-
公开(公告)号：CN117895250A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311805893.2
申请日：2023-12-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于爱因斯坦图案的稀疏阵列天线，主要解决现有非稀疏阵列成本高和稀疏阵列栅瓣控制优化设计计算量大，设计效率低的问题。其包括：多个天线单元、多个馈电路径、幅度控制单元和相位控制单元；每个天线单元规格统一，由具有十三边形的爱因斯坦图案形状天线辐射器组成。阵列分别基于1个、2个、4个爱因斯坦图案单元形成四类不同的拼接簇T、H、P、F；这些拼接簇进一步按照爱因斯坦图案不同指定边的连接规则交互匹配紧贴构成整体非周期排布阵列；通过对输入信号的幅度、相位控制实现阵列波束扫描。本发明布阵成本低，设计效率高，可用于雷达、通信、导航、信息对抗。
-
公开(公告)号：CN111565110B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010386215.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于RO PUF多核系统的统一身份认证系统及方法，用于解决现有技术中存在的对多核系统中IP核盗窃攻击认证准确率和效率较低的技术问题，实现步骤为：(1)黄金数据生成阶段：ID信息生成模块生成黄金ID信息、第一IO模块生成激励‑响应对、指纹编码模块生成黄金系统级指纹并存入数据库(2)对RO PUF多核终端进行注册：指纹编码模块生成注册系统级指纹，比较模块进行注册比较；(3)认证阶段：指纹编码模块生成认证系统级指纹，比较模块进行认证比较；本发明提出的方法依赖于多个RO PUF IP核，通过对多个RO PUF IP核输入激励信号，得到响应信号来组成系统级指纹，提高了统一身份认证系统及方法的认证准确率和认证效率。
-
公开(公告)号：CN112465224A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011363890.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于标准化流的股票走势预测系统及方法，通过变分方法将推特文本和历史股价信息编码到随机变量中，然后结合标准化流更加有效的学习引入了推特文本和历史股价信息的潜在表示，从而能够捕获多元时间序列的时间模式，实现对股票走势的有效预测。
-
公开(公告)号：CN111565110A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010386215.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于RO PUF多核系统的统一身份认证系统及方法，用于解决现有技术中存在的对多核系统中IP核盗窃攻击认证准确率和效率较低的技术问题，实现步骤为：(1)黄金数据生成阶段：ID信息生成模块生成黄金ID信息、第一IO模块生成激励-响应对、指纹编码模块生成黄金系统级指纹并存入数据库(2)对RO PUF多核终端进行注册：指纹编码模块生成注册系统级指纹，比较模块进行注册比较；(3)认证阶段：指纹编码模块生成认证系统级指纹，比较模块进行认证比较；本发明提出的方法依赖于多个RO PUF IP核，通过对多个RO PUF IP核输入激励信号，得到响应信号来组成系统级指纹，提高了统一身份认证系统及方法的认证准确率和认证效率。
-
公开(公告)号：CN105046325B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510387991.8
申请日：2015-07-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/067
Abstract: 一种基于类MOS发光器件模拟生物神经网络的电路，属于半导体集成电路和生物神经网络技术领域。包括两个以上的神经基本单元和光的传输通路，所述神经基本单元包括用于接收光信号并将光信号转换为电信号的光的接收转换装置来模拟生物神经网络的神经突触和用于将所述电信号转换为光信号的类MOS发光器件来模拟生物神经网络的神经元；所述光的传输通路用来模拟生物神经网络的轴突；所述两个以上的神经基本单元通过光的传输通路串联或/和星形连接，从而模拟生物神经网络。本发明模拟生物神经网络的电路能与CMOS工艺兼容且具有速度快、面积小、效率高、便于集成等优点，对人工智能等方面的研究与发展带来了积极的意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107220924A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710234558.X
申请日：2017-04-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于图像重建技术领域，公开了一种基于GPU加速PET图像重建的方法，包括：通过蒙特卡罗仿真生成系统矩阵，根据平板PET系统的对称性，分别基于响应线与体素提取系统矩阵的子集；基于系统矩阵关于响应线的子集，进行前向投影的计算，计算过程中根据响应线的对称性计算系统矩阵关于响应线的子集的补集；基于系统矩阵关于体素的子集，进行反向投影的计算，计算过程中根据体素的对称性计算系统矩阵关于体素的子集的补集，对重建图像进行数据更新，迭代结束，数据输出。本发明有效减少了PET图像重建的时间，有效的提升重建图像的灵敏度；为研究小动物体内代谢过程以及生物体局部代谢状态提供更为精确的功能信息。
-
公开(公告)号：CN104022220B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410270942.1
申请日：2014-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN超晶格电子发射层GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件功率低、散热差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层采用AlGaN/GaN超晶格，该超晶格有4到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10-20nm，且AlGaN层中的Al组分自下而上由0％线性渐变到15％。本发明能显著减小“死区”长度,降低位错浓度，适用于太赫兹频段工作。
-
公开(公告)号：CN104009157B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201410272508.7
申请日：2014-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件输出功率低、散热性差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，该主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n‑GaN有源层和n+GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层厚度为200～600nm，且采用自下而上先由0％线性渐变到100％，再由100％线性渐变到0％的双线性渐变Al组分AlGaN结构。本发明能显著减小“死区”长度、降低位错浓度，实现大功率输出，适用于太赫兹频段工作。
-
公开(公告)号：CN103546157B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310504174.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/66
Abstract: 本发明涉及电流舵数模转换装置，包括相连接的偏置数模转换器和数字逻辑控制单元，所述偏置数模转换器的输出端连接待校正数模转换器后，通过选通开关分别连接第一电流比较器和互换开关，其中第一电流比较器的输出端连接所述的数字逻辑控制单元，互换开关通过电流减法器，经第二电流比较器后连接数字逻辑控制单元，并且数字逻辑控制单元的控制端连接至所述互换开关的控制端。本发明通过具有选通窗口的方式来快速建立数模转换器结构，大幅度优化了数模转换器在数字校正过程中校正时间和功耗的消耗，克服了在数字校正过程中校正时间和功耗的消耗过大的问题，有效拓展了数模转换器的快速建立以及低功耗的应用。
-
公开(公告)号：CN103309392B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310216518.4
申请日：2013-06-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路领域，其公开了一种新型的二阶温度补偿的无运放全CMOS基准电压源，解决传统技术中的基准电压源的结构带来的占用芯片面积大、功耗高的问题，该基准电压源包括电压基准偏置电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路及基准电压输出级电路；所述电压基准偏置电路的输出端与所述CTAT电压产生电路及基准电压输出级电路相连；所述CTAT电压产生电路和与其满足镜像电流关系的所述基准电压输出级电路相连；所述PTAT电压产生电路的输出端与所述基准电压输出级电路相连；所述基准电压输出级的输出端作为整个CMOS基准电压源的输出端，输出恒定的基准电压；本发明适用于需求基准电压源的模拟电路中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.04 seconds)
