半导体器件及使用该半导体器件的半导体集成电路

    公开(公告)号:CN101901815B

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN201010194091.9

    申请日:2006-07-27

    CPC classification number: H01L27/1203 H01L29/78645 H01L29/78648

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件及使用该半导体器件的半导体集成电路,其根据电路的动作特性,灵活使用具有背栅的MOS,在宽度较宽的温度范围内实现高速且低功率的LSI。本发明使用具有薄膜埋入氧化膜层的FD-SOI,将薄膜埋入氧化膜层的下层半导体区域作为背栅,在逻辑电路块中,块中的负荷较轻的逻辑电路,适合块激活地从块外控制背栅的电压。在产生该背栅驱动信号的电路、以及电路块输出部等负荷较重的逻辑电路,使用连接了栅极和背栅的晶体管,利用栅极输入信号直接控制背栅。

    半导体存储器件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101908372A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN201010211925.2

    申请日:2006-09-30

    CPC classification number: G11C11/412

    Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件,在使用了小型化的晶体管的低功耗SRAM中,通过降低从漏电极流向衬底电极的漏电流和亚阈值漏电流,降低LSI电路整体的功耗,并且提高存储器单元的写入读出时的动作稳定性。并且,提供一种抑制因增加晶体管数量等造成的存储器单元的增加,抑制芯片面积的增大的技术。在使用具有BOX层的SOI或FD-SOI晶体管而构成的SRAM存储器单元中,通过控制驱动晶体管的BOX层下的阱电位,控制晶体管的阈值电压,使电流增加,从而能够实现存储器单元的稳定动作。

    半导体器件及使用该半导体器件的半导体集成电路

    公开(公告)号:CN101901815A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010194091.9

    申请日:2006-07-27

    CPC classification number: H01L27/1203 H01L29/78645 H01L29/78648

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件及使用该半导体器件的半导体集成电路,其根据电路的动作特性,灵活使用具有背栅的MOS,在宽度较宽的温度范围内实现高速且低功率的LSI。本发明使用具有薄膜埋入氧化膜层的FD-SOI,将薄膜埋入氧化膜层的下层半导体区域作为背栅,在逻辑电路块中,块中的负荷较轻的逻辑电路,适合块激活地从块外控制背栅的电压。在产生该背栅驱动信号的电路、以及电路块输出部等负荷较重的逻辑电路,使用连接了栅极和背栅的晶体管,利用栅极输入信号直接控制背栅。

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