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公开(公告)号：CN117453001A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311447101.9
申请日：2023-11-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种新型高精度带隙基准源，属于模拟集成电路技术领域，包括开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器；开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器依次连接；基极电流补偿模块还与Vref产生器和输出驱动器连接；输出驱动器还与Vref产生器连接，并形成负反馈环路。本发明具有温度系数低、避免使用运算放大器，带负载能力强且工作电压范围广的特点，具有高温下自动关断的功能，起到高温下节省功耗的作用，具有升温时电路关断阈值温度变得更高，降温时电路开启阈值温度变得更低的迟滞效果。
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公开(公告)号：CN103973243B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310028034.7
申请日：2013-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明提供了一种拥有极大直流开环电压增益的CMOS运算放大器，包括第一晶体管M0、第二晶体管M1、第三晶体管M2、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8、第九晶体管M9、第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13、第十四晶体管M14、第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18，本发明的运算放大器通过使用晶体管M13—M18来形成反馈回路，与传统的折叠共源共栅放大器相比较，拥有极高的DC开环电压增益、很宽的单位增益带宽、很短的建立时间和不多的功耗。
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公开(公告)号：CN103973243A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310028034.7
申请日：2013-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明提供了一种拥有极大直流开环电压增益的CMOS运算放大器，包括第一晶体管M0、第二晶体管M1、第三晶体管M2、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8、第九晶体管M9、第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13、第十四晶体管M14、第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18，本发明的运算放大器通过使用晶体管M13—M18来形成反馈回路，与传统的折叠共源共栅放大器相比较，拥有极高的DC开环电压增益、很宽的单位增益带宽、很短的建立时间和不多的功耗。
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公开(公告)号：CN117453001B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311447101.9
申请日：2023-11-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种高精度带隙基准源，属于模拟集成电路技术领域，包括开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器；开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器依次连接；基极电流补偿模块还与Vref产生器连接；输出驱动器还与Vref产生器连接，并形成负反馈环路。本发明具有温度系数低、避免使用运算放大器，带负载能力强且工作电压范围广的特点，具有高温下自动关断的功能，起到高温下节省功耗的作用，具有升温时电路关断阈值温度变得更高，降温时电路开启阈值温度变得更低的迟滞效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112332848B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202011244609.5
申请日：2020-11-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种比较时间动态调整的低功耗比较器电路，正向输入处理模块输入VIP并产生第一结点信号连接到第一和第二反相器输入端；负向输入处理模块输入VIN并产生第二结点信号连接到第三和第四反相器输入端，设置不同翻转阈值电压的反相器，使得VIP大于VIN时，第一结点比第二结点电压下降速度快，在第一结点电压小于第二反相器翻转阈值电压，第二结点电压大于第三反相器翻转阈值电压时，比较器正向输出端输出高电平；当VIP小于VIN时，第一结点比第二结点电压下降速度慢，在第一结点电压大于第一反相器翻转阈值电压，第二结点电压小于第四反相器翻转阈值电压时，比较器负向输出端输出高电平；获得比较结果后关断比较器电路，实现比较时间动态调整，降低功耗。
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公开(公告)号：CN115793767A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211429505.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于低电压电路的高精度带隙基准电路，在现有Banba的低压基准源电路结构的基础上，通过设置反馈控制回路和采用NPN晶体管，实现了整个带隙基准电路对箝位放大器OP1失调电压VOS1不敏感。这个特性的意义在于，它极大地降低了带隙基准源电路对于箝位放大器OP1失调电压VOS1的要求，使得箝位放大器OP1不需要为了极低的输入失调电压而维持较大的功耗。在相同制造工艺下，输出基准电压精度处于同一水平的情况下，本发明方案中的OP1的功耗仅为现有技术的方案[3]中的OP1功耗的约1/9。同时，本发明整体电路的功耗仅为方案[3]中的40％。
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公开(公告)号：CN113114247B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110416761.5
申请日：2021-04-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种基于比较时间探测器的流水线ADC级间增益校准方法。本发明的方法是基于比较时间探测器电路的特性实现对放大器增益误差的校准。比较时间探测器最开始常用在SAR ADC中用于校准电容失配，本发明将比较时间探测器运用于流水线ADC中，使用比较时间探测器对流水线ADC的级间增益误差进行校准，并通过改进的算法解决了由比较器偏移引起的校准精度下降问题。本发明提出的级间增益校准方法原理简单且易于实现，能够适用于任何流水线型模数转换器，用于校准流水线型模数转换器输出码字中由级间增益误差带来的误差，显著的提高了级间增益的校准精度，从而有效提升了整体ADC的性能。
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公开(公告)号：CN112327986A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011199664.7
申请日：2020-10-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种基于钳位的带隙基准电压源，本发明采用新型的带隙基准钳位结构，将晶体管Q1和Q2的基极相连同时与第三电阻相连，使得第二电阻上的压降精确地等于Q1和Q2的Vbe之差，解决了传统结构严重依赖X1节点与X2节点电压相等的缺点，从而降低了对第一运算放大器性能的要求和有效提高了带隙基准源的精度。另外，本发明通过将第三NMOS管与Q1并联、第四NMOS管与Q2并联，极大地减小通过Q1和Q2的电流，有效降低了晶体管的Vbe电压，从而能在低电压下实现该结构；另外通过添加第五电阻、第六电阻和第七电阻，有效地减小了第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的失配导致电流变化的影响，从而保证了基准源的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN111723587A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010578711.2
申请日：2020-06-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向跨语言知识图谱的汉泰实体对齐方法，其特征在于，包括如下步骤：1）双语数据集获取；2）机器翻译模型构建与训练；3）实体抽取；4）实体翻译与匹配。这种方法可以更加有效，更精确的实现双语实体对齐，解决目前跨语言知识图谱构建实体对齐程度较低的问题。
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