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公开(公告)号：CN110444894A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910680258.3
申请日：2019-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01Q9/40 , H01Q1/36 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q1/08 , H01Q19/10 , H01Q15/14 , H01Q1/27
Abstract: 本发明提出了一种基于石墨烯柔性导电膜的圆极化可穿戴天线，主要解决现有可穿戴天线重量过大，且难以实现圆极化的问题。其包括辐射单元(1)、介质支撑层(2)及人工磁导体反射面(3)，天线整体置于人工磁导体结构之上，使得后向辐射与人体被人工磁导体隔离开来，保证了人体组织的安全，辐射单元斜45°放置于人工磁导体之上，以使前向辐射的电磁波与经由人工磁导体反射的电磁波共同作用，形成天线圆极化的工作方式，使用柔性介质板作为辐射单元和人工磁导体反射面的衬底，并使用石墨烯导电薄膜作为辐射单元和人工磁导体反射面导体材料，保障了天线的柔性特质，减小了天线的重量。本发明的可穿戴天线可用于人体无线通讯系统中。
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公开(公告)号：CN108808269A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810594837.1
申请日：2018-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于滤波巴伦的多层结构集成滤波天线，主要解决传统单层微带结构的滤波天线体积较大的问题。其包括介质基板、滤波部分和辐射单元。介质基板包括两层微带介质基板和金属地面；滤波部分包括输入端口、位于介质基板左侧的滤波巴伦，以及与其相连的两个输出端口；滤波巴伦包括刻蚀在上层介质基板上的两个面对面的C形二阶阶梯阻抗谐振器和刻蚀在下层介质基板上表面的两个背靠背的C形二阶阶梯阻抗谐振器；辐射单元刻蚀在上层介质基板的上表面，其包括两条的微带线，两个蝶形印刷偶极子和一个引向器。本发明具有结构紧凑、带宽宽、频率边缘选择性高和带外抑制好的优点，可用于无线通信系统射频前端。
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公开(公告)号：CN107248608A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710522637.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/16
CPC classification number: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯薄膜的双层微带多路功分器，主要解决现有技术微带多路功率分配器需要焊接集总电阻，焊接繁琐，效率低，难以集成等问题。包括双层介质基板，输入端口，N个输出端口，上层基板上表面和下层基板下表面散射分布的微带线，两层基板之间为金属接地面，金属化过孔穿过接地面将上下层微带电连接，且不与金属接地面接触，下层基板下表面微带线集中端加载方阻500Ω/sq的圆形石墨烯薄膜。本发明采用圆形石墨烯薄膜代替传统的集总隔离电阻，采用PCB与激光刻蚀工艺，实现功分器一次成型，避免了高频时集总电阻所产生的寄生效应，实现了平面多路功分器的小型化和高隔离，用于相控阵雷达、天线馈线系统等微波通信系统。
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公开(公告)号：CN105925962A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610511024.2
申请日：2016-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C18/12
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1225
Abstract: 一种双面连续镀多层膜的金属有机沉积卷绕镀膜机，包括至少一个镀膜系统，每个镀膜系统包括卷绕装置、溶液槽、烧结炉、排气风机，卷绕装置包括用于换向的第一滑轮和第二滑轮，用于实现多次镀膜的上、下滚轮组；基材通过放卷盘进入镀膜系统，经第一滑轮换向后卷绕于下滚轮组的一个滚轮上，依次通过溶液槽和烧结炉后完成一次成膜，经上滚轮换向后继续进入下滚轮组中的另一个滚轮上，开始第二次成膜，多次重复，直到下滚轮组的滚轮上全部卷绕基材后，完成薄膜的沉积。本发明卷绕镀膜机在不增加溶液槽和烧结炉的情况下实现了一次卷绕周期内基材双面多层膜的沉积，大大提高了卷绕镀膜机双面镀膜的效率，可实现长带材上多层薄膜的沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106893973B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710156286.6
