公开(公告)号：CN106298933A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610462752.9

申请日：2016-06-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 有金刚 ,  冈田大介 ,  久本大

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14 ,  G11C16/344 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11563

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的驱动方法，提高具有非易失性存储器的半导体装置的特性。向非易失性存储器的存储器栅极电极部(MG)的端部(1S)施加第一电位1V，向存储器栅极电极部(MG)的端部(2S)施加比第一电位1V低的第二电位0V，由此使电流i沿存储器栅极电极部(MG)的延伸方向流动(St1)，然后，从存储器栅极电极部(MG)向其下方的电荷蓄积部注入空穴(h)，由此将蓄积于电荷蓄积部的电子消去(St2)。这样，通过使电流在存储单元区域(MA)的存储器栅极电极部(MG)中流动，能够产生焦耳热而对存储单元进行加热。

公开(公告)号：CN104681598B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201410688132.8

申请日：2014-11-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 有金刚 ,  冈田大介 ,  久本大

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种特性得到改进的具有非易失性存储器的半导体器件。在半导体器件中，非易失性存储器在控制栅极电极部与存储器栅极电极部之间具有高k绝缘膜(高介电常数膜)，而外围电路区域的晶体管具有高k/金属构造。布置在控制栅极电极部与存储器栅极电极部之间的高k绝缘膜，缓和了在存储器栅极电极部的在控制栅极电极部之侧的端部(角部)处的电场强度。这使得减少了电荷在电荷积累部(氮化硅膜)中的不均匀分布，并且改进了擦除精度。

公开(公告)号：CN104681598A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410688132.8

申请日：2014-11-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 有金刚 ,  冈田大介 ,  久本大

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种特性得到改进的具有非易失性存储器的半导体器件。在半导体器件中，非易失性存储器在控制栅极电极部与存储器栅极电极部之间具有高k绝缘膜(高介电常数膜)，而外围电路区域的晶体管具有高k/金属构造。布置在控制栅极电极部与存储器栅极电极部之间的高k绝缘膜，缓和了在存储器栅极电极部的在控制栅极电极部之侧的端部(角部)处的电场强度。这使得减少了电荷在电荷积累部(氮化硅膜)中的不均匀分布，并且改进了擦除精度。

公开(公告)号：CN106486488A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610599922.8

申请日：2016-07-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 有金刚 ,  久本大

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11568

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32133 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法，提高具有非易失性存储器的半导体装置的特性。如下构成具有配置于非易失性存储器的半导体基板的上方的控制栅极电极部(CG)以及存储器栅极电极部(MG)的半导体装置。在控制栅极电极部(CG)的下方的控制栅极绝缘膜(CGI)的存储器栅极电极部(MG)侧的端部设置厚膜部(CGIa)。根据上述构造，能够利用FN隧道消除方式在存储器栅极电极部(MG)的角部高效地注入空穴，也能够利用SSI注入方式在存储器栅极电极部(MG)的角部高效地注入电子。由此，能够缓和电子/空穴分布的不匹配，能够提高存储器单元的保留特性。

公开(公告)号：CN104934434A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510122287.X

申请日：2015-03-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 有金刚 ,  久本大 ,  冈田大介

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。存储器栅极由第一存储器栅极和第二存储器栅极形成，该第一存储器栅极包括由第二绝缘膜和第一存储器栅极电极制成的第二栅极绝缘膜，该第二存储器栅极包括由第三绝缘膜和第二存储器栅极电极制成的第三栅极绝缘膜。此外，第二存储器栅极电极的下表面在水平高度上位于低于第一存储器栅极电极的下表面。结果，在擦除操作期间，电场集中在第一存储器栅极电极的定位更靠近选择栅极和半导体衬底的角部上，并且集中在第二存储器栅极电极的定位更靠近第一存储器栅极和半导体衬底的角部上。这使得易于将空穴注入到第二和第三绝缘膜中的每一个中。

公开(公告)号：CN103545317A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310285905.3

申请日：2013-07-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 有金刚 ,  久本大 ,  奥山裕 ,  桥本孝司 ,  冈田大介

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。当通过缩小存储器单元而减小隔离区的宽度，以减小在存储器单元和相邻存储器单元之间的距离时，被注入到存储器单元的电荷存储膜中的电子或空穴扩散到位于隔离区上方的电荷存储膜的部分中，从而彼此相互干扰，并且可能损害存储器单元的可靠性。在半导体器件中，存储器单元的电荷存储膜延伸至位于相邻存储器单元之间的隔离区。隔离区中的电荷存储膜的有效长度大于隔离区的宽度。这里，有效长度指示位于隔离区上方且没有存储电荷的电荷存储膜的区域的长度。