公开(公告)号：CN105845717A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610317928.1

申请日：2012-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈本康弘 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  宫本广信

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：第一半导体层；第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上方；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜接触所述第二半导体层；以及栅电极，所述栅电极经由所述栅极绝缘膜面对所述第二半导体层，其中，所述第一半导体层包括Alxαl?xN层，所述第二半导体层包括Alyαl?yN层，其中，α是Ga或In，并且0

公开(公告)号：CN102931221A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210280030.3

申请日：2012-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈本康弘 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  宫本广信

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 提供一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。具体涉及包括氮化物半导体层的半导体器件及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；通过栅极绝缘膜面对第二氮化物半导体层的栅电极。因为通过堆叠多个Al组成比彼此不同的半导体层形成第二氮化物半导体层，因此第二氮化物半导体层的Al组成比阶段式改变。形成第二氮化物半导体层的半导体层在相同方向上被极化，使得这些半导体层中更靠近栅电极的半导体层具有更高(或更低)的极化强度。即多个半导体层的极化强度基于它们与栅电极的距离而以如下倾向改变，使得在两个半导体层的界面的每一个处，负电荷量变得大于正电荷量。

公开(公告)号：CN102931221B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210280030.3

申请日：2012-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈本康弘 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  宫本广信

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 提供一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。具体涉及包括氮化物半导体层的半导体器件及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；通过栅极绝缘膜面对第二氮化物半导体层的栅电极。因为通过堆叠多个Al组成比彼此不同的半导体层形成第二氮化物半导体层，因此第二氮化物半导体层的Al组成比阶段式改变。形成第二氮化物半导体层的半导体层在相同方向上被极化，使得这些半导体层中更靠近栅电极的半导体层具有更高(或更低)的极化强度。即多个半导体层的极化强度基于它们与栅电极的距离而以如下倾向改变，使得在两个半导体层的界面的每一个处，负电荷量变得大于正电荷量。