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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101431097B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810147819.5
申请日：2008-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种薄层SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层厚度为1μm～2μm，在体区与漂移区之间做有空穴势垒层，将空穴最大限度“挡”在漂移区内，从而增加漂移区中靠阴极侧的空穴浓度，降低器件导通损耗。在空穴势垒层旁还可以增加P型耗尽区，辅助耗尽N型空穴势垒层，以增强器件承受高压时的漂移区耗尽，改善器件的击穿特性。本发明具有寄生效应小、速度快、功耗低、抗辐照能力强等优点，且与标准工艺兼容。采用本发明可以制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的LIGBT功率器件。
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公开(公告)号：CN101431096A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810147818.0
申请日：2008-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在器件阴极侧增加一个收集阳极注入空穴的深结P+掺杂区(15)，以降低流过阴极N+区(11)下P型体区(8)中的空穴电流，并缩短阴极N+区(11)下寄生P型体区(8)电阻长度，从而防止P型体区(8)和阴极N+区(11)构成的PN结正向导通，避免由阴极N+区(11)、P型体区(8)和N－漂移区(14)构成的寄生NPN管开启，提高LIGBT器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN101510551B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910058734.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 等离子平板显示器驱动芯片用高压器件，属于半导体功率器件领域。在衬底、埋氧层和SOI层上建立高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件和高压nLIGBT器件，用深槽介质隔离区分开。处于衬底和SOI层中间的埋氧层和深槽介质隔离区实现了器件和低压逻辑电路的全介质隔离。SOI层的厚度为8～15μm，可以满足器件高耐压的要求，与薄层SOI技术相比自热效应得到明显的缓解，且nLIGBT器件具有低的导通电阻。这组基于厚层SOI的等离子平板显示器驱动芯片用高压器件充分利用了SOI技术的低漏电、占用芯片面积小、高速、高集成度、低功耗的特点，满足了大尺寸等离子平板显示器的发展需求。
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公开(公告)号：CN101510551A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910058734.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 等离子平板显示器驱动芯片用高压器件，属于半导体功率器件领域。在衬底、埋氧层和SOI层上建立高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件和高压nLIGBT器件，用深槽介质隔离区分开。处于衬底和SOI层中间的埋氧层和深槽介质隔离区实现了器件和低压逻辑电路的全介质隔离。SOI层的厚度为8～15μm，可以满足器件高耐压的要求，与薄层SOI技术相比自热效应得到明显的缓解，且nLIGBT器件具有低的导通电阻。这组基于厚层SOI的等离子平板显示器驱动芯片用高压器件充分利用了SOI技术的低漏电、占用芯片面积小、高速、高集成度、低功耗的特点，满足了大尺寸等离子平板显示器的发展需求。
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公开(公告)号：CN101431097A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810147819.5
申请日：2008-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种薄层SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层厚度为1μm～2μm，在体区与漂移区之间做有空穴势垒层，将空穴最大限度"挡"在漂移区内，从而增加漂移区中靠阴极侧的空穴浓度，降低器件导通损耗。在空穴势垒层旁还可以增加P型耗尽区，辅助耗尽N型空穴势垒层，以增强器件承受高压时的漂移区耗尽，改善器件的击穿特性。本发明具有寄生效应小、速度快、功耗低、抗辐照能力强等优点，且与标准工艺兼容。采用本发明可以制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的LIGBT功率器件。
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