公开(公告)号：CN105428414A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510520967.7

申请日：2015-08-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边哲也 ,  宫森充 ,  常野克己 ,  清水卓

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/13067 ,  H01L21/768

Abstract: 如下配置一种半导体器件，包括：两个鳍，具有矩形平行六面体形状并在X方向上平行布置；以及栅电极，经由栅极绝缘膜布置在鳍之上并在Y方向上延伸。首先，漏极插塞设置在位于栅电极的一侧上的漏极区域之上并且在Y方向上延伸。然后，两个源极插塞设置在位于栅电极的另一侧上的源极区域之上并在Y方向上延伸。此外，以移位方式布置漏极插塞，使其位置在Y方向上可以不与两个源极插塞重叠。根据这种结构，栅极-漏极电容可以小于栅极-源极电容，并且可以抑制基于密勒效应的电路延迟。此外，与漏极侧的电容相比，源极侧的电容增加，从而提高了电路操作的稳定性。