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公开(公告)号：CN111916323A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010849760.5
申请日：2020-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于三维金属栅的过模双频段扩展互作用振荡器，属于真空电子器件领域。该振荡器基于波导加载三维金属栅的模式选择特性，通过设计特定的三维金属栅结构，使得扩展互作用振荡器能够同时具有过模和双频工作的优势，在高频段实现电大尺寸，从而增加器件的功率容量，且易于加工和装配；而在纵向上由于集中式互作用，使得其纵向长度更短，有利于减小聚焦磁场的体积，从而使整体结构更加紧凑。
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公开(公告)号：CN115440552B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202211120999.4
申请日：2022-09-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于超构材料的双带状电子注太赫兹行波管，属于真空电子器件领域。该行波管通过设计具有独特的“I”型谐振环超构材料的慢波结构，利用该超构材料局域电场增强的特点，使其在电子注通道中具有非常高的耦合阻抗；同时，该超构材料具有平板型特征，当其加载于矩形波导中央时，使得超构材料慢波结构具备双带状电子注通道，进而引入双带状电子注来扩大注波互作用区域，提高注波互作用，因而能够实现小型化、高功率和高增益的太赫兹行波管。
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公开(公告)号：CN111916322B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010882593.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/027 , H01J23/033 , H01J25/34
Abstract: 本发明提供一种具有偏转磁场的多级降压收集极，属于真空电子技术领域。该收集极通过将整个收集极置于与入射电子方向垂直的偏转磁场中，使得大部分电子在偏转磁场的作用下均打在收集极同侧上，可有效提高收集极散热效率。此外，本发明还具有结构简单、易于加工、收集效率高以及无返流的优点。具有3级叶片的收集极用于收集220GHz带状注行波管互作用后的剩余电子，其收集效率高达98.86％，绝大部分电子都打在了收集极侧壁。
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公开(公告)号：CN111916323B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010849760.5
申请日：2020-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于三维金属栅的过模双频段扩展互作用振荡器，属于真空电子器件领域。该振荡器基于波导加载三维金属栅的模式选择特性，通过设计特定的三维金属栅结构，使得扩展互作用振荡器能够同时具有过模和双频工作的优势，在高频段实现电大尺寸，从而增加器件的功率容量，且易于加工和装配；而在纵向上由于集中式互作用，使得其纵向长度更短，有利于减小聚焦磁场的体积，从而使整体结构更加紧凑。
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公开(公告)号：CN115440552A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211120999.4
申请日：2022-09-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于超构材料的双带状电子注太赫兹行波管，属于真空电子器件领域。该行波管通过设计具有独特的“I”型谐振环超构材料的慢波结构，利用该超构材料局域电场增强的特点，使其在电子注通道中具有非常高的耦合阻抗；同时，该超构材料具有平板型特征，当其加载于矩形波导中央时，使得超构材料慢波结构具备双带状电子注通道，进而引入双带状电子注来扩大注波互作用区域，提高注波互作用，因而能够实现小型化、高功率和高增益的太赫兹行波管。
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公开(公告)号：CN111916322A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010882593.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/027 , H01J23/033 , H01J25/34
Abstract: 本发明提供一种具有偏转磁场的多级降压收集极，属于真空电子技术领域。该收集极通过将整个收集极置于与入射电子方向垂直的偏转磁场中，使得大部分电子在偏转磁场的作用下均打在收集极同侧上，可有效提高收集极散热效率。此外，本发明还具有结构简单、易于加工、收集效率高以及无返流的优点。具有3级叶片的收集极用于收集220GHz带状注行波管互作用后的剩余电子，其收集效率高达98.86％，绝大部分电子都打在了收集极侧壁。