申请日：2017-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于多晶薄膜领域，提供一种在非晶基带表面制备双轴织构NaCl薄膜的方法；首先Hastelloy合金基带进行溶液平坦化沉积得到表面沉积有非晶氧化钇的基带，然后采用离子束辅助沉积在基带表面制备得一层IBAD‑NaCl薄膜，最后再沉淀一层自外延NaCl层。本发明在经过溶液平坦化处理得到的哈氏合金非晶层表面制备出具有双轴织构的NaCl薄膜，该方法制备得薄膜不仅具有优秀的面内外织构，质量已经非常接近单晶，而且工艺简单，无毒害，成本低廉，适合大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN109037870A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810776323.8
申请日：2018-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯纳米片的宽带可调共面波导衰减器，主要解决现有传统衰减器尺寸大，不易集成，工作频带窄，制作成本高，可调结构偏置电路复杂的问题。其包括输入端口(1)，输出端口(2)，单层介质基板(5)，中心导体带(4)和金属地板(3)，中心导体带位于基板上表面的中间位置，金属地板位于基板上表面的两侧位置，中心导体带和金属地板之间设有N对石墨烯纳米片(6)，石墨烯纳米片可等效成电阻对能量进行损耗，通过调节该等效电阻值实现对能量衰减大小的调节；本发明具有结构简洁、带宽宽、频率可调，匹配好的优点，可用于相控阵天线各单元的幅度加权，进行射频电路的阻抗匹配以及改善射频放大器的稳定性。
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公开(公告)号：CN107248608B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710522637.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯薄膜的双层微带多路功分器，主要解决现有技术微带多路功率分配器需要焊接集总电阻，焊接繁琐，效率低，难以集成等问题。包括双层介质基板，输入端口，N个输出端口，上层基板上表面和下层基板下表面散射分布的微带线，两层基板之间为金属接地面，金属化过孔穿过接地面将上下层微带电连接，且不与金属接地面接触，下层基板下表面微带线集中端加载方阻500Ω/sq的圆形石墨烯薄膜。本发明采用圆形石墨烯薄膜代替传统的集总隔离电阻，采用PCB与激光刻蚀工艺，实现功分器一次成型，避免了高频时集总电阻所产生的寄生效应，实现了平面多路功分器的小型化和高隔离，用于相控阵雷达、天线馈线系统等微波通信系统。
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公开(公告)号：CN108987874A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810808837.7
申请日：2018-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯纳米片的耦合度可调微带线耦合器，主要解决现有传统耦合器尺寸大，耦合度不可调节或结构复杂的问题。其包括输入端口(1)、直通端口(2)、耦合端口(3)、隔离端口(4)、金属地板(5)和上层金属贴片(6)；金属地板与上层金属贴片之间设有单层介质板(7)，隔离端口与耦合端口的两侧均对称分布有金属化过孔(8)，每个金属化过孔上放置正方形金属片，用于与石墨烯纳米片(9)的连接与固定；上层金属贴片与每个金属化过孔之间的缝隙中设有N对石墨烯纳米片，用以改变偏置电压调节其等效电阻，实现不同程度的能量耦合。本发明结构简单，耦合度调节范围大，可用于功率检测、信号的隔离、分离和混合。
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公开(公告)号：CN106893973A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710156286.6
申请日：2017-03-16
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/024 , C23C14/0694 , C23C14/221 , C23C14/30
Abstract: 本发明属于多晶薄膜领域，提供一种在非晶基带表面制备双轴织构NaCl薄膜的方法；首先Hastelloy合金基带进行溶液平坦化沉积得到表面沉积有非晶氧化钇的基带，然后采用离子束辅助沉积在基带表面制备得一层IBAD‑NaCl薄膜，最后再沉淀一层自外延NaCl层。本发明在经过溶液平坦化处理得到的哈氏合金非晶层表面制备出具有双轴织构的NaCl薄膜，该方法制备得薄膜不仅具有优秀的面内外织构，质量已经非常接近单晶，而且工艺简单，无毒害，成本低廉，适合大规模工业化应用。
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