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公开(公告)号：CN118158912A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410349184.6
申请日：2024-03-26
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H05K3/18
Abstract: 本发明提供一种基于激光活化在柔性基材上沉积导电铜图形的方法及图形，包括下列步骤：步骤一：改性溶液的制备；步骤二：基材表面前处理；步骤三：基材表面改性；步骤四：激光活化；步骤五：基材表面铜沉积；激光活化的明显优点是不接触，不需要掩模，具有出色的再现性。采用银作为催化剂，银的价格相对于钯来说更为亲民，因此使用银作为催化剂可以显著降低化学镀铜的成本。激光活化工艺和传统的化学镀工艺结合到一起，工艺简单，加工速度快。本发明以催化胶的形式涂敷在基材表面，不会影响基材的物理性能和机械性能。
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公开(公告)号：CN111458328A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010337877.5
申请日：2020-04-26
Applicant: 电子科技大学 , 北京卫星制造厂有限公司 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
IPC: G01N21/77
Abstract: 本发明涉及一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，属于化工技术领域。本发明的一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，采用含有氯化亚锡的辅助液和含有氯化钯的检测液先后与蚀刻后的铜层、铜点或者铜种子起作用，从而形成可观察到的黑色产物，其中，辅助液的作用为二价锡离子渗透吸附于残留的铜层、铜点或者铜牙上面，检测液中的钯离子会被吸附在铜上的二价锡离子和铜还原为黑点钯金属，肉眼可明显观察，从而检测出残留铜的分布。本发明提供的检测方法简便、准确、安全，可满足印制电路板生产过程中的表面品质检测要求。
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公开(公告)号：CN117520235A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311541741.6
申请日：2023-11-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F13/40
Abstract: 本发明公开了一种LVDS驱动器电路，包括偏置电流源模块，核心发送器模块，预加重模块以及数字模块；所述核心发送器模块采用了共源共栅电流镜提供电流，开关结构采用互补的桥型开关结构，共模反馈采用沟道长度分割补偿的方式进行补偿，偏置电流源模块从外部接入偏置电流并为预加重模块和核心发送器模块提供电流源栅极偏置，核心发送器模块和预加重模块均受数字模块控制，实现数据的发送和预加重电流的开断；本发明实现大电容负载下的高速数据发送，以及以较小的面积和功耗开销，实现了输出共模电平的稳定。
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公开(公告)号：CN116582765A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310648032.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04N25/772 , H03M1/12
Abstract: 一种用于CIS的时分复用模数转换模块化电路，包括完成奇数列、偶数列模数转换的第一、第二通道电路，第一通道电路和第二通道电路之间通过第一、第二级共享运算放大器连接，第一级、第二级共享运算放大器用于两相邻通道相互间隔积分时接入第一通道电路或第二通道电路；第一通道电路包括相互连接的第一级积分电路模块和第二级积分电路模块；第一级共享运算放大器包括和第一级积分电路模块连接的第一组开关电路模块，第二级共享运算放大器包括和第二级积分电路模块连接的第二组开关电路模块；本发明减轻了OTA的布局要求，使得在先进的CMOS技术节点上实现了高分辨率的低功耗图像传感器，同时也大大减少了芯片面积。
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公开(公告)号：CN117406000A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311388777.5
申请日：2023-10-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种模数转换电路电磁干扰、总剂量辐照和单粒子效应协同影响的测量方法，先单独对待测模数转换电路做重离子微束辐照，记录待测模数转换电路的敏感点1；然后对待测模数转换电路进行总剂量辐照并退火，然后做重离子微束辐照；在做重离子微束辐照的同时，从电源和地注入电磁干扰信号，在重离子微束结束后，记录待测模数转换电路的敏感点2；最后对比待测模数转换电路的敏感点1和敏感点2，得出电磁干扰和总剂量辐照影响的待测模数转换电路单粒子效应的规律；本发明融合电磁干扰测试、总剂量辐照测试以及重离子微束辐照测试，易于实施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117031226A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310636957.4
