公开(公告)号：CN118077037A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280067747.1

申请日：2022-10-07

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 莲见水贵 ,  本池进悟 ,  饭冢一树 ,  中村将

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/00 ,  C09J7/20 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种可提高半导体晶圆加工步骤中基材与载台的密接性的半导体晶圆加工用基材。根据本发明，提供一种基材，其是用于具有凸部的半导体晶圆的加工用粘合片的基材，上述基材于MD(Machine Direction，机械方向)及TD(Transverse Direction，横向)上以130℃加热10分钟后的热收缩率均为0％以上。

公开(公告)号：CN117378035A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037383.2

申请日：2022-05-11

Applicant: 株式会社迪思科 ,  电化株式会社

Inventor： 本池进悟 ,  饭冢一树 ,  中村将 ,  莲见水贵

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种粘着剂层的剥落受到抑制，且可轻易地将晶圆从粘着片剥下的背面研磨用粘着片。根据本发明，可提供一种背面研磨用粘着片，是具有凸部的半导体晶圆的背面研磨用粘着片；包含基材层、以及设置于前述基材层上的粘着剂层，前述粘着剂层具有直径比前述半导体晶圆的直径更小的开口部，并贴附于前述半导体晶圆的外周部，以使前述半导体晶圆的凸部配置在前述开口部内，在前述半导体晶圆贴附于前述粘着剂层的状态下，构成为前述凸部被前述基材层保护，前述基材层包含缓冲层与设置于缓冲层上的表面处理层，前述粘着剂层设置于前述表面处理层上，前述表面处理层由含有丙烯酸系树脂的丙烯酸系树脂组合物形成，前述丙烯酸系树脂通过光照射或加热而交联，前述粘着剂层由含有丙烯酸系树脂的丙烯酸系树脂组合物形成。

公开(公告)号：CN112055734A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201980029526.3

申请日：2019-05-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 本池进悟 ,  田中秀 ,  中村将

IPC: C09J7/38 ,  C09J7/22 ,  C09J133/06 ,  C09J133/14 ,  C09J175/04 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供在加热处理的情况下也能抑制有机气体产生的粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法。该粘合带具有：基材膜，其在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点；和粘接层，其层叠于所述基材膜的至少一个面，含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂和(C)增粘树脂，(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(A‑1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、(A‑2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、(A‑3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯和(A‑4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，(C)增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂。

公开(公告)号：CN117355924A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037403.6

申请日：2022-05-11

Applicant: 株式会社迪思科 ,  电化株式会社

Inventor： 本池进悟 ,  饭冢一树 ,  中村将 ,  莲见水贵

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种可提高基材层对于半导体晶圆的凸部的追随性的背面研磨用粘着片。根据本发明，可提供一种背面研磨用粘着片，是具有凸部的半导体晶圆的背面研磨用粘着片；包含基材层、以及设置于前述基材层上的粘着剂层，前述粘着剂层具有直径比前述半导体晶圆的直径更小的开口部，并贴附于前述半导体晶圆的外周部，以使前述半导体晶圆的凸部配置在前述开口部内，在前述半导体晶圆贴附于前述粘着剂层的状态下，构成为前述凸部被前述基材层保护，前述基材层包含缓冲层与阻挡层，前述基材层于25℃、RH0％依据JIS K 7126‑2(等压法)测得的透氧度为1000ml/(m2·24h·atm)以下。

公开(公告)号：CN112055734B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201980029526.3

申请日：2019-05-24

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 本池进悟 ,  田中秀 ,  中村将

IPC: C09J7/38 ,  C09J7/22 ,  C09J133/06 ,  C09J133/14 ,  C09J175/04 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供在加热处理的情况下也能抑制有机气体产生的粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法。该粘合带具有：基材膜，其在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点；和粘接层，其层叠于所述基材膜的至少一个面，含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂和(C)增粘树脂，(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(A‑1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、(A‑2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、(A‑3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯和(A‑4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，(C)增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂。