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公开(公告)号:CN113904202A
公开(公告)日:2022-01-07
申请号:CN202111119393.4
申请日:2021-09-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于周期排化DS效应的太赫兹源,源极和漏极均为由N个金属电极构成的周期光栅结构,且各自的N个金属电极分别通过一个金属电极板与异质结进行欧姆接触,源极的金属电极和漏极的金属电极交叉排列,栅极包括2N‑1个与异质结作肖特基接触的金属电极,每个栅极金属电极分别位于源极的金属电极和漏极的金属电极交叉排列形成的每个间隙中,从而得到了源极、栅极、漏极三者交替周期排列形成的光栅结构。本发明采用源极、栅极、漏极三者交替周期排列形成的光栅结构,增加短沟道效应单元的数量,同时保证每个单元的DS效应辐射效果,从而提升太赫兹波辐射的功率。
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公开(公告)号:CN114899692A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210497161.0
申请日:2022-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S3/09
Abstract: 本发明公开了一种基于金属等离子体波的阵列化可见光辐射源,由N块在两侧均设置有周期化矩形齿结构的金属薄膜构成,N块金属薄膜采用多层等间距水平排布,从而形成垂直方向上的阵列化结构;N+1道圆柱型电子注分别水平注入金属薄膜阵列化结构的上下表面和金属薄膜之间的N‑1个间隙,在掠过金属薄膜表面时激励金属等离子体波的奇模式,将金属等离子体波沿水平方向辐射至自由空间。本发明通过在金属薄膜的两侧设置周期矩形齿结构作为辐射结构,在垂直方面上采用阵列化设置从而实现阵列化可见光辐射源,以提高总体辐射强度。
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公开(公告)号:CN114899692B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202210497161.0
申请日:2022-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S3/09
Abstract: 本发明公开了一种基于金属等离子体波的阵列化可见光辐射源,由N块在两侧均设置有周期化矩形齿结构的金属薄膜构成,N块金属薄膜采用多层等间距水平排布,从而形成垂直方向上的阵列化结构;N+1道圆柱型电子注分别水平注入金属薄膜阵列化结构的上下表面和金属薄膜之间的N‑1个间隙,在掠过金属薄膜表面时激励金属等离子体波的奇模式,将金属等离子体波沿水平方向辐射至自由空间。本发明通过在金属薄膜的两侧设置周期矩形齿结构作为辐射结构,在垂直方面上采用阵列化设置从而实现阵列化可见光辐射源,以提高总体辐射强度。
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