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公开(公告)号：CN117177158A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210655197.7
申请日：2022-06-10
Applicant: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
Inventor： 博迪尤安·詹姆斯 , 卡吉尔斯科特·莱尔 , 凯夫兰·雅尼克·皮埃尔
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器，MEMS传感器包括：基底，一背腔穿过基底；振膜，与基底连接，并覆盖背腔，振膜包括相对设置的第一膜片和第二膜片，第一膜片与第二膜片之间形成容纳空间；支撑件，设于容纳空间内，支撑件的相对两端分别连接第一膜片和第二膜片；对电极，设于容纳空间内；所述第一膜片和所述第二膜片均包括导电部和非导电部，振膜上环形间隔设置有若干通风槽，导电部自振膜的中心向着振膜的边缘延伸且未延伸至通风槽。与现有技术相比，本发明通过将第一膜片和第二膜片设为导电部和非导电部，且导电部避开通风槽的位置，从而可以将导电部定位在振膜的运动可以最有效地转化为电信号的位置，以提高麦克风的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117177159A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210655198.1
申请日：2022-06-10
Applicant: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
Inventor： 博迪尤安·詹姆斯 , 卡吉尔斯科特·莱尔 , 凯夫兰·雅尼克·皮埃尔
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器，MEMS传感器包括：基底，一背腔穿过基底；振膜，与基底连接，并覆盖背腔，振膜包括相对设置的第一膜片和第二膜片，第一膜片与第二膜片之间形成容纳空间；支撑件，设于容纳空间内，支撑件的相对两端分别连接第一膜片和第二膜片；对电极，设于容纳空间内；所述第一膜片和所述第二膜片均包括导电部和非导电部，非导电部由非掺杂的多晶硅形成，导电部由非导电材料掺杂的多晶硅形成。与现有技术相比，本发明通过将第一膜片和第二膜片设为导电部和非导电部，且非导电部由非掺杂的多晶硅形成，导电部由非导电材料掺杂的多晶硅形成，使得应力更好，不容易剥离。
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公开(公告)号：CN115278488A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210650761.6
申请日：2022-06-09
Applicant: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS元件，MEMS元件包括：基底，一背腔穿过基底；振膜，与基底连接，并覆盖背腔，振膜包括相对设置的上膜片和下膜片，上膜片与下膜片之间形成容纳空间；对电极，设于容纳空间内；若干支撑件，设置在所述上膜片和所述下膜片之间，所述支撑件的相对两端分别连接所述上膜片和所述下膜片，至少于其中一个所述支撑件内，开设有若干第一腔室；第一腔室于上膜片上贯穿有上通风槽、于下膜片上贯穿有下通风槽，上通风槽与下通风槽相连通。与现有技术相比，本发明的上通风槽与下通风槽相连通以构成通风结构，从而不会降低振膜的局部刚度，同时可以提高振膜的柔顺性和麦克风的灵敏度。
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公开(公告)号：CN114866934A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210482656.6
申请日：2022-05-05
Applicant: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
IPC: H04R19/00
Abstract: 本申请公开了一种微机电系统以及具有此微机电系统的电声转换装置，微机电系统包括：第一膜片；第二膜片，与第一膜片相对设置；若干支撑件，支撑件包括若干支撑壁，支撑壁的相对两端分别连接第一膜片和第二膜片，第一膜片、第二膜片与同一支撑件内相邻的两个支撑壁合围形成第一腔室；连通槽，设置在第一膜片上或同时设置于第一膜片和第二膜片上，用于将第一腔室与外部连通。通过设置由若干支撑壁构成的支撑体以及于第一膜片上或同时于第一膜片和第二膜片上设置连通槽，从而增加了第一膜片或第二膜片的柔顺性，同时减少了第一膜片和第二膜片之间的板间电容。
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公开(公告)号：CN114222213A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111647718.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电系统以及具有此微机电系统的电声转换装置，微机电系统包括：第一膜片；第二膜片，与第一膜片相对设置；若干支撑件，支撑件包括若干支撑壁，支撑壁的相对两端分别连接第一膜片和第二膜片，第一膜片、第二膜片与同一支撑件内相邻的两个支撑壁合围形成第一腔室；连通槽，设置在第一膜片上或同时设置于第一膜片和第二膜片上，用于将第一腔室与外部连通。通过设置由若干支撑壁构成的支撑体以及于第一膜片上或同时于第一膜片和第二膜片上设置连通槽，从而增加了第一膜片或第二膜片的柔顺性，同时减少了第一膜片和第二膜片之间的板间电容。
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