发明公开
CN117177159A 一种MEMS传感器
审中-实审
- 专利标题: 一种MEMS传感器
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申请号: CN202210655198.1申请日: 2022-06-10
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公开(公告)号: CN117177159A公开(公告)日: 2023-12-05
- 发明人: 博迪尤安·詹姆斯 , 卡吉尔斯科特·莱尔 , 凯夫兰·雅尼克·皮埃尔
- 申请人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴三道6号南京大学深圳产学研大楼A座6楼(办公)
- 专利权人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴三道6号南京大学深圳产学研大楼A座6楼(办公)
- 代理机构: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司
- 代理商 姚宝然
- 优先权: 17/826,184 2022.05.27 US
- 主分类号: H04R19/04
- IPC分类号: H04R19/04 ; H04R7/02 ; B81B7/02 ; B81B7/00
摘要:
本发明公开了一种MEMS传感器,MEMS传感器包括:基底,一背腔穿过基底;振膜,与基底连接,并覆盖背腔,振膜包括相对设置的第一膜片和第二膜片,第一膜片与第二膜片之间形成容纳空间;支撑件,设于容纳空间内,支撑件的相对两端分别连接第一膜片和第二膜片;对电极,设于容纳空间内;所述第一膜片和所述第二膜片均包括导电部和非导电部,非导电部由非掺杂的多晶硅形成,导电部由非导电材料掺杂的多晶硅形成。与现有技术相比,本发明通过将第一膜片和第二膜片设为导电部和非导电部,且非导电部由非掺杂的多晶硅形成,导电部由非导电材料掺杂的多晶硅形成,使得应力更好,不容易剥离。