公开(公告)号：CN117355924A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037403.6

申请日：2022-05-11

Applicant: 株式会社迪思科 ,  电化株式会社

Inventor： 本池进悟 ,  饭冢一树 ,  中村将 ,  莲见水贵

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种可提高基材层对于半导体晶圆的凸部的追随性的背面研磨用粘着片。根据本发明，可提供一种背面研磨用粘着片，是具有凸部的半导体晶圆的背面研磨用粘着片；包含基材层、以及设置于前述基材层上的粘着剂层，前述粘着剂层具有直径比前述半导体晶圆的直径更小的开口部，并贴附于前述半导体晶圆的外周部，以使前述半导体晶圆的凸部配置在前述开口部内，在前述半导体晶圆贴附于前述粘着剂层的状态下，构成为前述凸部被前述基材层保护，前述基材层包含缓冲层与阻挡层，前述基材层于25℃、RH0％依据JIS K 7126‑2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m2·24h·atm)以下。

公开(公告)号：CN118077037A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280067747.1

申请日：2022-10-07

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 莲见水贵 ,  本池进悟 ,  饭冢一树 ,  中村将

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/00 ,  C09J7/20 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种可提高半导体晶圆加工步骤中基材与载台的密接性的半导体晶圆加工用基材。根据本发明，提供一种基材，其是用于具有凸部的半导体晶圆的加工用粘合片的基材，上述基材于MD(Machine Direction，机械方向)及TD(Transverse Direction，横向)上以130℃加热10分钟后的热收缩率均为0％以上。

公开(公告)号：CN117378035A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037383.2

申请日：2022-05-11

Applicant: 株式会社迪思科 ,  电化株式会社

Inventor： 本池进悟 ,  饭冢一树 ,  中村将 ,  莲见水贵

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种粘着剂层的剥落受到抑制，且可轻易地将晶圆从粘着片剥下的背面研磨用粘着片。根据本发明，可提供一种背面研磨用粘着片，是具有凸部的半导体晶圆的背面研磨用粘着片；包含基材层、以及设置于前述基材层上的粘着剂层，前述粘着剂层具有直径比前述半导体晶圆的直径更小的开口部，并贴附于前述半导体晶圆的外周部，以使前述半导体晶圆的凸部配置在前述开口部内，在前述半导体晶圆贴附于前述粘着剂层的状态下，构成为前述凸部被前述基材层保护，前述基材层包含缓冲层与设置于缓冲层上的表面处理层，前述粘着剂层设置于前述表面处理层上，前述表面处理层由含有丙烯酸系树脂的丙烯酸系树脂组合物形成，前述丙烯酸系树脂通过光照射或加热而交联，前述粘着剂层由含有丙烯酸系树脂的丙烯酸系树脂组合物形成。

公开(公告)号：CN116982141A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280017307.5

申请日：2022-02-28

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中村千枝 ,  饭冢一树 ,  田中智章 ,  藤谷昌弘 ,  莲见水贵

IPC: H01L21/301

Abstract: 粘合胶带，其具有基材层及设置于该基材层上的粘合剂层，在23℃～150℃的温度范围内，前述粘合剂层的损耗模量G”为1.0×102Pa以上、1.6×105Pa以下，并且相同温度时的前述粘合剂层的储能模量G’与前述损耗模量G”之差(G’‑G”)的最小值M1为1.0×105Pa以上。