公开(公告)号：CN113921661B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202111114265.0

申请日：2021-09-23

申请人： 理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 马哲国 ,  陈金元

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505

摘要： 本发明提供一种用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述方法首先通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒清洗；然后通过本征PECVD工艺在N型单晶硅片的正反面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着通过第一、第二、第三N型PECVD工艺分别在第一本征非晶硅层上依次形成第一、第二以及第三N型非晶微晶混合层；接着通过P型PECVD工艺在第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；然后在第三N型非晶微晶混合层以及P型非晶硅层上分别形成第一以及第二透明导电膜；最后通过丝网印刷工艺在第一以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极。本发明能解决生产节拍过慢、产能较低、低温下非晶硅薄膜品质差

公开(公告)号：CN111850518B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010704046.7

申请日：2020-07-21

申请人： 理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 杨华新 ,  马哲国

IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供托盘预热腔及对应的PECVD设备。PECVD设备包括：加载模块，其用于将硅片放置在托盘中；托盘转送模块，其用于将由加载模块传送的托盘送至托盘预热腔，并接收已预热的托盘；托盘预热腔，其接收和预热托盘至预设预热温度并将托盘传回至托盘转送模块；加载腔，其配置成接收由托盘转送模块传送的、已预热的托盘；PECVD工艺腔，其接收由加载腔传送的托盘，通过本征和掺杂PECVD工艺在托盘所承载的硅片的一面上沉积形成I/N或I/P型非晶硅薄膜；卸载腔，其接收由PECVD工艺腔传送的托盘；以及卸载模块，其接收由卸载腔传送的托盘并将硅片从托盘中卸载。本发明能有效提高设备产能、预热灵活性和预热效率，并能有效降低设备成本。

公开(公告)号：CN112366249B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202011279321.1

申请日：2020-11-16

申请人： 理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 马哲国 ,  朱帆 ,  陈金元

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  G06K19/06

摘要： 本发明提供一种具有追踪功能的太阳能电池制造方法及其所用的追踪系统。所述系统包括第一至第七绑定模块、第一至第五存储模块以及追踪模块。第一绑定模块用于针对放入清洗硅片盒的对应硅片槽的每个硅片生成唯一的虚拟标识码，并将虚拟标识码逐一绑定至由第一转载时间、清洗硅片盒标识码及其对应硅片槽编号组成的第一组合码；其他绑定模块用于将虚拟标识码绑定至相应的其他组合码；各个存储模块用于存储每个硅片的虚拟标识码、对应的工艺及其开始时间、终止时间及设备编码；追踪模块用于根据每个电池片的I‑V测试结果及其对应的虚拟标识码对清洗制绒工艺、第一PECVD、第二PECVD、PVD成膜工艺、丝网印刷工艺及各自对应的设备中至少一个进行追踪。

公开(公告)号：CN116497329A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310451910.0

申请日：2023-04-24

申请人： 理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 马哲国 ,  张云飞 ,  王宇宙 ,  闫涛

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明提供PVD设备以及PVD沉积方法。所述PVD设备包括多个布置在溅射腔中的磁控溅射旋转阴极，所述磁控溅射旋转阴极包括靠近溅射腔入口的第一旋转阴极以及位于第一旋转阴极与溅射腔出口之间的多个第二旋转阴极，所述第一旋转阴极的直径为所述第二旋转阴极的直径的50％‑80％，所述第一旋转阴极的工作功率为所述第二旋转阴极的工作功率的50％‑60％，所述第一旋转阴极与所述第二旋转阴极具有相同的换耙周期。本发明能抑制换靶初期太阳能电池效率的降低，能提高成膜均匀性以及靶材利用率，能提高PVD设备的运行时间及换靶周期。

公开(公告)号：CN116154045A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211087653.9

申请日：2022-09-07

申请人： 理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 马哲国

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供用于制造埋栅太阳能电池的方法以及埋栅太阳能电池。所述埋栅太阳能电池包括单晶硅片，所述单晶硅片正面上依次形成有第一本征非晶硅层以及第一氮化硅减反层，所述单晶硅片反面上开设有多个凹槽，所述多个凹槽中设置有电镀电极，所述单晶硅片反面上依次形成有第二本征非晶硅层以及第二氮化硅减反层，连接导线通过由激光焊接工艺形成的焊点与硅片两端的电镀电极焊接连接，所述多个凹槽的槽壁为N型重掺层或P型重掺层，相邻凹槽槽壁的重掺杂类型相反。本发明能提高太阳能电池的填充因子以及电池效率，降低太阳能电池的制造成本。