公开(公告)号：CN111653622A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010556301.8

申请日：2015-11-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 青野英树 ,  吉田哲也 ,  小笠原诚 ,  冈本真一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供一种具有改进的可靠性的半导体器件。主要包括氧化硅的元件隔离区被掩埋形成在半导体衬底中的沟槽中。被元件隔离区环绕的有源区中的半导体衬底使MISFET的栅电极经由栅绝缘膜在其上。栅电极部分在元件隔离区上方延伸并且沟槽具有被氮化的内表面。在栅电极下方，氟被引入元件隔离区和MISFET的沟道区之间的边界附近。

公开(公告)号：CN105609558A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510770751.6

申请日：2015-11-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 青野英树 ,  吉田哲也 ,  小笠原诚 ,  冈本真一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供一种具有改进的可靠性的半导体器件。主要包括氧化硅的元件隔离区被掩埋形成在半导体衬底中的沟槽中。被元件隔离区环绕的有源区中的半导体衬底使MISFET的栅电极经由栅绝缘膜在其上。栅电极部分在元件隔离区上方延伸并且沟槽具有被氮化的内表面。在栅电极下方，氟被引入元件隔离区和MISFET的沟道区之间的边界附近。

公开(公告)号：CN111653622B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202010556301.8

申请日：2015-11-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 青野英树 ,  吉田哲也 ,  小笠原诚 ,  冈本真一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供一种具有改进的可靠性的半导体器件。主要包括氧化硅的元件隔离区被掩埋形成在半导体衬底中的沟槽中。被元件隔离区环绕的有源区中的半导体衬底使MISFET的栅电极经由栅绝缘膜在其上。栅电极部分在元件隔离区上方延伸并且沟槽具有被氮化的内表面。在栅电极下方，氟被引入元件隔离区和MISFET的沟道区之间的边界附近。