-
公开(公告)号：CN118841295A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411219344.1
申请日：2024-09-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单电子注双通道交错双栅行波放大器，采用背靠背的两个交错双栅慢波结构，并在背靠背一侧，上下中心位置均开缝，并沿z方向即传输方向贯通整个交错双栅慢波结构，形成统一的电子注通道，即两个交错双栅慢波结构的电子注通道连通。这样，相对于现有的微带线多通道慢波结构行波管，本发明采用交错双栅慢波结构，行波放大器功率大幅度提高。与此同时，本发明为全金属结构，具有更高的功率容量，电子注通道横向更宽，能有效降低空间电荷力，电子注流通率更高，两通道的带状电子注可以采用统一的周期永磁聚焦，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN115440552B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202211120999.4
申请日：2022-09-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于超构材料的双带状电子注太赫兹行波管，属于真空电子器件领域。该行波管通过设计具有独特的“I”型谐振环超构材料的慢波结构，利用该超构材料局域电场增强的特点，使其在电子注通道中具有非常高的耦合阻抗；同时，该超构材料具有平板型特征，当其加载于矩形波导中央时，使得超构材料慢波结构具备双带状电子注通道，进而引入双带状电子注来扩大注波互作用区域，提高注波互作用，因而能够实现小型化、高功率和高增益的太赫兹行波管。
-
公开(公告)号：CN117039588A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310955442.0
申请日：2023-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于对流二维电子气的电磁辐射源，包括源极、栅极、漏极、第一半导体介质层、第二半导体介质层、第三半导体介质层和基底，在第一半导体介质层、第二半导体介质层的界面处产生上层二维电子气，在第二半导体介质层、第三半导体介质层的界面处产生下层二维电子气，通过电压配置令上层二维电子气和下层二维电子气产生相对运动，形成对流二维电子气。当相对运动速度满足触发等离子体不稳定性条件时，二维电子气将产生沿其表面播的等离子体波，此时二维电子气的直流运动能量交给等离子体波，产生高频的振荡电流，进一步激发与等离子体波同频率的电磁波，最终产生向外界传播的电磁辐射。
-
公开(公告)号：CN114865327A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210437400.3
申请日：2022-04-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种谐振环阵列构成的衰减器，由多个多层堆叠谐振环结构按照阵列方式排布形成。所述多层堆叠谐振环结构为类金字塔结构，由于最下一层介质基板和金属谐振环较大，所以具有较低的工作频率，越往上的层介质基板和金属谐振环越小，工作频率越高，因此，本发明既能够工作较低频率，又能够工作较高频率，具有工作频带宽的优势。此外，本发明中的多层堆叠谐振环结构，虽然每一层都是平面结构，但是通过堆叠后构成垂直的一个阵列，该类垂直阵列对于平行入射的电磁波也具有吸收作用。也就是说，本发明谐振环阵列构成的衰减器实际上是三维阵列，对于各个方向入射的电磁波都有吸收作用。相对于常规表面谐振环阵列只能吸收垂直入射电磁波，本发明具有更宽广的方向性。
-
公开(公告)号：CN111916322B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010882593.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/027 , H01J23/033 , H01J25/34
Abstract: 本发明提供一种具有偏转磁场的多级降压收集极，属于真空电子技术领域。该收集极通过将整个收集极置于与入射电子方向垂直的偏转磁场中，使得大部分电子在偏转磁场的作用下均打在收集极同侧上，可有效提高收集极散热效率。此外，本发明还具有结构简单、易于加工、收集效率高以及无返流的优点。具有3级叶片的收集极用于收集220GHz带状注行波管互作用后的剩余电子，其收集效率高达98.86％，绝大部分电子都打在了收集极侧壁。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491752B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910665293.8
申请日：2019-07-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/08
Abstract: 本发明公开了一种多电子束的绕射辐射振荡器包括：开放式结构的上、下两个镜面及多组对称双光栅；发射极发射的电子通过双光栅缝隙时，会被沿光栅表面传播的电磁波调制形成电子束团，调制形成的电子束团向空间激发空间电荷波，空间电荷波在上下镜面的反射作用下，在腔体内形成稳定的高频振荡，高频电场反过来再与电子束发生注波互作用，发生能量交换，其能量叠加之后通过输出端口耦合出，以此提高器件的输出功率。
-
公开(公告)号：CN109300753B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201811168537.3
申请日：2018-10-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/24
Abstract: 本发明公开了一种介质支撑的慢波结构，通过将现有的曲折金属带替换为两组在一个平面上并排相对相互交错的叶片，从而构成介质支撑叶片交错的慢波结构。两组叶片之间并不相连，这样的交错叶片结构，通过交错叶片间的电磁场耦合传输电磁波，其工作模式为TE和TM的混合模式，交错叶片间电磁场较大，这样与电子注互作用的耦合阻抗高，放大电磁波的效率高于类螺旋线结构。同时，TE和TM的混合模式使得本介质支撑的慢波结构的高频损耗小于类螺旋线结构，故可工作于高频器件。
-
公开(公告)号：CN111640637A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010541981.6
申请日：2020-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多注太赫兹同轴谐振腔反射速调管，包括参考电极和反射电极，其中，参考电极由同轴谐振腔、过渡波导和输出波导组成；电子注通过电子注通道注入同轴谐振腔，随后漂移至漂移头间的间隙内，并被间隙内的太赫兹高频场进行调制，被调制后的电子在漂移管和反射区内实现漂移群聚，然后再次返回到间隙内，群聚后的电子在间隙内与高频场相互作用，将动能转化为间隙内的电磁能，并储存在同轴谐振腔内，最后通过耦合孔、过渡波导和输出波导输出外部空间。
-
公开(公告)号：CN111341630A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010263814.X
申请日：2020-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光阴极激发的电磁波发生器，在现有技术基础上，增加二次电子倍增片，二次电子倍增片沿厚度方向(电子传输方向)有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数个二次电子。所述二次电子倍增片垂直插入到光阴极与慢波结构或谐振腔之间，光阴极发射的电子束进入到二次电子倍增片的微通道中，实现电子数量倍增，倍增的电子束通过慢波结构或谐振腔，产生电磁波输出。本发明中光阴极结合二次电子倍增片只是作为阴极，类似常规真空电子器件的热阴极，持续发射电子，其中通过二次电子倍增实现了电子束电流倍增，即能量倍增，在输出更高太赫兹频率电磁波的同时，提高输出电磁波信号的功率。
-
公开(公告)号：CN106909228B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201710316253.3
申请日：2017-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明公开了一种利用头部扭动感应的定位输入装置，通过一个设置于背后衣领或脖子下方皮肤上的固定件，固定件上通过弹簧连接压控感应装置，如压控电容或压控电阻等。当头部左右或上下扭动时，产生压控感应信号，即压控电容的电容值改变，或压控电阻的电阻值改变，压控感应信号送入芯片，处理并产生对应的定位信号。本发明抛弃了传统定位输入装置(鼠标)的实现方式，直接采用压控感应，其电路系统相对传统定位输入装置(鼠标)简单，易于实现，同时可以与穿戴设备集成在一起，方便随身携带，同时，其功耗也可降低，其定位速度和定位精度都可以得到提高，且不容易损坏。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
172
records
(took 0.029 seconds)
