公开(公告)号：CN115793767A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211429505.0

申请日：2022-11-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 庄浩宇 ,  曹毅睿 ,  张若凡 ,  李强

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种用于低电压电路的高精度带隙基准电路，在现有Banba的低压基准源电路结构的基础上，通过设置反馈控制回路和采用NPN晶体管，实现了整个带隙基准电路对箝位放大器OP1失调电压VOS1不敏感。这个特性的意义在于，它极大地降低了带隙基准源电路对于箝位放大器OP1失调电压VOS1的要求，使得箝位放大器OP1不需要为了极低的输入失调电压而维持较大的功耗。在相同制造工艺下，输出基准电压精度处于同一水平的情况下，本发明方案中的OP1的功耗仅为现有技术的方案[3]中的OP1功耗的约1/9。同时，本发明整体电路的功耗仅为方案[3]中的40％。

公开(公告)号：CN115793767B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202211429505.0

申请日：2022-11-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 庄浩宇 ,  曹毅睿 ,  张若凡 ,  李强

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种用于低电压电路的高精度带隙基准电路，在现有Banba的低压基准源电路结构的基础上，通过设置反馈控制回路和采用NPN晶体管，实现了整个带隙基准电路对箝位放大器OP1失调电压VOS1不敏感。这个特性的意义在于，它极大地降低了带隙基准源电路对于箝位放大器OP1失调电压VOS1的要求，使得箝位放大器OP1不需要为了极低的输入失调电压而维持较大的功耗。在相同制造工艺下，输出基准电压精度处于同一水平的情况下，本发明方案中的OP1的功耗仅为现有技术的方案[3]中的OP1功耗的约1/9。同时，本发明整体电路的功耗仅为方案[3]中的40％。