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种电源管理芯片抗电磁干扰与单粒子效应的测量方法，包括：确定待测电源管理芯片的测试节点；对待测电源管理芯片的每个测试节点依次施加不同频率的电磁干扰信号，进行电磁干扰测试，记录待测电源管理芯片的电磁干扰测试结果；对去除塑封的待测电源管理芯片进行辐照测试，记录待测电源管理芯片的辐照测试结果；对去除塑封的待测电源管理芯片进行辐照测试的同时，对待测电源管理芯片的测试节点施加电磁干扰信号，进行电磁辐照干扰测试，记录待测电源管理芯片的电磁辐照测试结果；根据电磁干扰测试结果、辐照测试结果以及电磁辐照测试结果，确定待测电源管理芯片的敏感性。本发明方法能够实现对电源管理芯片以及电路的抗辐射能力的测量。
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公开(公告)号：CN113579563A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110860085.0
申请日：2021-07-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米立方银焊膏、互连结构及其焊接方法，纳米立方银焊膏由尺寸均一的纳米立方银颗粒与有机溶剂混合而成，具有连接层孔隙率低、剪切强度高等优势。所述纳米立方银颗粒为立方体形状、粒径为20nm～200nm，纳米立方银焊膏可用于制备覆铜陶瓷基板和IGBT模块功率芯片的互连结构；本发明利用纳米立方银颗粒的自组装性能，形成超晶格结构，实现纳米立方银颗粒的紧密排列，经焊接后形成的连接层的连接接头界面层结合良好，连接层的孔隙率约为5％，剪切强度达到30Mpa以上，具有较高的剪切强度，能够很好地应用于电子器件的封装互连；其制备工艺简单，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111458328B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010337877.5
申请日：2020-04-26
Applicant: 电子科技大学 , 北京卫星制造厂有限公司 , 新华海通(厦门)信息科技有限公司
IPC: G01N21/77
Abstract: 本发明涉及一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，属于化工技术领域。本发明的一种检测印制电路板残留铜层分布的方法，采用含有氯化亚锡的辅助液和含有氯化钯的检测液先后与蚀刻后的铜层、铜点或者铜种子起作用，从而形成可观察到的黑色产物，其中，辅助液的作用为二价锡离子渗透吸附于残留的铜层、铜点或者铜牙上面，检测液中的钯离子会被吸附在铜上的二价锡离子和铜还原为黑点钯金属，肉眼可明显观察，从而检测出残留铜的分布。本发明提供的检测方法简便、准确、安全，可满足印制电路板生产过程中的表面品质检测要求。
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公开(公告)号：CN119913491A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510103603.2
申请日：2025-01-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C18/20 , C23C18/40 , D06M11/83 , D06M101/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种PET纤维化学镀铜前的一步预处理活化液、预处理方法，属于化学镀技术领域。本发明创新地提出基于二甲基亚砜(DMSO)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和银盐组成的活化溶液，当PET纤维浸入活化溶液中时，DMSO让PET纤维溶胀，溶剂会促进PVP分子进入PET聚合物链，在PET纤维表面形成了富含PVP的表面物理互锁网络(SPIN)结构，后续在放入去离子水中浸泡，这种溶胀结构会坍塌，从而把PVP锁住，而不会导致样品发生实质性变形或溶解；生成的AgNPs紧密附着在PVP基质上，增强了PET纤维表面对银纳米颗粒的吸附性能，在纤维表面为后续铜沉积提供了大量的活性位点。该方法实现一步预处理，简化了传统化学镀中的多步预处理流程。
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公开(公告)号：CN113579563B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110860085.0
申请日：2021-07-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米立方银焊膏、互连结构及其焊接方法，纳米立方银焊膏由尺寸均一的纳米立方银颗粒与有机溶剂混合而成，具有连接层孔隙率低、剪切强度高等优势。所述纳米立方银颗粒为立方体形状、粒径为20nm～200nm，纳米立方银焊膏可用于制备覆铜陶瓷基板和IGBT模块功率芯片的互连结构；本发明利用纳米立方银颗粒的自组装性能，形成超晶格结构，实现纳米立方银颗粒的紧密排列，经焊接后形成的连接层的连接接头界面层结合良好，连接层的孔隙率约为5％，剪切强度达到30Mpa以上，具有较高的剪切强度，能够很好地应用于电子器件的封装互连；其制备工艺简单，便于工业化生产。
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