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公开(公告)号：CN107910372A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711119031.9
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/51
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/41775 , H01L29/42316 , H01L29/475 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，特别涉及一种氮化镓栅控遂穿双向开关器件。本发明提供了一种不存在欧姆接触的氮化镓栅控遂穿双向开关器件，可以避免高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过每个肖特基接触附近的绝缘栅结构控制肖特基接触下方势垒层的能带结构来改变该器件的工作状态，实现该器件的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN107910364B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201711119005.6
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明提供了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过绝缘栅控制栅极下方沟道二维电子气的耗尽实现器件的开启和关断，以及基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触，并通过高功函数金属形成肖特基漏极来实现器件的反向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容，同时可以在较低的温度条件制备该器件。
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公开(公告)号：CN107910364A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711119005.6
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/402 , H01L29/41725 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/475
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明提供了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过绝缘栅控制栅极下方沟道二维电子气的耗尽实现器件的开启和关断，以及基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触，并通过高功函数金属形成肖特基漏极来实现器件的反向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容，同时可以在较低的温度条件制备该器件。
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公开(公告)号：CN107910370A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711119247.5
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/47 , H01L21/331
Abstract: 本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓横向整流器件。为优化氮化镓横向整流器的器件导通功耗与器件耐压之间的矛盾关系，本发明提出了一种具有复合栅结构的氮化镓异质结横向整流器。本发明的复合栅极结构由增强型栅结构和耗尽型栅结构两部分构成。通过优化器件的增强型栅结构和耗尽型栅结构的尺寸，可以使器件同时具有低的导通电阻和高的反向耐压。同时本发明的制造工艺与传统氮化镓HEMT器件工艺兼容，可以实现与传统氮化镓HEMT器件的单片集成。
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公开(公告)号：CN107910369A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711118998.5
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/47 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/66325 , H01L29/7393
Abstract: 本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓异质结双向开关器件。本发明提出了一种无欧姆接触的氮化镓双向开关器件，可避免高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。本发明基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触和肖特基漏极接触。同时本发明通过两个绝缘栅结构来改变器件的工作状态，实现双向开关器件的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件工艺可以与传统的CMOS工艺兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107845630A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711000666.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种GaN基单片集成式半桥电路。与常规的由分立器件组成的半桥电路不同的是，本发明将两个增强型GaN HEMT及GaN基二极管集成至同一芯片模块上，这便于降低寄生电感，增加开关管开关速度，从而降低开关管开关功耗。同时，在半桥电路的下管两端反向并联场控二极管，这能够减小二极管电极与下管电极之间的寄生电感，使二极管与下管沟道之间能够实现快速的换流。同时，由于场控二极管的正向导通压降较低，能大幅度降低死区时间导通压降，提高系统的效率。另外，由于场控二极管制备工艺与增强型GaN HEMT完全兼容，大大降低了制备工艺的复杂程度。该型半桥电路模块适用于Buck、Boost及Buck-Boost电路等。
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公开(公告)号：CN107170810B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710371935.4
申请日：2017-05-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明针对常规的逆阻型AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管与传统硅CMOS工艺不兼容以及器件制备温度高等问题，本发明提出了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件。本发明所提出的逆阻型氮化镓器件具有与传统硅工艺兼容、可低温制备等优点。
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公开(公告)号：CN106653837B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201611095490.3
申请日：2016-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/47
Abstract: 本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种氮化镓双向开关器件。本发明提供了一种不存在欧姆接触的栅控遂穿双向开关器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响(如电流崩塌，与传统CMOS工艺不兼容)。通过每个肖特基接触附近的绝缘栅结构控制肖特基接触的能带结构来改变器件的工作状态，实现双向开关的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN109888006A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910185250.X
申请日：2019-03-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种低功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管。本发明对传统横向绝缘栅双极型晶体管的阴极区进行了改造，将器件分为MOS区和传统LIGBT结构区，MOS区分为第一NMOS区和第二MOS区，第一NMOS区和第二MOS区共用一个P+源极短路区。传统LIGBT结构区的栅极与第一NMOS的栅极通过金属互联作为本发明器件栅极，第一NMOS的N+漏区通过金属互联与传统LIGBT的N+源区连接，传统LIGBT的P+源区通过金属互联与第二N型MOS的栅极和漏极相连，传统LIGBT的N+源区通过金属互联与第一N型MOS的N+漏区相连，第一和第二NMOS的N+源区及共用的P+源极短路区通过金属短接作为本发明器件的阴极，传统LIGBT结构区的阳极作为本发明器件阳极。
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公开(公告)号：CN108831932A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810678927.9
申请日：2018-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/207 , H01L29/205
Abstract: 本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管。本发明公开了一种基于具有变铝组分势垒层(Al0～0.50GaN)异质结的混合阳极二极管，具体结构是在GaN层上方生长一层薄的变铝组分Al0～0.50GaN层作为势垒层，AlGaN势垒层中Al摩尔分量从0％到50％渐变。薄的变铝组分AlGaN层能够减小肖特基阳极电极到二维电子气的距离，增加沟道二维电子气浓度，并消除AlGaN/GaN异质结处导带差，进而能够降低所提出器件的开启电压和导通压降。同时阳极部分的金属-绝缘体-半导体结构(MIS)能够有效降低器件反向漏电流，增加器件反向耐压。
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