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公开(公告)号：CN104009012A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410055843.1
申请日：2014-02-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/16
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/12 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体芯片和半导体器件，提高了以倒装片方式安装半导体芯片的衬底中的布线性。在以倒装片方式安装的半导体芯片中，在IO单元的内侧与外侧锯齿状配置的内侧芯片焊盘列和外侧芯片焊盘列离开预定的间隔以上地配置。预定的间隔是指在与内侧与外侧芯片焊盘列面对面连接的衬底上的内侧与外侧衬底焊盘列之间能够配置1个导通孔的间隔。或者，预定的间隔是指能够以该间隔形成用来布设以后要背蚀刻镀敷线的阻焊层的开口的间隔。即使在外侧衬底焊盘列之间没有形成布线的间隙时，也可以提高衬底的布线性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715183B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201310447281.0
申请日：2013-09-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/50 , H01L23/498 , H01L23/538
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/09 , H01L2224/0401 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件，将提高半导体器件内部的布线板和第二半导体芯片的电源和接地的抗扰性。第一半导体芯片安装在布线板上，第二半导体芯片安装在位于第一半导体芯片之上的中央部分。第二半导体芯片的电源和接地系统的底表面电极通过在第一半导体芯片的中央部分形成的芯片通路通向在布线板的中央部分形成的它们相应的外部耦合电极。电源和接地系统底表面电极、通路以及外部耦合电极在电源和接地系统之间分别彼此离散地排列。
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公开(公告)号：CN104009012B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201410055843.1
申请日：2014-02-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/16
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/12 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体芯片和半导体器件，提高了以倒装片方式安装半导体芯片的衬底中的布线性。在以倒装片方式安装的半导体芯片中，在IO单元的内侧与外侧锯齿状配置的内侧芯片焊盘列和外侧芯片焊盘列离开预定的间隔以上地配置。预定的间隔是指在与内侧与外侧芯片焊盘列面对面连接的衬底上的内侧与外侧衬底焊盘列之间能够配置1个导通孔的间隔。或者，预定的间隔是指能够以该间隔形成用来布设以后要背蚀刻镀敷线的阻焊层的开口的间隔。即使在外侧衬底焊盘列之间没有形成布线的间隙时，也可以提高衬底的布线性。
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公开(公告)号：CN103715183A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310447281.0
申请日：2013-09-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/50 , H01L23/498 , H01L23/538
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/09 , H01L2224/0401 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件，将提高半导体器件内部的布线板和第二半导体芯片的电源和接地的抗扰性。第一半导体芯片安装在布线板上，第二半导体芯片安装在位于第一半导体芯片之上的中央部分。第二半导体芯片的电源和接地系统的底表面电极通过在第一半导体芯片的中央部分形成的芯片通路通向在布线板的中央部分形成的它们相应的外部耦合电极。电源和接地系统底表面电极、通路以及外部耦合电极在电源和接地系统之间分别彼此离散地排列。
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公开(公告)号：CN107872924A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710766973.X
申请日：2017-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 別井隆文
IPC: H05K1/18 , H01L23/14 , H01L23/488
Abstract: 本公开涉及半导体装置、系统级封装以及用于车辆的系统级封装。目标是在重复从高温到低温的环境变化时抑制焊球破裂。一种半导体装置包括半导体集成电路和基板。半导体集成电路是例如半导体芯片。半导体集成电路与基板之间的热膨胀系数不同。基板在与安装半导体集成电路的表面相对的表面上包括多个焊球。基板在与半导体集成电路的边缘中的至少一边相对应的位置处不具有焊球。
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公开(公告)号：CN203746832U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201420070435.9
申请日：2014-02-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L25/16
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/12 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体芯片和半导体器件，提高了以倒装片方式安装半导体芯片的衬底中的布线性。在以倒装片方式安装的半导体芯片中，在IO单元的内侧与外侧锯齿状配置的内侧芯片焊盘列和外侧芯片焊盘列离开预定的间隔以上地配置。预定的间隔是指在与内侧与外侧芯片焊盘列面对面连接的衬底上的内侧与外侧衬底焊盘列之间能够配置1个导通孔的间隔。或者，预定的间隔是指能够以该间隔形成用来布设以后要背蚀刻镀敷线的阻焊层的开口的间隔。即使在外侧衬底焊盘列之间没有形成布线的间隙时，也可以提高衬底的布线性。
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