公开(公告)号：CN107256856A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710352700.0

申请日：2013-03-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秦志康 ,  斋藤隆幸 ,  堀部裕史

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片，具有配置有第1金属结构及第2金属结构的主面，上述第2金属结构与上述第1金属结构相邻地配置；第1金属线，与上述半导体芯片的上述第1金属结构电连接；第2金属线，与上述半导体芯片的上述第2金属结构电连接；及密封体，对上述半导体芯片、上述第1金属线及上述第2金属线进行密封，其中，上述第2金属结构配置于配置上述第1金属结构的层中，在上述第1金属结构与上述第2金属结构之间形成有绝缘膜，在上述第1金属结构中，在俯视时，沿着上述第1金属结构的各边连续地形成有第1槽，并且在上述第2金属结构中，在俯视时，沿着上述第2金属结构的各边连续地形成有第2槽。

公开(公告)号：CN107256856B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201710352700.0

申请日：2013-03-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秦志康 ,  斋藤隆幸 ,  堀部裕史

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片，具有配置有第1金属结构及第2金属结构的主面，上述第2金属结构与上述第1金属结构相邻地配置；第1金属线，与上述半导体芯片的上述第1金属结构电连接；第2金属线，与上述半导体芯片的上述第2金属结构电连接；及密封体，对上述半导体芯片、上述第1金属线及上述第2金属线进行密封，其中，上述第2金属结构配置于配置上述第1金属结构的层中，在上述第1金属结构与上述第2金属结构之间形成有绝缘膜，在上述第1金属结构中，在俯视时，沿着上述第1金属结构的各边连续地形成有第1槽，并且在上述第2金属结构中，在俯视时，沿着上述第2金属结构的各边连续地形成有第2槽。

公开(公告)号：CN103311212B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201310074222.3

申请日：2013-03-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秦志康 ,  斋藤隆幸 ,  堀部裕史

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L22/32 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种即使在进行半导体装置的工作保证温度的高温化的情况下也能够提高半导体装置的可靠性的技术。在多个焊盘(PD1～PD3)之间设置间隙，在该间隙中填埋例如由氧化硅膜、氮化硅膜构成的玻璃涂层(GC1)。该玻璃涂层(GC1)为了确保焊盘(PD1～PD3)间的电绝缘性而设置，覆盖焊盘(PD1～PD3)的外缘部。另外，在焊盘(PD1～PD3)的外缘部中，以与被玻璃涂层(GC1)覆盖的区域的邻接的方式形成槽(DIT1)。

公开(公告)号：CN103311212A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310074222.3

申请日：2013-03-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秦志康 ,  斋藤隆幸 ,  堀部裕史

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L22/32 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种即使在进行半导体装置的工作保证温度的高温化的情况下也能够提高半导体装置的可靠性的技术。在多个焊盘(PD1～PD3)之间设置间隙，在该间隙中填埋例如由氧化硅膜、氮化硅膜构成的玻璃涂层(GC1)。该玻璃涂层(GC1)为了确保焊盘(PD1～PD3)间的电绝缘性而设置，覆盖焊盘(PD1～PD3)的外缘部。另外，在焊盘(PD1～PD3)的外缘部中，以与被玻璃涂层(GC1)覆盖的区域的邻接的方式形成槽(DIT1)。

公开(公告)号：CN203277367U

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201320107342.4

申请日：2013-03-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秦志康 ,  斋藤隆幸 ,  堀部裕史

IPC: H01L23/498

Abstract: 本实用新型提供一种即使在进行半导体装置的工作保证温度的高温化的情况下也能够提高半导体装置的可靠性的技术。在多个焊盘(PD1～PD3)之间设置间隙，在该间隙中填埋例如由氧化硅膜、氮化硅膜构成的玻璃涂层(GC1)。该玻璃涂层(GC1)为了确保焊盘(PD1～PD3)间的电绝缘性而设置，覆盖焊盘(PD1～PD3)的外缘部。另外，在焊盘(PD1～PD3)的外缘部中，以与被玻璃涂层(GC1)覆盖的区域的邻接的方式形成槽(DIT1)。