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公开(公告)号：CN117039588A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310955442.0
申请日：2023-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于对流二维电子气的电磁辐射源，包括源极、栅极、漏极、第一半导体介质层、第二半导体介质层、第三半导体介质层和基底，在第一半导体介质层、第二半导体介质层的界面处产生上层二维电子气，在第二半导体介质层、第三半导体介质层的界面处产生下层二维电子气，通过电压配置令上层二维电子气和下层二维电子气产生相对运动，形成对流二维电子气。当相对运动速度满足触发等离子体不稳定性条件时，二维电子气将产生沿其表面播的等离子体波，此时二维电子气的直流运动能量交给等离子体波，产生高频的振荡电流，进一步激发与等离子体波同频率的电磁波，最终产生向外界传播的电磁辐射。
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公开(公告)号：CN117691437A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311704528.2
申请日：2023-12-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/06
Abstract: 本发明公开了一种基于可调光栅的电子束‑等离子体系统太赫兹辐射源，在真空腔内部设置介质管，在介质管内部形成等离子体通道，电子束穿过等离子体通道激发等离子体波，在介质管外壁的可调光栅表面形成布洛赫模式，其中波数小于相同频率电磁波的波数的谐波可以转换为辐射场，从可调光栅表面向外界辐射，从而形成太赫兹辐射输出。本发明利用可调光栅作为耦合器实现等离子体波与太赫兹电磁辐射的场匹配，从而有效地提取基频等离子体波的能量；并且利用可调光栅作为控制器，通过改变可调光栅的周期和电压来控制太赫兹辐射源的工作参数。
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公开(公告)号：CN112952532B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110109421.8
申请日：2021-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法，先利用等离子体源电离中性气体，在真空腔内产生一定密度范围的等离子体；再将多个(两个或两个以上)电子束以一定的发射夹角注入等离子体中，通过预先调节电子束之间的发射夹角，使多个电子束在等离子体内部形成会聚点，当多个电子束在等离子体内部会聚到一点，将在此会聚点处激发等离子体波；最后等离子体波将引起电子束会聚点处的电子振荡，从而激发频率位于等离子体频率及其倍频的高功率太赫兹辐射。
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公开(公告)号：CN112952532A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110109421.8
申请日：2021-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法，先利用等离子体源电离中性气体，在真空腔内产生一定密度范围的等离子体；再将多个(两个或两个以上)电子束以一定的发射夹角注入等离子体中，通过预先调节电子束之间的发射夹角，使多个电子束在等离子体内部形成会聚点，当多个电子束在等离子体内部会聚到一点，将在此会聚点处激发等离子体波；最后等离子体波将引起电子束会聚点处的电子振荡，从而激发频率位于等离子体频率及其倍频的高功率太赫兹辐射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113904202A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111119393.4
申请日：2021-09-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于周期排化DS效应的太赫兹源，源极和漏极均为由N个金属电极构成的周期光栅结构，且各自的N个金属电极分别通过一个金属电极板与异质结进行欧姆接触，源极的金属电极和漏极的金属电极交叉排列，栅极包括2N‑1个与异质结作肖特基接触的金属电极，每个栅极金属电极分别位于源极的金属电极和漏极的金属电极交叉排列形成的每个间隙中，从而得到了源极、栅极、漏极三者交替周期排列形成的光栅结构。本发明采用源极、栅极、漏极三者交替周期排列形成的光栅结构，增加短沟道效应单元的数量，同时保证每个单元的DS效应辐射效果，从而提升太赫兹波辐射的功率。
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公开(公告)号：CN116801470A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310990306.5
申请日：2023-08-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种带有磁芯的电感耦合远程等离子体发生器，包括放电腔室、磁芯和电感线圈；具体讲，先用真空泵将放电腔体内的气压抽至高真空后，再为放电腔室注入工质气体，然后通过外接电源向电感线圈通入射频交流电，电感线圈将电源提供的能量转化为电磁能，电磁能再经过磁芯将其传输至放电腔室，带电粒子吸收电磁场能量后与放电腔室中的气体分子或原子发生电离碰撞，形成等离子体，最后通过等离子体输出端口输出。
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公开(公告)号：CN117039586A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310955464.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/00 , H03L7/08 , H01L27/085
Abstract: 本发明公开了一种HEMT阵列太赫兹辐射源锁频锁相方法，将HEMT阵列太赫兹辐射源中所有HEMT单元的源极接地、栅极短路，从HEMT阵列中选择一个HEMT单元作为种子信号源，并将种子信号源的漏极单独连接一个电压源，开启种子信号源，在其内部二维电子气中激发等离子体波并传输到其他HEMT单元，待等离子体波种子信号源稳定工作后再开启阵列中其它HEMT单元，对种子信号进行大，最终实现锁频、锁相的太赫兹辐射。本发明在HEMT阵列中设置种子信号源，通过异步启动的方式实现HEMT阵列太赫兹辐射源的锁频锁相。
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公开(公告)号：CN117012612A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310577686.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J65/04
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体激发电磁波的装置，采用在波导中形成有等离子体，密封真空腔体中产生电子通过电子窗穿出到波导中，轰击波导中的等离子体，产生电子分布不均匀性，进而引起电磁波振荡，产生电磁波，产生的电磁波随波导导出。这样在波导中形成有等离子体，以密封真空腔体中产生电子并通过电子窗穿出到波导中的方式替代GOL‑3装置，电子‑等离子体互作用装置大为减小，满足小型化电磁波辐射源的迫切需求，可灵活而广泛地满足多样化应用。此外，相对于返波管和磁控管等真空电子器件，本发明利用等离子体激发电磁波的装置有下述的优点：1)、输出功率高，2)结构简单，互作用区域不需要真空，3)通过调节等离子体密度即可简单调节电磁波频率。
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公开(公告)号：CN219738906U
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202321240836.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J65/04
Abstract: 本实用新型公开了一种利用等离子体激发电磁波的装置，采用在波导中形成有等离子体，密封真空腔体中产生电子通过电子窗穿出到波导中，轰击波导中的等离子体，产生电子分布不均匀性，进而引起电磁波振荡，产生电磁波，产生的电磁波随波导导出。这样在波导中形成有等离子体，以密封真空腔体中产生电子并通过电子窗穿出到波导中的方式替代GOL‑3装置，电子‑等离子体互作用装置大为减小，满足小型化电磁波辐射源的迫切需求，可灵活而广泛地满足多样化应用。此外，相对于返波管和磁控管等真空电子器件，本实用新型利用等离子体激发电磁波的装置有下述的优点：1)、输出功率高，2)结构简单，互作用区域不需要真空，3)通过调节等离子体密度即可简单调节电磁波频率。
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