无人系统中位置感知的层次化群组密钥管理方法

    公开(公告)号:CN116800401A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310972429.6

    申请日:2023-08-03

    Abstract: 本发明公开了一种无人系统中位置感知的层次化群组密钥管理方法,主要解决现无人系统网络,在通信时无法保证成员位置隐私,且存在恶意无人系统成员篡改距离值风险的问题。其实现方案是:构建包括m个簇的分层无人系统网络;将m个簇中工作量最大的簇作为目标簇,计算目标簇头与其余每个簇头位置之间的距离d,并将距离最近的有闲置无人系统簇调配到目标簇;簇头生成簇的群组密钥,保证簇内安全通信;计算每个簇的簇成员与簇头之间的距离d′,根据该距离d′判断簇成员无人系统是否在系统规定的簇范围Δd内。本发明增强了无人系统成员位置隐私数据的安全性,提高了成员间协作的效率和可靠性,可用于分层无人系统网络中对群组密钥的动态规划。

    一种基于内容和评分的组合预测方法

    公开(公告)号:CN105183748B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201510408040.4

    申请日:2015-07-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于内容和评分的组合预测方法,属于推荐系统领域。本发明包括:根据用户信息以及物品信息生成用户和物品特征,根据现有用户对物品的评分生成内容特征,使用评分作为类标,将类标与生成的内容特征结合,作为分类器的输入进行训练得到基于内容的评分预测模型,通过对现有的用户‑物品评分矩阵进行填充形成更为稠密的用户‑物品评分矩阵,通过对稠密的用户‑物品评分矩阵进行学习从而形成最终的预测结果。本发明通过利用用户的个人信息以及物品的信息来提高最终评分预测的精确度。

    一种基于词语对齐模型的web评论情感分析方法

    公开(公告)号:CN105117428A

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201510471154.3

    申请日:2015-08-04

    CPC classification number: G06F17/30864 G06F17/277 G06F17/2785

    Abstract: 本发明属于自然语言处理情感分析领域,公开了一种基于词语对齐模型的web评论情感分析方法。该方法具体内容包括:从网页上获取评论信息并对这些内容进行预处理;基于改进的机器翻译模型,获取评论中的候选情感词和候选评价对象词;然后利用情感词和评价对象词语之间的情感关系和词语本身的特性指标,从候选词列表中抽取出情感词和评价对象;最后用一种有效的多分类回归模型对评价对象对应的情感词进行情感倾向判定。本发明在多个类别的评论数据集上进行了实验,得到了较好的实验结果。

    实时人体骨骼关节点检测方法

    公开(公告)号:CN108647639B

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201810441934.7

    申请日:2018-05-10

    Abstract: 本发明提供了一种实时人体骨骼关节点检测方法,属于图像处理领域。本发明设计了一种层次上下文姿态检测网络,采用数字图像处理技术以及深度学习实现对不同姿态,不同光照,不同尺度大小的人体实时的检测出骨骼关节点的坐标,在保证精度的同时下实现了实时的检测方法,能够显著降低模型的计算量,保证了模型训练和部署使用的效率。

    一种基于内容和评分的组合预测方法

    公开(公告)号:CN105183748A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510408040.4

    申请日:2015-07-13

    CPC classification number: G06F17/30864 G06F17/30867

    Abstract: 本发明公开了一种基于内容和评分的组合预测方法,属于推荐系统领域。本发明包括:根据用户信息以及物品信息生成用户和物品特征,根据现有用户对物品的评分生成内容特征,使用评分作为类标,将类标与生成的内容特征结合,作为分类器的输入进行训练得到基于内容的评分预测模型,通过对现有的用户-物品评分矩阵进行填充形成更为稠密的用户-物品评分矩阵,通过对稠密的用户-物品评分矩阵进行学习从而形成最终的预测结果。本发明通过利用用户的个人信息以及物品的信息来提高最终评分预测的精确度。

    基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件

    公开(公告)号:CN113871478B

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202111025927.7

    申请日:2021-09-02

    Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件,在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极,通过背栅与顶栅控制沟道,实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面,通过顶部栅极偏置电压,使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压,削弱顶部栅所产生的电场,使得沟道二维电子气重新产生,实现P型沟道器件特性。另一方面,在开态下,进一步减小底部栅极偏置电压,异质结界面三角形势阱的深度增加,从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件,避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气,P型沟道的HEMT器件难以制造的难题,为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。

Patent Agency Ranking