公开(公告)号：CN102725867B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201180007151.4

申请日：2011-01-18

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 全珉星 ,  李元载 ,  赵银喆 ,  李浚诚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种背面接触太阳能电池的制造方法，其中结合离子注入工艺和热扩散工艺以在衬底背表面形成p+区域和n+区域，从而最小化工艺数量。根据本发明的背面接触太阳能电池的制造方法包括下面的步骤：制备n型晶体硅衬底；在衬底的前表面、背表面和侧表面上形成热扩散控制膜；将p型杂质离子注入到衬底背表面以形成p型杂质区域；图案化热扩散控制膜从而选择性地暴露衬底背表面；以及执行热扩散工艺从而在暴露的衬底背表面区域形成高浓度背场层(n+)和在衬底的前表面区域形成低浓度前场层(n-)，并且激活p型杂质区域来形成p+发射区。

公开(公告)号：CN102770968A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080064053.X

申请日：2010-12-17

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 文仁植 ,  赵银喆 ,  李元载 ,  林钟根

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 根据本发明的背面接触太阳能电池的制造方法包含下面的步骤：制备具有通孔的p型硅衬底；执行扩散工艺以在整个衬底表面形成发射层；在衬底的前表面和背表面上形成蚀刻掩模以选择性地暴露部分衬底；蚀刻由蚀刻掩模暴露的区域中的部分厚度的衬底以移除相应区域中的发射层；在衬底的前表面上形成抗反射膜；以及在衬底的前表面形成格栅电极，并且在衬底的背表面上形成n电极和p电极。

公开(公告)号：CN102224601A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201080002341.2

申请日：2010-05-13

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 文仁植 ,  赵银喆 ,  李元载

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法。所述太阳能电池的制造方法，在硅晶片形成通孔，在所述通孔的内壁及连接所述通孔的所述晶片的前表面以及后表面上形成浅结发射极(shallow emitter)，用掺杂剂(dopant)进行重掺杂(heavy doping)而形成选择性发射极，以使沿着连接所述浅结发射极的所述通孔的方向的大部分区域具有一定以上的高密度。因此，本发明可以通过在镀金属穿孔卷绕(MWT)太阳能电池的、与具有一定宽度和高度的前表面电极接触的区域上实施激光掺杂或蚀刻，形成选择性发射极。

公开(公告)号：CN102224601B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201080002341.2

申请日：2010-05-13

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 文仁植 ,  赵银喆 ,  李元载

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法。所述太阳能电池的制造方法，在硅晶片形成通孔，在所述通孔的内壁及连接所述通孔的所述晶片的前表面以及后表面上形成浅结发射极(shallow emitter)，用掺杂剂(dopant)进行重掺杂(heavy doping)而形成选择性发射极，以使沿着连接所述浅结发射极的所述通孔的方向的大部分区域具有一定以上的高密度。因此，本发明可以通过在镀金属穿孔卷绕(MWT)太阳能电池的、与具有一定宽度和高度的前表面电极接触的区域上实施激光掺杂或蚀刻，形成选择性发射极。

公开(公告)号：CN102725867A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007151.4

申请日：2011-01-18

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 全珉星 ,  李元载 ,  赵银喆 ,  李浚诚

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种背面接触太阳能电池的制造方法，其中结合离子注入工艺和热扩散工艺以在衬底背表面形成p+区域和n+区域，从而最小化工艺数量。根据本发明的背面接触太阳能电池的制造方法包括下面的步骤：制备n型晶体硅衬底；在衬底的前表面、背表面和侧表面上形成热扩散控制膜；将p型杂质离子注入到衬底背表面以形成p型杂质区域；图案化热扩散控制膜从而选择性地暴露衬底背表面；以及执行热扩散工艺从而在暴露的衬底背表面区域形成高浓度背场层(n+)和在衬底的前表面区域形成低浓度前场层(n-)，并且激活p型杂质区域来形成p+发射区。