粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN112055734B

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN201980029526.3

    申请日:2019-05-24

    Abstract: 本发明提供在加热处理的情况下也能抑制有机气体产生的粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法。该粘合带具有:基材膜,其在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点;和粘接层,其层叠于所述基材膜的至少一个面,含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂和(C)增粘树脂,(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(A‑1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、(A‑2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、(A‑3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯和(A‑4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯,(C)增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂。

    激光切割用粘合片以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN107148663B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201580066761.X

    申请日:2015-10-27

    Abstract: 本发明提供一种透过粘合片照射激光进行的激光切割时,可抑制粘合片上的激光的散射,且在粘合片上易于通过扩张进行芯片分割,并且,可抑制在芯片分割时产生的粉尘的附着,成品率良好的芯片的激光切割用粘合片。本发明提供一种激光切割用粘合片,其特征为基材膜的一侧的面上含有背面层,该背面层含有减摩剂和抗静电剂,另一面具有粘合剂层,所述背面层表面的算数平均粗糙度为Ra为0.1μm以下,所述粘合片在23℃下的拉伸弹性模量为50~200MPa,400~1400nm的波长区域的平行线透射率为85%以上。

    粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN112055734A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN201980029526.3

    申请日:2019-05-24

    Abstract: 本发明提供在加热处理的情况下也能抑制有机气体产生的粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法。该粘合带具有:基材膜,其在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点;和粘接层,其层叠于所述基材膜的至少一个面,含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂和(C)增粘树脂,(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(A‑1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、(A‑2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、(A‑3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯和(A‑4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯,(C)增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂。

    激光切割用粘合片以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN107148663A

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201580066761.X

    申请日:2015-10-27

    Abstract: 本发明提供一种透过粘合片照射激光进行的激光切割时,可抑制粘合片上的激光的散射,且在粘合片上易于通过扩张进行芯片分割,并且,可抑制在芯片分割时产生的粉尘的附着,成品率良好的芯片的激光切割用粘合片。本发明提供一种激光切割用粘合片,其特征为基材膜的一侧的面上含有背面层,该背面层含有减摩剂和抗静电剂,另一面具有粘合剂层,所述背面层表面的算数平均粗糙度为Ra为0.1μm以下,所述粘合片在23℃下的拉伸弹性模量为50~200MPa,400~1400nm的波长区域的平行线透射率为85%以上。

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