公开(公告)号：CN107148663B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201580066761.X

申请日：2015-10-27

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中岛刚介 ,  田中智章 ,  田中秀

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53 ,  B23K26/57 ,  C09J7/30 ,  C09J4/06 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种透过粘合片照射激光进行的激光切割时，可抑制粘合片上的激光的散射，且在粘合片上易于通过扩张进行芯片分割，并且，可抑制在芯片分割时产生的粉尘的附着，成品率良好的芯片的激光切割用粘合片。本发明提供一种激光切割用粘合片，其特征为基材膜的一侧的面上含有背面层，该背面层含有减摩剂和抗静电剂，另一面具有粘合剂层，所述背面层表面的算数平均粗糙度为Ra为0.1μm以下，所述粘合片在23℃下的拉伸弹性模量为50～200MPa，400～1400nm的波长区域的平行线透射率为85％以上。

公开(公告)号：CN116406410A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202180070717.1

申请日：2021-10-20

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中村千枝 ,  田中智章 ,  德井飒太 ,  莲见水贵

IPC: C09J133/04

Abstract: 粘合带，其具有基材层和设置于该基材层上的粘合剂层，所述粘合剂层包含光自由基引发剂和具有聚合性碳双键的聚合物A，紫外线照射后的所述粘合剂层的拉伸弹性模量为400MPa以下，紫外线照射后的所述粘合剂层的断裂伸长率为16％以上。

公开(公告)号：CN116982141A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280017307.5

申请日：2022-02-28

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中村千枝 ,  饭冢一树 ,  田中智章 ,  藤谷昌弘 ,  莲见水贵

IPC: H01L21/301

Abstract: 粘合胶带，其具有基材层及设置于该基材层上的粘合剂层，在23℃～150℃的温度范围内，前述粘合剂层的损耗模量G”为1.0×102Pa以上、1.6×105Pa以下，并且相同温度时的前述粘合剂层的储能模量G’与前述损耗模量G”之差(G’‑G”)的最小值M1为1.0×105Pa以上。

公开(公告)号：CN116391004A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202180070725.6

申请日：2021-10-20

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中村千枝 ,  田中智章 ,  德井飒太 ,  莲见水贵

IPC: C09J133/04

Abstract: 粘合带，其具有基材层、和设置于该基材层上的粘合剂层，前述粘合剂层包含光自由基引发剂、和具有聚合性碳双键的聚合物A，硅晶片表面对水的接触角R0、与在将前述粘合剂层贴附于前述硅晶片并放置24小时后对前述粘合剂层照射紫外线、并将前述粘合剂层剥离后的硅晶片表面对水的接触角R1之差|R0－R1|为20°以下。

公开(公告)号：CN107148663A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201580066761.X

申请日：2015-10-27

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中岛刚介 ,  田中智章 ,  田中秀

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53 ,  B23K26/57 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种透过粘合片照射激光进行的激光切割时，可抑制粘合片上的激光的散射，且在粘合片上易于通过扩张进行芯片分割，并且，可抑制在芯片分割时产生的粉尘的附着，成品率良好的芯片的激光切割用粘合片。本发明提供一种激光切割用粘合片，其特征为基材膜的一侧的面上含有背面层，该背面层含有减摩剂和抗静电剂，另一面具有粘合剂层，所述背面层表面的算数平均粗糙度为Ra为0.1μm以下，所述粘合片在23℃下的拉伸弹性模量为50～200MPa，400～1400nm的波长区域的平行线透射率为85％以上。