材料。本发明公开的聚苯醚基复合材料可用于印制电路埋置电容器件，表现出高介电常数、低损耗的优点，制备方法简单高效。
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