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公开(公告)号:CN117453001B
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202311447101.9
申请日:2023-11-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种高精度带隙基准源,属于模拟集成电路技术领域,包括开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器;开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器依次连接;基极电流补偿模块还与Vref产生器连接;输出驱动器还与Vref产生器连接,并形成负反馈环路。本发明具有温度系数低、避免使用运算放大器,带负载能力强且工作电压范围广的特点,具有高温下自动关断的功能,起到高温下节省功耗的作用,具有升温时电路关断阈值温度变得更高,降温时电路开启阈值温度变得更低的迟滞效果。
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公开(公告)号:CN116755503A
公开(公告)日:2023-09-15
申请号:CN202310562058.4
申请日:2023-05-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种对工艺变化免疫的曲率补偿方法及电路,主要解决现有曲率补偿技术会受工艺变化影响,无法实现对工艺变化免疫的问题。该方法通过对基准电路中的基准电压利用电阻进行分压,将分压后的电压施加于形成差分对结构的两个尺寸相同的双极结型晶体管的基极,利用两个双极结型晶体管的集电极电流之差构成具有非线性成分的补偿电流,从而抵消基准电压中的非线性成分。它不仅可用在带隙基准电路中,也可用在Zener基准电路中。它的曲率补偿效果不受工艺变化影响。用户可以方便地改变曲率补偿的大小和方向。
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公开(公告)号:CN117453001A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311447101.9
申请日:2023-11-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种新型高精度带隙基准源,属于模拟集成电路技术领域,包括开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器;开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器依次连接;基极电流补偿模块还与Vref产生器和输出驱动器连接;输出驱动器还与Vref产生器连接,并形成负反馈环路。本发明具有温度系数低、避免使用运算放大器,带负载能力强且工作电压范围广的特点,具有高温下自动关断的功能,起到高温下节省功耗的作用,具有升温时电路关断阈值温度变得更高,降温时电路开启阈值温度变得更低的迟滞效果。
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