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公开(公告)号：CN104331917B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410566003.1
申请日：2014-10-22
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: G06T13/40
Abstract: 本发明提供了一种恐慌人群逃生模拟方法，旨在真实地模拟恐慌情况下人群逃生的特点。本发明使用社会力模型进行人群建模，针对恐慌人群的特性，发明了新的交互力，并且引入性格模型，通过调整人群模拟参数来模拟不同性格个体的行为特征。在逃生路径规划技术方面，发明了非均匀网格技术，使得Agent可以更加准确地感知周围环境，并且在路径选择上呈现多样性。在路径规划中，针对真实情况下人群视野往往会被障碍物等阻挡的情况，发明局部视野技术，使得人群仅以视野范围内的点作为目标点来进行导航，从而保证了模拟的真实性。
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公开(公告)号：CN104331917A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410566003.1
申请日：2014-10-22
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: G06T13/40
CPC classification number: G06T13/40
Abstract: 本发明提供了一种恐慌人群逃生模拟方法，旨在真实地模拟恐慌情况下人群逃生的特点。本发明使用社会力模型进行人群建模，针对恐慌人群的特性，发明了新的交互力，并且引入性格模型，通过调整人群模拟参数来模拟不同性格个体的行为特征。在逃生路径规划技术方面，发明了非均匀网格技术，使得Agent可以更加准确地感知周围环境，并且在路径选择上呈现多样性。在路径规划中，针对真实情况下人群视野往往会被障碍物等阻挡的情况，发明局部视野技术，使得人群仅以视野范围内的点作为目标点来进行导航，从而保证了模拟的真实性。
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公开(公告)号：CN107786546A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710929079.X
申请日：2017-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于私有链的红酒防伪溯源系统，该系统包括红酒厂商系统管理员单元、私有链去中心化记录单元、网络传输单元、各级经销商运输商单元。本发明提供的基于私有链的红酒防伪溯源系统能够做到过通过多个终端共享清单信息实现了去中心化。各个终端结点地理位置分散，使得篡改者逐级篡改的可能性降低，提高了数据安全性。此外，采用优化的梅克尔可信树、循环冗余校验算法、SM2算法实现更便利的人机交互体验，在保证安全性的同时保证高运算效率。将各级经销商、生产商的信息隐藏于二维码中，客户端通过扫描来查询信息，且可对仿造二维码的查询用户进行溯源，保证隐私性。
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公开(公告)号：CN102682473B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210139866.1
申请日：2012-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种虚拟服装的实时物理建模方法，涉及计算机图形三维仿真领域，包括以下步骤：步骤(1)，建立二维空间服装的几何模型，并对二维空间服装的几何模型进行规格化处理；步骤(2)，根据二维空间服装的几何模型建立三维空间映射关系，并进行面向服装物理建模的预处理；步骤(3)，在二维空间内对几何模型进行三角形点的融合处理，用以建立基本物理模型。本发明的有益效果在于：既能保证模拟效率的前提下，又能有比较迅速的物理建模，实时完成物理建模过程，会较以往建模方式得到较大速度提升。同时，支持角色服装的物理映射和多种模型弹簧的模拟仿真。
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公开(公告)号：CN106603448B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201611204290.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L25/03 , H04B7/0456 , H04B7/024
Abstract: 本发明公开了一种多小区多用户协作通信的干扰对齐方法，主要解决现有技术通信系统容量低、复杂度高的问题。其实现方案是：1.获取每个小区中的边缘用户数目；2.根据边缘用户数目，为每个小区选择不进行干扰对齐用户；3.随机产生每个小区中的不进行干扰对齐用户的接收滤波矩阵；4.根据进行干扰对齐用户的接收滤波矩阵，设计基站端的辅助预编码；5.根据辅助预编码，设计进行干扰对齐用户的接收滤波矩阵；6.根据用户的接收滤波矩阵，计算每个基站端的预编码矩阵；7.根据预编码矩阵和接收滤波矩阵，在收发两端进行数据传输,以消除掉干扰。本发明具有通信系统容量大、复杂度低的优点，可用于多小区多用户协作通信场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104201212B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410166403.3
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、P+离子注入区、二次N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+离子注入区处于二次N‑外延层的表面，沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，或者与P+离子注入区上下对齐，形状相同，浮动结采用圆形、六棱形或方形的块状埋层。本发明具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，该器件既有沟槽式碳化硅SBD肖特基接触面积大，正向导通电流大的优点，又有浮动结碳化硅SBD击穿电压大的优点。
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公开(公告)号：CN103187600B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310077089.7
申请日：2013-03-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多枝节加载方形谐振环的双模三通带滤波器，主要解决传统双模三通带滤波器频率选择性不易控制的问题。该滤波器包括微带介质基板(1)，金属接地板(2)，两个对称的多枝节加载方形谐振环(3,4)和输入输出馈线(11)；每一个多枝节加载方形谐振环包括一个方形金属环(5)、下微扰枝节(6)、上微扰枝节(7)、传输零点枝节(8)和一对微扰金属片(9,10)；两个微扰枝节(6,7)位于方形金属环(5)的一对外部对角，每个微扰枝节与金属环(5)两边平行，一对金属微扰片(9,10)位于金属环(5)的另一对对角内部，传输零点枝节(8)与下微扰枝节(6)并联，输入输出馈线(11)对称放置在介质基板(1)的上方，平行深入到方形金属环(5)的一边和上微扰枝节(7)的中间。本发明能提高频率选择性，具有良好的带外抑制，可用于无线通信系统。
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公开(公告)号：CN104201212A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410166403.3
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/0684
Abstract: 本发明涉及一种具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N-外延层、P+离子注入区、二次N-外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+离子注入区处于二次N-外延层的表面，沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，或者与P+离子注入区上下对齐，形状相同，浮动结采用圆形、六棱形或方形的块状埋层。本发明具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，该器件既有沟槽式碳化硅SBD肖特基接触面积大，正向导通电流大的优点，又有浮动结碳化硅SBD击穿电压大的优点。
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公开(公告)号：CN104078516A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410166389.7
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0623 , H01L21/26513 , H01L29/66143
Abstract: 本发明涉及一种基于离子注入的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，所述碳化硅SBD器件包括金属、Si02隔离介质、沟槽、一次N-外延层、P+离子注入区、二次N-外延层、N+衬底区、欧姆接触区，其中，所述沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，或者与非P+离子注入区，上下对齐，形状相同，沟槽和P+离子注入区为水平分布的条状的沟槽和浮动结。本发明集合了沟槽式碳化硅SBD和和浮动结碳化硅SBD的优点，提高了击穿电压，降低了导通电阻。
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公开(公告)号：CN104037236A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410166378.9
申请日：2014-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/0684
Abstract: 本发明涉及一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N-外延层、P+离子注入区、二次N-外延层、N+衬底区、欧姆接触区，其中，所述P+离子注入区处于深沟槽的拐角处下方；所述沟槽为深沟槽，沟槽的深度为1.5～8μm。本发明具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，继承沟槽式碳化硅SBD的基本结构，具有正向电流大的优点，同时克服了反向漏电流大的缺点。
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